Изготовление или обработка устройств или систем, выполненных внутри общей подложки или на ней – B81C 1/00

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых микроэлектромеханических устройств, а именно малогабаритных датчиков физических величин. Изобретение обеспечивает увеличение количества годных микроэлектромеханических структур за счет совершенствования способа электростатической анодной посадки. В способе изготовления микроэлектромеханических структур путем анодного соединения (анодной сварки) двухслойной структуры из пластины кремния с предварительно очищенной стеклянной подложкой при нагревании их в вакууме и приложении напряжения, предварительно пластину из кремния разделяют на кристаллы, формируют пары структур кремний - стекло, размещают их в кассету вертикально, прижимая друг к другу, кассету помещают в графитовый нагреватель и нагревают их при температуре от 370°С до 400°С, после чего подают анодное напряжение на стекло в интервале от 200 до 500 вольт для формирования слоя объемного заряда в стекле, прилегающем к поверхности кремния. В устройстве для изготовления микроэлектромеханических структур графитовый столик выполняют с боковыми стенками, в которых, как и в основании графитового столика, установлено не менее двух нагревательных элементов в каждом, на торцах двух противоположных стенок установлены токовводы для подачи анодного напряжения, на основании столика расположена кассета, в которой размещены пары структур кремний - стекло. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к микросистемной технике и может быть использовано при изготовлении микроэлектромеханических реле. Способ изготовления микроэлектромеханических реле включает последовательное формирование на подложке контактной металлизации, состоящей из управляющего электрода, двух нижних коммутируемых контактов, расположенных с двух сторон от управляющего электрода на определенном расстоянии, «жертвенного» слоя, верхнего подвижного контакта, расположенного над управляющим электродом и нижними коммутируемыми контактами, опор для подвеса подвижного верхнего контакта. «Жертвенный» слой формируют из не менее трех «жертвенных» подслоев в несколько стадий с использованием двух позитивных фоторезистов с различной величиной вязкости, формируют отверстия для нижних коммутируемых контактов и опор для подвеса подвижного верхнего контакта методом фотолитографии, на конечной стадии проводится термообработка «жертвенного» слоя. Техническим результатом заявленного изобретения является получение высокого уровня планарности «жертвенного» слоя, что повышает воспроизводимость технологического процесса изготовления микроэлектромеханических реле. 4 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области космического приборостроения и микроэлектроники и может быть использовано для систем защиты информационно-телекоммуникационной аппаратуры ИТА беспилотных малых космических аппаратов от высоких стартовых перегрузок на заданных пороговых значениях. Изобретение обеспечивает повышение технологичности, снижение трудоемкости способа получения групп микроэлектромеханических ключей, повышение надежности срабатывания при достижении пороговых величин ускорений при электромагнитоэлектрическом старте беспилотных малых космических аппаратов. В способе получения микроэлектромеханического ключа, являющегося основой системы защиты информационно-телекоммуникационной аппаратуры космических аппаратов при электромагнитном старте с перегрузками от нескольких тысяч до десятков тысяч единиц ускорений свободного падения тела, формируют чувствительный блок, состоящий из балки и опор, примыкающий при воздействии ускорения к подложке с помощью контактных элементов, формируя при этом сигнал, указывающий на порог величины ускорения, по которому судят о перегрузке аппаратуры, формируют травлением через маску на плоской полупроводниковой подложке проводящие дорожки и контактные площадки из системы металлов ванадий-алюминий, а чувствительный блок получают с помощью двухслойной системы металлов железо-никель, которые осаждают друг на друга в едином технологическом цикле термического испарения в вакууме, которые затем травят через маску в водном растворе соляной кислоты до получения заданной формы чувствительного блока в одном технологическом цикле. 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области часовой промышленности, а именно к системе шестерен, которая включает в себя крепежное устройство, предотвращающее возникновение напряжения сдвига, что обеспечивается за счет того, что система шестерен включает в себя шестерню и зубчатое колесо, соосно установленные относительно поворотной оси, и крепежное устройство между вышеуказанной шестерней и вышеуказанным колесом для предотвращения относительного перемещения одного из них относительно другого. При этом согласно изобретению крепежное устройство включает в себя фасонное углубление, форма которого, по меньшей мере, частично согласуется с сечением вышеуказанной секции и которое выполнено на ступице вышеуказанного колеса для крепления вышеуказанной шестерни и колеса при вращении. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение может быть использовано области интегральной и нелинейной оптики. Способ создания планарного волновода оксида цинка на ниобате лития включает приготовление пленкообразующего раствора с последующим выдерживанием его в течение 1 суток при комнатной температуре, нанесение раствора на полированный ниобат лития, сушку, отжиг, постепенное охлаждение в условиях естественного остывания муфельной печи. Ниобат лития предварительно очищают 96% раствором этилового спирта. Сушку ниобата лития с нанесенным пленкообразующим раствором осуществляют при температуре 60°С в течение 1 часа, с последующим отжигом при 400°С в атмосфере воздуха со скоростью нагрева 14°С/мин 1 час и при температуре 870-1050°С со скоростью нагрева 35°С/мин от 2 до 5 часов, при следующем соотношении компонентов пленкообразующего раствора, мас.%: кристаллогидрат нитрата цинка - от 5,2 до 9,9%; салициловая кислота - от 4,6 до 4,8%; 96% раствор этилового спирта - остальное. Изобретение позволяет снизить трудоемкость и энергоемкость процесса получения стойкого к излучению в зеленой области спектра планарного волновода со значениями максимального приращения показателя преломления 0,003-0,005. 1 ил., 2 табл., 3 пр.

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к средствам измерения линейных ускорений, угловых скоростей и тепловых полей малой интенсивности в инфракрасной и терагерцовой области. Сущность способа изготовления наноэлектромеханического преобразователя на основе поверхностной микромеханической технологии для кремниевого или сапфирового основания, заключается в том, что предварительно создают соответствующую планарную интегральную схему, для чего сначала формируют контактные площадки на обратной стороне основания, затем создают первый проводниковый слой, после чего осуществляют формирование контура чувствительного элемента преобразователя и удаляют жертвенный слой, а завершают способ корпусировкой преобразователя и формированием вискеров. Кроме того, при корпусировке преобразователя в замкнутом объеме корпуса создают газовую среду с заданными параметрами, а формирование вискера осуществляют за счет подачи на электроды импульсов заданной формы. В качестве заданных параметров среды используют, например, давление и/или точку росы. На электроды подают импульсы в форме полупериода синусоиды заданной амплитуды и частоты. Технический результат заключается в унификации различных типов датчиков с автоэлектронной эмиссией и уменьшении типоразмеров различных датчиков. 3 з.п. ф-лы, 12 ил.

Группа изобретений относится к области гальванотехники и может быть использована в различных способах обработки, в частности, для штамповки, литья, печати. Форма для формирования структуры глаза мотылька на поверхности содержит основу из стекла или пластмассы, неорганический подслой, буферный слой, содержащий алюминий, алюминиевый слой и пористый слой оксида алюминия, имеющий на поверхности перевернутую структуру глаза мотылька со множеством углублений, размер которых в двух измерениях, видимый в направлении нормали к поверхности, составляет не менее 10 нм и менее 500 нм. Способ содержит стадии: (а) предусматривают основу формы из стекла или пластмассы, неорганический подслой, буферный слой, содержащий алюминий, и алюминиевый слой, (b) частично анодируют алюминиевый слой для формирования пористого слоя оксида алюминия с множеством углублений, (с) подвергают пористый слой оксида алюминия травлению, увеличивая в размере углубления пористого слоя, и (d) анодируют пористый слой оксида алюминия для роста углублений. Технический результат: повышение адгезии между алюминиевым слоем и основой. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 2 табл., 4 пр., 7 ил.

Группа изобретений относится к пресс-формам, предназначенным для получения антиотражающей структуры на изделии. Пресс-форма содержит гибкую полимерную пленку, расположенный на ней слой отверждаемой смолы и слой пористого оксида алюминия на слое отверждаемой смолы. Слой пористого оксида алюминия имеет обращенную рельефную структуру своей поверхности. Упомянутая структура имеет множество углублений. Размер углублений по двум осям, если смотреть в перпендикулярном направлении к поверхности, составляет не меньше 10 нм и меньше 500 нм. Гибкая пресс-форма может быть установлена на внешней поверхности основы в форме ролика. С помощью пресс-формы в форме ролика формируют антиотражающую структуру на поляризационной пластине. Для этого пластину перемещают относительно пресс-формы. При этом перед формированием структуры обеспечивают расположение поляризационной оси пластины параллельно периметру ролика, имеющему длину, которая равна 2 r, где r - радиус ролика. В результате обеспечивается упрощение изготовления гибкой пресс-формы. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 18 ил., 1 табл.

Изобретение относится к вакуумной технике и представляет собой способ получения газопоглощающей структуры для поддержания вакуума в различных приборах, в том числе микроэлектромеханических системах. Газопоглощающая структура представляет собой слой активного металла либо сплава с развитой поверхностью, соединенный с несущей подложкой, обеспечивающей механическую прочность газопоглотителя и возможность его монтажа в различные устройства. Технический результат - повышение эффективности поверхности и сорбционной емкости. 8 ил.

Изобретение относится к способу изготовления составного микромеханического компонента, сочетающему процессы глубокого реактивного ионного травления и литографии, гальванопластики и формования. Сущность изобретения: способ изготовления составного микромеханического компонента из кремния и металла включает следующие этапы: подготовку подложки, включающей верхний и нижний слои кремния, между которыми проходит промежуточный слой оксида кремния, избирательное травление по меньшей мере одной полости в верхнем слое для ограничения рисунка кремниевой части этого компонента, продолжение травления этой по меньшей мере одной полости в промежуточном слое, при этом в способе дополнительно выращивают металлический слой по меньшей мере от одного участка указанной по меньшей мере одной полости с целью создания металлической части в толще компонента для изоляции кремниевой части микромеханического компонента от разрушающих механических напряжений и отделяют составной микромеханический компонент от подложки. Изобретение обеспечивает получение составных микромеханических компонентов, приспособленных для изготовления часов. 3 н. и 29 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области микросистемной техники и может быть использовано при создании и изготовлении микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы, обеспечивающие преобразование «электрический сигнал - перемещение» и/или «изменение температуры - перемещение» для микроробототехнических систем. Изобретение направлено на расширение диапазона температур, повышение технологичности и надежности, что обеспечивается за счет того, что тепловой микромеханический актюатор включает кремниевую монокристаллическую пластину с ориентацией [100] с меза-структурой, состоящей из параллельных трапециевидных вставок, соединенных полиимидными прослойками, образованными полиимидной пленкой, нагревателя и металлизации нагревателя. При этом, согласно изобретению, полиимидная пленка выполнена из слоя полипиромеллитимида, прилегающего к параллельным трапециевидным вставкам, армированного углеродными нанотрубками с функциональными карбоксильными группами и концентрацией не более 11×10 ^-3 г/см³, и неармированного внешнего слоя полипиромеллитимида. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 табл., 8 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано, например, в микрогирометрах, микроакселерометрах, микродатчиках давления. Изобретение направлено на повышение надежности, что обеспечивается за счет использования в защитном корпусе электромеханической микросистемы промежуточного транслятора проводки. Причем, защитный корпус образован стенкой, изготовленной из электроизоляционного материала и формирующей закрытую камеру. Упомянутая стенка имеет внутреннюю поверхность, ориентированную внутрь камеры, и наружную поверхность, находящуюся в контакте с внешней средой. Внутренние электрические контакты, располагающиеся на внутренних поверхностях, и наружные электрические контакты, располагающиеся на наружных поверхностях, попарно электрически связаны между собой. Первая поверхность плоской электромеханической микросистемы закреплена на внутренней стенке корпуса, а вторая содержит электрические контакты этой микросистемы. Первый конец проволочного соединения, изготовленного из электропроводного материала, закрепляется на электрическом контакте микросистемы. Промежуточный транслятор изготавливается из электроизоляционного материала, закрепляется, по меньшей мере, на одной внутренней стенке и содержит дорожки, изготовленные из электропроводного материала, причем одна такая электропроводная дорожка электрически связана, по меньшей мере, с одним внутренним электрическим контактом и с одним вторым концом проволочного соединения. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления. В предлагаемом способе стабилизации нано- и микроэлектромеханической системы тонкопленочного тензорезисторного датчика давления разогрев тензорезисторов импульсным электрическим током проводят после герметизации внутренней полости чувствительного элемента датчика при одновременном воздействии на его приемную полость максимально допустимого измеряемого давления и минимально допустимой пониженной температуры при эксплуатации, а также максимально допустимого измеряемого давления и максимально допустимой повышенной температуры при эксплуатации. Термостабилизацию проводят при температуре, превышающей в 1,05 раза максимально допустимую повышенную температуру при эксплуатации. Измерения начальных выходных сигналов при термостабилизации проводят при повышенном напряжении питания. Контроль скорости изменения начального выходного сигнала осуществляют по соотношениям скорости изменения приведенных значений начальных выходных сигналов при последнем и предпоследнем измерении начального выходного сигнала при термостабилизации, соответственно. Технический результат - повышение стабильности начального и номинального выходного сигнала тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления и выявление скрытых дефектов тензорезисторов на ранних стадиях изготовления.

Изобретение относится к области электротехники и нанотехнологии, в частности к производству материалов электронной техники и квантовой электроники, использующих технологию локализованного нанесения металлических слоев, либо наноструктур на поверхности различных типов для создания элементов и устройств. Технический результат - создание способа лазерного осаждения наночастиц из коллоидных растворов, получение одно-двухкомпонентных коллоидных растворов и наноструктурированных осаждений на различные подложки (диэлектрические, проводящие, керамические и т.д.) при помощи лазерного излучения. Способ лазерного осаждения наночастиц из растворов на подложку заключается в ее помещении в раствор или нанесении раствора на ее поверхность. При этом осаждение проводят из коллоидного раствора, состоящего из жидкой, вязкой фазы (глицерина) и металлических наночастиц (например, Ni, Сu, Ti) и/или их оксидов (NiO, CuO, ТiO₂), мощность лазерного излучения варьируют в диапазоне от пороговой мощности, составляющей 1-1,5 Вт, до 4 Вт, фокусируют лазерное излучение со стороны раствора на границу раздела подложка-раствор и сканируют излучением по вышеуказанной поверхности с различной скоростью. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение может быть использовано для получения фотонно-кристаллических материалов из наночастиц кремнезема. Из полученной методом гидролиза тетраэтоксисилана спиртовой суспензии монодисперсных сферических частиц кремнезема седиментацией или центрифугированием осаждают монодисперсные сферические частицы кремнезема и затем удаляют спиртовую среду. Осадок монодисперсных сферических частиц кремнезема диспергируют в диметилсульфоксиде в объемном соотношении 1:1. Полученную вторичную суспензию с введенным в нее изопропиловым спиртом в количестве 0,25-0,5 от объема суспензии наносят на поверхность твердой подложки в виде пленки. Изобретение позволяет получать фотонно-кристаллические опаловые пленки высокого качества. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения кремниевой микроканальной мембраны в монолитном обрамлении анодное травление пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямками на поверхности в растворе электролитов, содержащем ионы водорода и фтора, прерывают электрополировкой и последующим удалением жертвенной микроканальной мембраны, после чего возобновляют анодное травление. Повышаются коэффициент прозрачности и механическая прочность мембран, улучшаются эксплуатационные характеристики, и расширяется номенклатура изделий. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Способ относится к технологии микроструктурных устройств и полупроводниковых приборов и может быть использован для формирования мембран при изготовлении многоэлементных микромеханических преобразователей. Сущность изобретения: в способе формирования висящих конструкций на подложку осаждают жертвенный слой аморфного кремния 0,3-1,2 мкм и функциональные слои. Затем литографически формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев размером от 40 мкм × 40 мкм до 100 мкм × 100 мкм. Газофазным травлением удаляют жертвенный слой в атмосфере, содержащей галогенид инертного газа. Травление проводят при низком общем давлении, начиная со значения (0,007 Торр), соответствующего минимальному, препятствующему разогреву и деформации формируемой висящей конструкции, с постепенным увеличением парциального давления галогенида инертного газа до верхнего предельного значения (0,4 Торр), обеспечивающего поддержание постоянной скорости травления и отсутствие диффузионных ограничений. В качестве галогенида инертного газа используют дифторид ксенона - порошкообразный реагент. Травление ведут при механическом перемешивании реагента, смешанного с твердыми, более массивными, чем дифторид ксенона, частицами из инертного материала. Способ обеспечивает за счет снижения скорости травления улучшение плоскостности висящих элементов, повышение воспроизводимости процесса травления и процента выхода годных изделий 8 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области микро- и нанотехнологий обработки материалов с применением лазерного излучения. Техническим результатом изобретения является разработка производительного, экологически чистого, высокотехнологичного способа получения микроструктур с плоским дном как ячеистого, так и канального типа. Сущность изобретения: в способе получения микроструктур при воздействии излучения лазера на граничащую с газом поверхность материала с последующим охлаждением путем теплоотвода выбирают материал поглощающий в средней ИК области спектра и с низким коэффициентом температурного расширения, у которого _ж= _т, где _ж - плотность материала в жидкофазном состоянии при температуре плавления; _т - плотность материала в твердофазном состоянии при температуре плавления; выбирают размер зоны воздействия не больше величины, определяемой из условия: Во=1/3, где Во - число Бонда, воздействие осуществляют излучением непрерывного или квазинепрерывного лазера среднего ИК диапазона, плотность мощности излучения и время воздействия излучения выбирают исходя из условия >Т₀, где - время затвердевания сформированного в результате воздействия расплава, Т₀ - время формирования под действием сил поверхностного натяжения квазиравновесной границы раздела расплав - газ. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Сущность: датчик содержит, по меньшей мере, один фиксированный электрод (3) и, по меньшей мере, один подвижный электрод (6, 7), электрически изолированный и пространственно отделенный (10) от указанного электрода (3). Согласно изобретению часть подвижного электрода (6, 7) сформирована из пористого слоя (6) поликристаллического кремния, причем указанный слой в полностью собранном компоненте остается в качестве интегральной части указанного гибкого электрода (6, 7). Технический результат изобретения заключается в возможности компенсации температурного дрейфа и зависимости от влажности окружающей среды. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 8 ил.