способ выращивания монокристаллов в системе bi - sr - ca - cu - o

Классы МПК:C30B11/02 без использования растворителей
C30B29/22 сложные оксиды
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Институт общей и неорганической химии им.Н.С.Курнакова РАН
Приоритеты:
подача заявки:
1992-03-24
публикация патента:

Изобретение относится к области получения крупных монокристаллов сверхпроводников из расплава системы Bi Sr Ca Cu O и может быть использовано в качестве оптических линий задержки в видимом и инфракрасном диапазонах, как электрические контакты и прерыватели для работы при низких температурах. Сущность изобретения: исходную шихту используют в виде прессованного порошка. В качестве флюса применяют хлорид натрия, и его загружают слоем поверх шихты, нагревают до 880 883°С, а охлаждают в три стадии: от 880 883 до 860°С в течение 34 45 ч, от 860 до 805 °С в течение 9 15 ч, от 805 до 795°С в течение 18 22 ч. Получают монокристаллы в виде призм размером до 3 мм3. 1 табл.
Рисунок 1

Формула изобретения

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ В СИСТЕМЕ BI SR CA CU O, включающий загрузку в тигель шихты стехиометрического состава и флюса, нагрев и охлаждение, отличающийся тем, что шихту используют в виде прессованного порошка, в качестве флюса берут хлорид натрия и загружают его слоем поверх шихты, нагрев ведут до 880 883 oС, а охлаждение ведут в три стадии: от (880 883) до 860 oС в течение 35 45 ч, от 860 до 805 oС в течение 9 15 ч, от 805 до 795 oС в течение 18 20 ч.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области получения крупных монокристаллов из расплавов системы Bi-Sr-Ca-Cu-O, которые могут быть использованы в устройствах СКВИД, магнитных томографах, в качестве оптических линий задержки в видимом и ИК диапазонах, как электрические контакты и прерыватели для работы при низких температурах.

Известен способ получения монокристаллов в системе Bi-Sr-Ca-Cu-O охлаждением расплава смеси Bi2O3, SrCO3, CaCO3, CuO взятых в соотношении по катионам 1:1:1:2 из расплава хлорида калия [1] Исходный порошок смешивают с хлоридом калия (его содержание 80-90% ), загружают в алундовый тигель и нагревают до 940оС. Время выдержки 12 ч. Охлаждение проводят со скоростью 5оС/ч до 760оС. Данным методом получают монокристаллы размером до 0,5х0,5х0,001 мм3. Однако метод из-за высокой температуры нагрева не дает воспроизводимых результатов в связи с большой потерей легколетучих компонентов шихты, не позволяет получать крупные монокристаллы, необходимые для создания на их основе приборов.

Известен также способ получения монокристаллов из расплава в системе Bi-Sr-Ca-Cu-O с применением флюса КСl [2] Исходный синтезированный в соотношении по катионам Bi-Sr-Ca-Cu 1:1:1:2 по нитратной технологии порошок перемешивают с хлоридом калия (40% по объему), загружают в алундовый тигель и нагревают со скоростью 300оС/ч до 900оС. Время выдержки 3 ч. Охлаждение до 776оС со скоростью 5оС/ч. Монокристаллы получают размерами 3 х 3 х 0,03 мм3. Их состав близок к составу Bi2Sr2Ca1Cu2Ox. Однако метод малопроизводителен, так как требует дополнительных затрат времени на перемешивание исходной шихты с флюсом и отделение полученных монокристаллов от флюса. Большая скорость охлаждения приводит к увеличению вертикального градиента температуры, что сказывается на качестве полученных кристаллов.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению по технической сущности и достигаемым результатам является способ получения монокристаллов в системе Bi-Sr-Ca-Cu с использованием флюса КСl [3] Исходный порошок состава Bi2Sr2Ca1Cu2O8 смешивают с хлоридом калия (содержание КСl 20-50 об.), загружают в алундовый тигель и нагревают до 930оС. Выдержка при этой температуре 5-15 ч. Охлаждение до 860оС со скоростью 1оС/ч и до 800оС со скоростью 2-5оС/ч. Из полученной поликристаллической блочной структуры выделяют монокристаллы состава Bi2Sr2Ca1Cu2Ox размерами до 1х1х0,1 мм3.

Недостатки этого способа необходимость отмывания кристаллов от следов флюса и небольшие размеры получаемых криcталлов, что затрудняет их использование в приборах.

Цель изобретения интенсификация процесса кристаллизации, получение монокристаллов больших размеров, стабилизация состава получаемых монокристаллов.

Указанный цель достигается предлагаемым способом выращивания монокристаллов в системе Bi-Sr-Ca-Cu-O из стехиометрического расплава, включающим применение флюса, согласно которому исходную шихту используют в виде прессованного порошка. В качестве флюса применяют NaCl и его загружают сверху шихты слоем, нагревают до 880-883оС, а охлаждение проводят в три стадии: в интервалах температур 880-860оС в течение 35-45 ч, в интервале 860-805оС в течение 9-15 ч, в интервале 805-795оС в течение 18-22 ч.

В предлагаемом способе рост монокристаллов проводят методом направленной кристаллизации с температурным градиентом. Возможность с высокой точностью поддерживать температурные режимы, а также минимальный свободный объем ростового тигля дают возможность получать крупные монокристаллы с минимальными затратами.

Рост монокристаллов из расплава системы Bi-Sr-Ca-Cu-O с температурой перехода Тс 90 К проводят в алундовых тиглях диаметром 8-10 мм, длиной 150-180 мм на воздухе. Шихта спрессованный при давлении 4 МПа порошок синтезированного в стехиометрическом соотношении Bi1Sr1Ca1Cu2Ox.

Сущностью изобретения и его отличительными признаками являются: использование шихты в виде спрессованного порошка, применение в качестве флюса хлорида натрия, загрузка флюса сверху шихты слоем без перемешивания, использование метода направленной кристаллизации при температуре зоны нагрева 880-883оС и трехступенчатым охлаждением: в интервалах температур 880-860оС в течение 35-45 ч, в интервале 860-805оС в течение 9-15 ч, в интервале 805-795оС в течение 18-22 ч.

Использование шихты в виде спрессованного порошка позволяет уменьшить расстояние между частицами шихты, что позволяет проводить процесс при более низких температурах, снижая потери легколетучих компонентов.

Применение в качестве флюса хлорида натрия обусловливается его температурой плавления Тпл 800оС. За счет теплоты кристаллизации флюса при этой температуре идет укрепление получаемых монокристаллов. Загрузка флюса сверху слоем позволяет исключить отмывку получаемых монокристаллов от хлорида натрия, так как при этом не происходит непосредственного контакта флюса с основной массой шихты. Кроме этого, слой расплавленного флюса повышает давление паров легколетучих компонентов шихты, снижая их потери.

Температурная зона печи 880-883оС. Ниже указанного интервала исходная шихта не расплавляется, так как ее температура плавления 880оС. Выше резко увеличиваются потери легколетучих компонентов, что приводит к нарушению стехиометрии исходного состава.

Режим охлаждения является оптимальным c точки зрения зародышеобразования и роста монокристаллов, а также увеличения скорости процесса. На первой стадии происходит образование центров кристаллизации и начало роста кристаллов. При малой скорости охлаждения в интервале температур 880-860оС процесс проходит в равновесных условиях. При этом уменьшается количество образующихся зародышей и соответственно увеличивается количество жидкой фазы. За счет большого свободного объема создаются предпосылки для роста более крупных кристаллов. В интервале температур 860-790оС завершается ростообразование и происходит насыщение кристаллов кислородом. В связи с тем, что затравки уже образованы, можно увеличить скорость охлаждения до 5оС/ч, интенсифицируя этим процесс кристаллизации. Однако в интервале температур соответствующих кристаллизации флюса (805-795оС), совпадающих с температурным интервалом максимального насыщения кристаллов шихты кислородом, оправдано уменьшение скорости охлаждения до 0,5оС/ч для создания равновесных условий. При этом увеличиваются размеры кристаллов флюса, что уменьшает зону взаимодействия флюса с шихтой и увеличивает зону роста кристаллов шихты. Происходит более сильное обогащение кристаллов шихты кислородом, что улучшает их характеристики.

Способ осуществляется следующим образом. Предварительно синтезированный, спрессованный порошок состава Bi1Sr1Ca1Cu2Ox загружают в тигель. Оставшийся свободный объем заполняют флюсом хлоридом натрия. Тигель устанавливают в зону печи, имеющую минимальный температурный градиент и доводят температуру со скоростью 300оС/ч до 880-883оС. Выдерживают тигель 10-12 ч для полного расплавления содержимого и лучшей гомогенизации расплава. Затем начинают охлаждение до 860оС за 35-45 ч. В расплаве образуются зародыши монокристаллов. В интервале с 860 до 805оС с целью интенсификации процессе охлаждение проводят за 9-15 ч. При температурах в районе 800оС происходит завершение роста кристаллов. Поэтому в интервале с 805 до 795оС охлаждение проводят за 18-22 ч. Получившийся слиток состоит из трех участков. Верхний зона роста кристаллов флюса. Средний зона взаимодействия флюса с шихтой. Нижний зона роста монокристаллов шихты. Из нижней зоны механическим способом отделяют пластинчатые монокристаллы состава Bi2,38Sr2,42Ca0,6Cu2,00Ox размерами 1,5х3х0,1 мм3 и монокристаллы в виде призм состава Bi2,15Sr1,23Ca0,53Cu2,00Ox размерами 3х3х2 мм3. Их содержание в зоне роста составляет соответственно способ выращивания монокристаллов в системе bi - sr - ca -   cu - o, патент № 203985320 и 10% Пластинчатые монокристаллы имеют температуру перехода Тс 90 К при ширине перехода способ выращивания монокристаллов в системе bi - sr - ca -   cu - o, патент № 2039853 Тс 20 К, а призматические Тс 93 К при способ выращивания монокристаллов в системе bi - sr - ca -   cu - o, патент № 2039853Тс 50 К.

Пластинчатые монокристаллы обладают рядом преимуществ по сравнению с призматическими: более совершенная структура, меньшая ширина перехода, удобная для применения в технике форма. Поэтому пластинчатые монокристаллы являются основным продуктом получения, а призматические побочным.

П р и м е р 1. Рост монокристаллов Bi2,38Sr2,42Ca0,6Cu2,00Ox проводят в алундовом тигле диаметром 8 мм, длиной 150 мм на воздухе. Исходная шихта предварительно синтезирована в стехиометрическом соотношении 1:1:1:2 и засыпана на 2/3 объема. Сверху засыпают флюс хлорид натрия. Температура зоны нагрева 880 способ выращивания монокристаллов в системе bi - sr - ca -   cu - o, патент № 20398530,4оС. Режим охлаждения: в интервалах температур 880-860оС в течение 40 ч, в интервале 860-805оС в течение 11 ч, в интервале 805-795оС в течение 20 ч. Пластинчатые монокристаллы состава Bi2,38Sr2,42Ca0,6Cu2,00Ox имели температуру перехода Тс 90 К, ширину перехода способ выращивания монокристаллов в системе bi - sr - ca -   cu - o, патент № 2039853Тс20 К, размер 1,5х3х0,1 мм3, содержание в зоне роста 20 об. Монокристаллы в виде призм состава Вi2,15Sr1,23Ca0,53Cu2,00Ox имели температуру перехода Тс 93 К, способ выращивания монокристаллов в системе bi - sr - ca -   cu - o, патент № 2039853Тс 50 К, размер 3х3х2 мм3, содержание в зоне роста 10 об.

П р и м е р 2. Рост монокристаллов Вi2,38Sr2,42Ca0,6Cu2,00Ox проводят в алундовом тигле диаметром 10 мм, длиной 180 мм на воздухе. Исходная шихта предварительно синтезирована в стехиометрическом соотношении 1:1:1:2 и засыпана на 3/5 объема. Сверху засыпают флюс NaCl. Температура зоны нагрева 883способ выращивания монокристаллов в системе bi - sr - ca -   cu - o, патент № 20398530,4оС. Режим охлаждения: в интервалах температур 880-860оС в течение 36 ч, в интервале 860-805оС в течение 13 ч, в интервале 805-795оС в течение 22 ч. Пластинчатые монокристаллы состава Bi2,38Sr2,42Ca0,6Cu2,00Ox имели температуру перехода Тс 90 К, ширину перехода способ выращивания монокристаллов в системе bi - sr - ca -   cu - o, патент № 2039853Тс 20 К, размер 1,4х2,9х0,1 мм3, содержание в зоне роста 18 об. Монокристаллы в виде призм состава Bi2,15Sr1,23Ca0,53Cu2,00Ox имели температуру перехода Тс 93 К, Тс 50 К, размер 2х2,5х1,8 мм3, содержание в зоне роста 12 об.

Результаты проведенных испытаний сведены в таблицу.

Таким образом, способ получения монокристаллов в системе Bi-Sr-Ca-Cu-O позволяет выращивать стpуктурно совершенные, крупные монокристаллы. Полученные монокристаллы удовлетворяют требованиям, предъявляемым для использования в устройствах СКВИД, магнитных томографах, в качестве оптических линий задержки в видимом и ИК-диапазонах, как электрические контакты и прерыватели для работы при низких температурах.

Класс C30B11/02 без использования растворителей

способ получения кристаллов галогенидов таллия -  патент 2522621 (20.07.2014)
способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира -  патент 2520472 (27.06.2014)
способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия -  патент 2487202 (10.07.2013)
способ получения кристаллических заготовок твердых растворов галогенидов серебра для оптических элементов -  патент 2486297 (27.06.2013)
способ изготовления монокристаллов фторидов кальция и бария -  патент 2400573 (27.09.2010)
способ получения полупроводниковых кристаллов типа aiibvi -  патент 2380461 (27.01.2010)
лазерное вещество -  патент 2369670 (10.10.2009)
способ получения оптического материала для квантовой электроники на основе кристаллов двойных фторидов -  патент 2367731 (20.09.2009)
лазерное вещество -  патент 2362844 (27.07.2009)
инфракрасная лазерная матрица на основе кристаллов калия и рубидия пентобромплюмбита -  патент 2354762 (10.05.2009)

Класс C30B29/22 сложные оксиды

способ соединения деталей из тугоплавких оксидов -  патент 2477342 (10.03.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" -  патент 2434081 (20.11.2011)
pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования -  патент 2389835 (20.05.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука -  патент 2347859 (27.02.2009)
способ получения кристалла на основе бората и генератор лазерного излучения -  патент 2338817 (20.11.2008)
способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе -  патент 2332529 (27.08.2008)
полупроводниковый антиферромагнитный материал -  патент 2318262 (27.02.2008)
Наверх