способ выделения интегральных схем повышенной надежности

Формула изобретения

Способ выделения интегральных схем повышенной надежности, включающий измерение критического напряжения питания до, после воздействия электростатическими разрядами и после термического отжига, отличающийся тем, что воздействие электростатическими разрядами (ЭСР) проводят по пять импульсов разной полярности и потенциалом, предельно допустимым по техническим условиям, после чего проводят температурный отжиг при максимально допустимой температуре кристалла в течение 4-8 ч, а отбор интегральных схем проводят по оценке значений критического напряжения питания, которые рассчитываются как

где Е_кр.н, E_кр.эср, E_кр.отж - значения критического напряжения питания до, после воздействия ЭСР и после отжига,

и в зависимости от критерия К0 определяют ИС повышенной надежности.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС), и может быть использовано для выделения из партии ИС повышенной надежности с высоким уровнем достоверности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Известны способы разбраковки ИС с использованием различных внешних воздействий (высокой температуры, электрических нагрузок и т.п.), основанные на нагреве, охлаждении объекта и последующем пропускании электрического тока с последующим измерением параметров [1-4]. Недостатком данных способов является невозможность выделения партий ИС, имеющих повышенную надежность с высоким уровнем достоверности и необходимых для ответственной аппаратуры, и, следовательно, не позволяется полностью заменить дорогостоящий процесс электротермотренировки в процессе производства ИС и на входном контроле, используемый для этой цели.

Наиболее близким способом является способ [5], где оценка качества и надежности производится методом критического напряжения питания (КНП). Методы КНП реализуются на серийном измерительном оборудовании с использованием источников питания, по виду распределения критического напряжения с учетом экспериментальных показателей выбирают величину напряжения питания Е_кр, при которой можно проводить разбраковку ИС на более или менее надежные, интуитивно считая, что чем меньше значение Е_кр у схемы, тем она более надежна, недостатком данного способа является то, что партия ИС, имеющая повышенную надежность, выделяется с низкой достоверностью.

Изобретение направлено на повышение достоверности этого способа и включает воздействие внешних факторов в виде пяти электростатических разрядов различной полярности потенциалом предельно-допустимым по техническим условиям на ИС и температурный отжиг в течение 4-8 часов при максимально-допустимой температуре перехода (кристалла) измерением величины КНП до и после воздействия ЭСР и отжига.

По относительной величине изменения КНП определяют потенциальную надежность ИС. В данном случае это удобно характеризовать отношением, которое вобрало в себя величины изменения КНП после воздействия ЭСР и величины восстановления значения КНП после отжига:

где Е_кр.н, Е_кр.эср, Е_кр.отж - значения критического напряжения питания до, после воздействия ЭСР и после отжига соответственно.

В зависимости от критерия К, устанавливаемого для каждого типа ИС экспериментально, можно не только выделить партию ИС повышенной надежности, но и разделить оставшуюся часть партии на две и более групп по надежности.

Пример

У партии ИС типа 106ЛБ1 (Е_пит=5±0,5 В), числом 8 штук, измерим КНП. На каждую ИС воздействовали пятью импульсами разной полярности ЭСР амплитудой 500 В. Снова измерим КНП у каждой схемы. Затем проведем отжиг при температуре 150°С в течение 5 ч. Результаты приведем в таблице.

№ прибора	Значения Eкр, В			К
	дО	после ЭСР	после отжига
1	3,9	4,01	3,94	0,57
2	3,85	3,95	3,89	0,67
3	3,87	3,93	3,88	0,2
4	3,88	3,92	3,89	0,33
5	3,92	4,02	3,95	0,43
6	3,88	3,94	3,88	0
7	3,94	3,95	3,94	0
8	3,89	3,90	3,87	-0,67

При использовании критерия К0 схемами повышенной надежности будут ИС №6, 7, 8. Установив второй критерий К0,4, можно считать, что ИС №3, 4 будут более надежными по сравнению со схемами №1, 2, 5.

Источники информации

1. Патент ФРГ №2833780, Н 01 L 21/66, опубл. 1980.

2. Патент США №4816753, G 01 Р 31/26, опубл. 1989.

3. Патент России №4900457/21, G 01 R 31/28; G 01 R 31/26, опубл. 1993.

4. Патент России №2143704, G 01 R 31/26, опубл. 1999.

5. РД 11 0682-89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля диагностических параметров.