резистивный материал

Классы МПК:H01C7/00 Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него
H01C7/108 из оксидов металлов
H05B3/10 нагревательные элементы, отличающиеся по составу или структуре материалов или выполнению проводников (состав материала как таковой см соответствующие подклассы) 
Автор(ы):
Патентообладатель(и):Ярославская микроэлектронная фирма "Оникс"
Приоритеты:
подача заявки:
1997-08-13
публикация патента:

Изобретение относится к электротехнике может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400oC. Резистивный материал включает полутороокись висмута (Вi2O3) в количестве 5,0 - 95,0 мас. % и полутороокись неодима (Nd2O3) в количестве 5,0 - 95,0 мас.%. Кроме того, дополнительно резистивный материал может содержать двуокись рутения (RuO2) в количестве 1,0 - 10,0 мас.%. Изобретение позволяет получить пленочные резисторы, характеризующиеся высокой температурной стабильностью. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Рисунок 1

Формула изобретения

1. Резистивный материал, включающий полутороокись висмута, отличающийся тем, что он содержит полутороокись неодима при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:

BiO3 - 5,0 - 95,0

Nd2O3 - 5,0 - 95,0

2. Резистивный материал по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит двуокись рутения (RuO2) в количестве 1,0 - 10,0 мас.%.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400oC.

Известен материал на основе полутороокиси висмута с добавками окислов цинка и кобальта при различном содержании компонентов - от 0,065 до 90% (патент Японии N 51-2638, кл. 62 A 221.1, 30.11.76).

Такой материал имеет низкую температурную стабильность.

Наиболее близким техническим решением является резистивный материал на основе полутороокиси висмута с добавкой полутороокиси лантана при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:

Bi2O3 - 90,0 - 99,9

La2O3 - 0,1 - 10,0

(авторское свидетельство N 945909, кл. H 01 C 7/00, 1981).

Такой материал также характеризуется низкой температурной стабильностью и не может быть использован для формирования высокоомных стабильных пленочных резисторов.

Задачей, на решение которой направлено изобретение, является повышение температурной стабильности пленочных резисторов из этого материала.

Поставленная задача решается тем, что резистивный материал, включающий полутороокись висмута, содержит полутороокись неодима при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:

Bi2O3 - 5,0 - 95,0

Nd2O3 - 5,0 - 95,0

Резистивный материал может дополнительно содержать двуокись рутения (RuO2) в количестве 1,0 - 10,0%.

Были приготовлены образцы заявляемого резистивного материала с различной концентрацией входящих в его состав компонентов, из которых методом традиционной толстопленочной технологии, включающей шелкотрафаретную печать с последующим вжиганием, были получены пленочные резисторы. Результаты сведены в таблицу.

Как следует из таблицы, пленочные резисторы из предлагаемого материала характеризуются высокой температурной стабильностью, а сам материал имеет простой химический состав.

Класс H01C7/00 Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него

Класс H01C7/108 из оксидов металлов

Класс H05B3/10 нагревательные элементы, отличающиеся по составу или структуре материалов или выполнению проводников (состав материала как таковой см соответствующие подклассы) 

система теплопередачи на основе электромагнитного излучения и фольга для использования в системе теплопередачи -  патент 2472322 (10.01.2013)
способ изготовления токопроводящих панелей, сырьевая шихта для изготовления токопроводящих панелей и токопроводящий заполнитель на основе магматических кислых эффузивных стекловатых пород для них -  патент 2353993 (27.04.2009)
способ изготовления токопроводящих панелей, сырьевая шихта для изготовления токопроводящих панелей и токопроводящий заполнитель на основе измельченных кристаллизованных стекол для них -  патент 2353992 (27.04.2009)
способ изготовления токопроводящих панелей, сырьевая шихта для изготовления токопроводящих панелей и токопроводящий заполнитель на основе стеклобоя для них -  патент 2353991 (27.04.2009)
способ изготовления токопроводящих панелей, сырьевая шихта для изготовления токопроводящих панелей и токопроводящий заполнитель на основе осадочных высококремнеземистых пород для них -  патент 2353013 (20.04.2009)
способ изготовления токопроводящих панелей, сырьевая шихта для изготовления токопроводящих панелей и токопроводящий заполнитель на основе природных цеолитсодержащих эффузивно-осадочных пепловых отложений для них -  патент 2353012 (20.04.2009)
углеродная гибкая нагревательная структура -  патент 2344574 (20.01.2009)
электронагревательное устройство -  патент 2224386 (20.02.2004)
способ изготовления плоского фольгового нагревателя -  патент 2208918 (20.07.2003)
изоляционная защитная оболочка для резистивного нагревательного элемента -  патент 2199836 (27.02.2003)
Наверх