Соединения вольфрама: .галогениды – C01G 41/04

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Способ основан на экстракционном извлечении WF ₆ из смеси (WF₆:HF) бензолом (С₆Н ₆). Процесс экстракции ведут при соотношении бензола к смеси гексафторида вольфрама и фтористого водорода от 7:1 до 2:1 при температуре от 300 до 303 К в течение 15 минут при механическом перемешивании. Далее смесь охлаждают до 278÷283 К и перемещают полученный раствор на делительное устройство. Процесс очистки ведется в жидкой фазе без использования твердых сорбентов. Изобретение позволяет разделить азеотропную смесь гексафторида вольфрама и фтористого водорода. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к синтезу летучих фторидов элементов IV-VIII групп Периодической системы, являющихся сырьем для получения нанодисперсных материалов. Способ включает подачу в зону фторирования фтора и дисперсного оксидного сырья с помощью шнека, смешение фтора и сырья и горение их в вертикальном корпусе с охлаждением, охлаждение газообразных продуктов фторирования, сепарацию газообразных и конденсированных продуктов фторирования. Оксидное сырье предварительно перемешивают, после чего формируют псевдоожиженный вертикальный поток сырья и осуществляют его дозированную подачу в зону фторирования. Корпус выполняют из монель-металла с воздушно-водяным охлаждением, при этом выдерживают соотношение Q₁>Q₂, где Q₂/Q₁ пропорционально 2/R, где Q₁ - тепло, выделяющееся при взаимодействии фтора с диспергированным сырьем в зоне фторирования, кДж/моль, Q₂ - теплопотери при охлаждении корпуса, кДж/моль, R - внутренний радиус корпуса, м. Температуру внутренней стенки корпуса выбирают так, чтобы распределение температуры в зоне фторирования было более однородным. В изобретении предложено также устройство, в котором осуществляют способ. Обеспечивается повышение выхода целевого продукта - летучих фторидов и снижение количества отходов путем оптимизации протекания процесса фторирования, снижение отложений промежуточных продуктов процесса на стенки реактора, оптимизация подачи сырья в реактор. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл., 3 пр.

Изобретение может быть использовано для получения гексафторида вольфрама высокой чистоты, используемого в микроэлектронике, при синтезе теллуритных стекол. Способ очистки гексафторида вольфрама включает дистилляцию с последующей фильтрацией потока газообразного продукта через фторопластовый волокнистый фильтр. Дистилляцию гексафторида вольфрама проводят при скорости испарения не более 5·10^-4 г/(см² ·с), а фильтрацию - при прохождении потока газообразного гексафторида вольфрама через фильтр с линейной скоростью 0,3-1 см/с. Изобретение позволяет повысить чистоту гексафторида вольфрама по примесям металлов. 2 табл.

Изобретение относится к технологии получения легколетучих высших фторидов тугоплавких металлов VI группы Периодической таблицы Д.И.Менделеева, используемых для получения металла в виде покрытий, порошков и компактных изделий методом газофторидной металлургии при восстановлении соответствующих гексафторидов водородом в газовой фазе или на металлических подложках. Способ получения гексафторида вольфрама включает обработку порошка вольфрама водородом при температуре 500-700°С, фторирование техническим фтором с избытком фтора 10-15% от стехиометрии при начальной температуре 200-300°С. Избыток фтора поглощают на свежей порции вольфрамового сырья в реакторе доулавливания при 100-150°С. Затем сконденсированный гексафторид вольфрама выдерживают в баллонах-конденсаторах при температуре (-25)-(-30)°С в течение часа под разрежением 2-3 кПа. Результат изобретения: упрощение технологической схемы и повышения качества готового продукта, 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к способам получения гексафторида вольфрама из металлического вольфрама и может быть использовано во фторидной металлургии вольфрама. Способ получения гексафторида вольфрама включает фторирование металлического вольфрама газовой смесью фтора с гексафторидом вольфрама при ее рециркуляции. Фторирование вольфрама осуществляют при давлении ниже атмосферного, при содержании фтора в смеси не менее 50 об.%, при степени использования фтора за один проход через реакционную зону не более 40%. Образовавшуюся газовую смесь дополнительно подвергают дофторированию при температуре 525-775 К в присутствии катализатора. Катализатор выбирают из ряда: никель, железо, их фториды, фториды щелочных и щелочноземельных металлов. Результат изобретения: повышение качества гексафторида вольфрама, повышение безопасности процесса. 1 ил.

Изобретение относится к способам очистки гексафторида вольфрама с целью получения гексафторида вольфрама, пригодного по чистоте для применения его в микроэлектронике и материаловедении, когда предельно допустимое содержание примесей регламентируется величинами менее 10^-2%. Способ очистки гексафторида вольфрама включает ректификацию гексафторида вольфрама, в процессе которой отбирают сначала низкокипящую фракцию, а затем - товарный гексафторид вольфрама в виде промежуточной фракции. Низкокипящую и оставшуюся высококипящую фракции подвергают сорбционной очистке и возвращают на ректификацию. Ректификацию проводят при давлении 1,2-4,0 атм. Сорбционную очистку низкокипящей и высококипящей фракций осуществляют на фторидах бария и/или лития при температуре 20-40°С. Результат изобретения: разработка способа очистки гексафторида вольфрама от примесей, обеспечивающего высокую степень чистоты продукта и его высокий выход. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.