способ выравнивания надежности при отбраковке полупроводниковых изделий

Классы МПК:G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов
G01R31/28 испытание электронных схем, например с помощью прибора для каскадной проверки прохождения сигнала
H01L21/66 испытания или измерения в процессе изготовления или обработки
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Воронежский государственный технический университет (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2003-02-03
публикация патента:

Изобретение относится к микроэлектронике. Способ включает определение партий с пониженным процентом выхода годных изделий после проведения каждой из контрольных операций. При этом проводят выявление доминирующего вида брака у изделий данной партии, определяют объем дополнительных отбраковочных испытаний и проводят 100-процентные дополнительные отбраковочные испытания. После проведения дополнительных испытаний партию возвращают на исходную контрольную операцию. Изобретение обеспечивает получение партии изделий с гарантированным значением надежности. 1 табл., 1 ил.

способ выравнивания надежности при отбраковке полупроводниковых   изделий, патент № 2247402

способ выравнивания надежности при отбраковке полупроводниковых   изделий, патент № 2247402

Формула изобретения

Способ выравнивания надежности партии полупроводниковых изделий, включающий определение партий изделий с пониженным процентом выхода годных изделий после проведения каждой из контрольных операций, отличающийся тем, что проводят выявление доминирующего вида брака у изделий данной партии, определяют объем дополнительных отбраковочных испытаний, ориентированных на дополнительную отбраковку изделий данной партии с доминирующим видом брака, проводят 100-процентные дополнительные отбраковочные испытания данной партии, после чего партию возвращают на исходную контрольную операцию.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем). Изобретение может быть использовано на этапе серийного производства полупроводниковых изделий, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры.

Известен способ отбраковки полупроводниковых приборов по группам годности [1], однако он позволяет осуществить разбраковку только на пластине.

Наиболее близким аналогом являются способ отбора изделий электронной техники по надежности с использованием радиации [2], позволяющий отбирать изделия с гарантированным значением показателя надежности.

Однако способ требует сложной и небезопасной аппаратуры.

Изобретение направлено на устранение указанных недостатков, а именно: предлагаемый способ позволяет выравнивать надежность разных партий полупроводниковых изделий, т.е. получать партии с гарантированным значением надежности, без использования радиации и на всех этапах производства. В частности, надежность партии изделий, имеющих в технологическом процессе пониженный процент выхода годных на одной или нескольких операциях и, следовательно, более низкую надежность, повышается до надежности партий изделий, имеющих плановый процент выхода годных.

Это достигается тем, что на партиях полупроводниковых изделий, процент выхода годных у которых на какой-либо операции меньше планового на величину 3способ выравнивания надежности при отбраковке полупроводниковых   изделий, патент № 2247402 и более (способ выравнивания надежности при отбраковке полупроводниковых   изделий, патент № 2247402 - среднеквадратичное отклонение фактических значений процента выхода годных за определенный период или определенное число контролируемых партий), проводится анализ брака, выявляется доминирующий вид брака, определяется дополнительное отбраковочное испытание, ориентированное на дополнительную отбраковку изделий с доминирующим видом брака, и проводится на данной партии, после чего партию возвратить на исходную операцию. И хотя процент выхода годных на данной операции может уменьшиться за счет дополнительной отбраковки потенциально-ненадежных изделий, надежность данной партии изделий будет равна надежности партий изделий, прошедших технологический маршрут с плановым процентом выхода годных, т.е. произойдет выравнивание надежности различных партий изделий.

Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором изображен алгоритм, поясняющий сущность заявленного способа.

Способ осуществляют следующим образом. Если в текущей партии изделий после проведения одной из контрольных операций окажется, что процент выхода годных ниже планового значения на величину 3способ выравнивания надежности при отбраковке полупроводниковых   изделий, патент № 2247402 , т.е. Ai<Aoi-3способ выравнивания надежности при отбраковке полупроводниковых   изделий, патент № 2247402 n, где способ выравнивания надежности при отбраковке полупроводниковых   изделий, патент № 2247402 n - среднеквадратичное отклонение выхода годных на n-й операции, то проводится анализ брака, выявляются доминирующие виды брака (причины), принимается решение об объеме дополнительных отбраковочных испытаний, проводятся 100%-ные дополнительные испытания и партия возвращается на ту же контрольную операцию.

Известно [3], что имеется прямая связь между процентом выхода годных изделий в процессе их изготовления и надежностью партии этих изделий. Например [4], с уменьшением процента выхода годных пленочных конденсаторов со 100 до 20 интенсивность отказов увеличивается примерно на два порядка, т.е. надежность снижается. Аналитически это подтверждается следующим образом.

Пусть A1 , А2, A3,... Аn - плановые проценты выхода годных изделий соответственно на технологических операциях 1,2,3,... ,n, тогда А1i, А2i, А3i ,... ,Ani - фактические проценты выхода годных на i-й партии изделий.

Если принять, что в процессе производства всего на четырех определяющих технологических операциях контролируется процент выхода годных (контроль годности структур на пластине A1, контроль годности изделий после сборки в корпус А2, контроль годности изделий после технологических испытаний А3 и выходной контроль годности А4 ), то для i-й партии изделий производственная надежность, т.е. вероятность безотказной работы будет равна:

Pi =P1i· P2i· P3i· P4i, а с учетом того, что Рnini· Аni , где Кni определяет погрешность контрольно-измерительного оборудования, будет иметь следующий вид:

Pi=K 1i· A1i· K2i· A2i· K3i· A3i· K4i· A4i.

Для партии изделий с плановым процентом выхода годных на всех операциях надежность будет определена как

Р=Р1· Р2· Р3· Р41А1· К2А2· К3А 3· К4А4.

Если P1i<P1 : P2i<P2 : Р3i3 : P4i<P 4, a K1=K1i : K2=K 2i : К33i : К4 4i, то при выпуске изделий надежность i-й партии будет меньше надежности партии, прошедшей с плановым процентом выхода годных, т.е. Рi<Р.

В качестве примера приведем реализацию заявляемого способа при производстве интегральных схем серии 106. Было отслежено 50 партий, из которых партии 13, 22, 31, 33 имеют пониженный процент выхода годных.

К ним был применен предлагаемый способ. Для того чтобы доказать то, что после применения вышеуказанного алгоритма надежность ИС будет не ниже, чем в партиях, имеющих плановый процент выхода годных, были проведены стандартные испытания на надежность, результаты которого приведены в таблице.

Из анализа таблицы можно сделать следующие выводы: надежность партий, имеющих пониженный процент выхода годных ниже, чем контрольной (наблюдается большее количество отказов), затем при применении заявляемого способа выравнивания надежности последняя становится такой же, как у контрольной партии.

Таблица
Номер партииКоличество отказов ИС при испытаниях на надежность (при температуре +125° С в после ч.)
50010001500
13 (текущая)11-
13 (после дополнительных испытаний)-- 1
22 (текущая)--2
22 (после дополнительных испытаний)- --
31 (текущая)-2 1
31 (после дополнительных испытаний) --1
33 (текущая)- 11
33 (после дополнительных испытаний) --1
Контрольная --1

ИСТОЧНИКИ ИНФОРМАЦИИ

1. А.с. СССР №1704194, Н 01 L 21/66, 1989.

2. Патент РФ №2168735 С2, G 01 R 31/26, 31/28, 1999.

3. Кривошеенко В.М., Мокаров Л.М., Пшеничная Л.А. Повышение выхода годных и качества БИС на основе методов статистической диагностики и оптимизации. Электронная промышленность. 1986. Вып.5. с.39-41.

4. Смирнов Н.И., Широков В.Б. Оценка безотказности интегральных микросхем. М.: Радио и связь. 1983.

Класс G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов

способ разделения интегральных схем "по надежности" -  патент 2529675 (27.09.2014)
способ измерения шума узлов мфпу -  патент 2521150 (27.06.2014)
способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением -  патент 2516609 (20.05.2014)
способ разделения полупроводниковых изделий по надежности -  патент 2515372 (10.05.2014)
способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности -  патент 2511633 (10.04.2014)
способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий -  патент 2511617 (10.04.2014)
устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на свч -  патент 2510035 (20.03.2014)
способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности -  патент 2507526 (20.02.2014)
способ разделения транзисторов по надежности -  патент 2507525 (20.02.2014)
способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе gan -  патент 2503024 (27.12.2013)

Класс G01R31/28 испытание электронных схем, например с помощью прибора для каскадной проверки прохождения сигнала

способ испытания на коррозионную стойкость интегральных схем -  патент 2527669 (10.09.2014)
способ и устройство для измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов -  патент 2523731 (20.07.2014)
способ определения теплового импеданса сверхбольших интегральных схем - микропроцессоров и микроконтроллеров -  патент 2521789 (10.07.2014)
способ контроля работоспособности многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков -  патент 2515738 (20.05.2014)
способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем -  патент 2504793 (20.01.2014)
способ испытаний полупроводниковых бис технологии кмоп/кнд на стойкость к эффектам единичных сбоев от воздействия тяжелых заряженных частиц космического пространства -  патент 2495446 (10.10.2013)
способ регулирования сопротивления твердотельных приборов и резистивная матрица памяти на основе полярнозависимого электромассопереноса в кремнии -  патент 2471264 (27.12.2012)
способ определения теплового импеданса кмоп цифровых интегральных микросхем -  патент 2463618 (10.10.2012)
устройство для измерения технических параметров аварийных радиомаяков/радиобуев -  патент 2453860 (20.06.2012)
способ разбраковки кмоп микросхем, изготовленных на кнд структурах, по радиационной стойкости -  патент 2444742 (10.03.2012)

Класс H01L21/66 испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

способ определения мольной доли li2o в монокристаллах linbo3 -  патент 2529668 (27.09.2014)
устройство для сортировки на группы по электрическим параметрам плоских хрупких изделий -  патент 2528117 (10.09.2014)
способ контроля качества алмазных пластин, предназначенных для изготовления детекторов ионизирующих излучений -  патент 2525636 (20.08.2014)
способ обнаружения скрытых дефектов матричных бис считывания -  патент 2523752 (20.07.2014)
термокамера для испытания электронных изделий -  патент 2523098 (20.07.2014)
способ контроля качества светодиодной структуры -  патент 2521119 (27.06.2014)
способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах "полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка" -  патент 2517200 (27.05.2014)
способ контроля дефектности эпитаксиальных слоев кремния на диэлектрических подложках -  патент 2515415 (10.05.2014)
способ увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей -  патент 2511007 (10.04.2014)
способ определения стойкости электронных компонентов и блоков радиоэлектронной аппаратуры к воздействию ионизирующих излучений -  патент 2504862 (20.01.2014)
Наверх