Выращивание монокристаллов зонной плавкой, очистка зонной плавкой: .зонная плавка с растворителем, например способом перемещающегося растворителя – C30B 13/02
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 13/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой
C30B 13/02 .зонная плавка с растворителем, например способом перемещающегося растворителя
Патенты в данной категории
СПОСОБ БЕЗТИГЕЛЬНОГО ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ YBa2Cu3O 7-
Изобретение относится к металлургии высокотемпературных сверхпроводников. Целью изобретения является увеличение линейных размеров монокристаллов и повышение процента их выхода. Изобретение сводится к тому, что используется безтигельный способ получения монокристаллов YBa2Cu3O7- с применением диффузионных пар состава: смесь Y2BaCuO5+Ba3Cu5O8- - смесь Y2BaCuO5+xBa3Cu5O8- , где x  1,0-1,3, при этом происходит непосредственный прямой синтез сверхпроводящего соединения из жидкой фазы L и твердого Y2BaCuO5 по суммарной перетектической реакции Y2BaCuO5+L_ YBa2Cu3O7-. 3 ил., 1 табл.
|
2038430 патент выдан: опубликован: 27.06.1995 |
|