способ обработки кремниевой оснастки

Формула изобретения

Способ обработки кремниевой оснастки, включающий обработку кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, отличающийся тем, что обработку проводят при соотношении компонентов фторида аммония (NH₄F), фтористоводородной кислоты (HF) и деионизованной воды (Н₂О) соответственно 18:2,5:1 при комнатной температуре, длительность составляет 20±10 мин, далее промывка в деионизованной воде 30±10 мин.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов.

Известны травители для обработки кремния, сущность использования которых состоит в удалении примесей и различных загрязнений [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и длительность процесса.

Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса обработок.

Технический результат достигается тем, что удаление загрязнений с кремниевых кассет и лодочек происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фторид аммоний - NH₄ F, фтористоводородная кислота - HF и деионизованная вода - Н ₂O в соотношении 18:2,5:1. Длительность обработки составляет 20±10 минут. После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.

Сущность способа заключается в том, что кремниевые кассеты и лодочки подвергаются обработке в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, температура раствора комнатная. Процесс удаления различных загрязнений и примесей считается законченным в том случае, когда цвет индикаторной бумаги не изменяется. Обработку проводят при длительности процесса 20±10 минут.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH₄F:HF:H₂O

19,5:2,8:1

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 30±10 минут.

После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH₄ F:HF:Н₂O

19:2,5:1

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 25±10 минут.

После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH₄F:HF:H₂O

18:2,5:1

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 20±10 минут.

После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

Способ согласно изобретению, см. пример 3, обеспечивает полное удаление окислов и различных загрязнений с кремниевой оснастки после высокотемпературных операций, уменьшение длительности и качества обработки кремниевой оснастки.

Литература

1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980. - 86-88 с.