Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие: ....с помощью разряда переменного тока, например высокочастотного разряда – C23C 14/40

Изобретение относится к плазменной технологии, а именно к способам получения ферромагнитных пленок из нанокластеров силицидов на поверхности кремниевой подложки методом локализованного газового разряда Ar и может быть использовано при получении базовых элементов спинтроники. Технический результат - увеличение скорости напыления, многофункциональность и экономичность способа. Способ включает плазмохимический синтез самоорганизованных нанокластеров силицидов переходных ферромагнитных металлов путем импульсного формирования встречных потоков возбужденных атомов переходного ферромагнитного металла и кремния на характеристических расстояниях, определяемых длиной свободного пробега реагирующих атомов и плазмы Ar с последующим их осаждением на кремниевую подложку. Осаждение проводят при давлении в газоразрядной камере Р=0,15 атм, падении напряжения на разряде 120 В и времени осаждения 20 сек. 9 ил.

Изобретение относится к способу вакуумно-дугового нанесения покрытий и может быть использовано для получения газопоглотительных покрытий. Способ включает формирование потока металлической плазмы из катодных пятен вакуумно-дугового разряда. Нанесение покрытий проводят при постоянной начальной температуре катода для каждой последующей обрабатываемой партии деталей. Для этого периодически изменяют диаметр канавки, расположенной в теле катода со стороны системы охлаждения, в соответствии с выражением ,

где D₁ - диаметр канавки, м; D_K - диаметр катода, м; µ - коэффициент электропереноса, кг/Кл; I_разр - величина разрядного тока, А; - плотность материала катода, кг/м³; S _K - площадь торцевой (рабочей) поверхности катода, м ²; L₁ - ширина канавки, м; t - полное время наработки катода, затраченное на все предыдущие партии обрабатываемых деталей, с. В результате получают плазменный поток с постоянным составом генерируемой капельной фазы, обеспечивающий воспроизводимость результатов свойств, формируемых покрытий, и повышение качества покрытия. Кроме этого метод перспективен при получении антиэмиссионных покрытий на сеточных электродах мощных генераторных ламп. 1 ил.

Изобретение относится к способу очистки поверхности материала с покрытием из органического вещества. В обрабатывающую камеру (2) вводят материал (4). Внутри камеры (2) давление составляет от 10 мбар до 1 бар. В камеру (2) подают газовый поток с содержанием кислорода не менее 90 об.%. Получают плазму пропусканием электрического разряда между поверхностью материала и электродом (5а, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f, 5g) с диэлектрическим покрытием для разложения органического вещества под действием образующихся при этом свободных радикалов О*. Установка состоит по меньшей мере из одного модуля. Модуль содержит обрабатывающую камеру (2), средства регулирования давления внутри камеры в диапазоне 10 мбар - 1 бар, средства (3) перемещения в камере ленты (4), подключенной к корпусу, серию электродов (5а, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f, 5g) с диэлектрическим покрытием, расположенных напротив обрабатываемой ленты (4) и подключенных к генератору (6) синусоидального высокого напряжения, средства подачи газа в камеру (2) и средства отвода из камеры газов, образующихся при разложении покрывающего ленту (4) органического вещества. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к установке для нанесения защитных покрытий и может найти применение для получения защитных покрытий на изделиях авиационной техники. Для повышения качества покрытий за счет устранения их остаточной пористости и расширения технологических возможностей установки при сохранении высокой повторяемости параметров наносимых покрытий ускоритель ионов (34) с ионно-оптической системой (ИОС) размещен через переходной фланец (37) горизонтально на оси патрубка (35). Патрубок 35 герметично соединен с корпусом вакуумной камеры (1). Неподвижная заслонка (36) установлена на экране катода (7) и выполнена в виде пластины с размерами, достаточными для снижения до нуля угла обзора ИОС ускорителя катодными пятнами вакуумной дуги. Магнитная катушка (4) выполнена в виде двух секций, коаксиально охватывающих корпус вакуумной камеры (1) выше и ниже патрубка (3). Охлаждаемый анод (3) выполнен в виде кольца, закрепленного на крышке (25) вакуумной камеры (1) посредством подводящих ток и охлаждающую воду штуцеров через соосные отверстия, выполненные в кольцевом электроизолированном электроде (21) и в крышке (25) вакуумной камеры. Анод (3) расположен выше зоны обработки покрываемых изделий. Газовая система (30) содержит отдельные каналы для подачи рабочего газа в газоразрядный источник, ускоритель ионов и в вакуумную камеру. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способу ремонта поверхностных дефектов деталей машин, и может найти применение при ремонте деталей машин из высоколегированных жаропрочных сталей и сплавов, имеющих эксплуатационные дефекты: забоины, раковины, локальные износы трущихся поверхностей. Разделанные дефектные места заполняют расплавленным порошковым материалом, состоящим из припоя и наполнителя, путем напыления аргоновой микроплазмой. Герметизируют нанесенный материал напылением жаростойким материалом ВКНА толщиной 0,2-0,3 мм с температурой на 100°С выше температуры плавления наполнителя. Напыляют окись алюминия толщиной 0,1-0,2 мм в качестве барьерного слоя, исключающего облуживание припоем поверхности ремонтируемой детали. После этого осуществляют высокотемпературную пайку как в вакууме, так и в среде защитного газа и механообработку. Способ позволяет получать качественные паяные соединения без изменений формы нанесенного материала во всех пространственных положениях детали при ремонте с пористостью в паяных соединениях, не превышающей 1,5%. 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области нанесения декоративных покрытий на изделия из стекла, керамики, фарфора и т.п. в массовом производстве товаров народного потребления. Реактор содержит вакуумную камеру с электродом и нагревателем внутри нее и ВЧ-генератор, электрически соединенный с указанным электродом. В дне вакуумной камеры выполнен полый выступ, внутри которого расположен нагреватель. Электрод выполнен в виде полки, окружающей кольцом указанный выступ. В результате такого выполнения реактора достигается упрощение конструкции электродной системы плазмохимического реактора и повышение его к.п.д. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.