Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти, элементы памяти для них: ..в которых эффект памяти основан на спин-эффекте – G11C 11/16

Изобретение относится к схемам матриц ячеек памяти MRAM (Magnetic Random Access Memory) с передачей спинового значения. Технический результат заключается в увеличении плотности размещения отдельных транзисторных структур технологии МОП и запоминающих ячеек матрицы, а также повышении стойкости к нестационарным переходным процессам от воздействия ионизирующих излучений. Устройство матричного типа содержит множество устройств на магнитных туннельных переходах («MTJ») с передачей спинового вращения, организованных в матрицу запоминающих ячеек; устройство организации записи/чтения информации для конкретного устройства «MTJ», соединенное с соответствующими устройствами «MTJ» для изменения полярности намагниченности свободного слоя каждого устройства «MTJ», блок усилителя чтения данных на выходе матрицы запоминающих ячеек, выполненный с возможностью обнаруживать уровень сигнала и формировать двоичный выходной сигнал на основе сравнения уровня сигнала в разряде матрицы запоминающих ячеек в компараторе. При формировании топологии устройство «MTJ» выполнено в виде эллипса с осью легкого намагничивания, направленной по его большой оси. 11 з.п. ф-лы, 37 ил., 11 табл.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности и помехоустойчивости электроприводов с цифровым управлением за счет повышения достоверности функционирования устройств, содержащих ячейки памяти. Резервированный регистр, содержащий ячейки памяти информационных сигналов Ra, с которых по сигналам с шины управления данные поступают в блок коррекции, причем в регистр введены ячейки памяти контрольных сигналов Rx и блоки исправления ошибок, входы которых соединены с блоком коррекции и с элементами ячеек памяти Rx, Ra, при этом выходы блоков исправления ошибок контрольной части X'(x ₁', x₂', x₃') и информационной части A'(a₁' a_m') соединены с элементами ячеек памяти Rx, Ra соответственно и являются выходами регистра. 6 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении стабильности записи и уменьшении размеров ячейки битов в STT-MRAM. Магниторезистивное оперативное запоминающее устройство с переносом спинового момента (STT-MRAM), имеющее линии истока, причем каждая линия истока по существу расположена параллельно словарной шине, соединенной с первым рядом ячеек битов, при этом каждая линия истока расположена, по существу, перпендикулярно линиям битов, соединенным с первым рядом ячеек битов, причем устройство STT-MRAM содержит: средство для установления низкого напряжения в линии битов выбранной ячейки бита во время операции записи; средство для установления высокого напряжения в линиях битов невыбранных ячеек битов во время операции записи; селектор линий истока, соединенный со множеством линий выбора, каждая из линий выбора соединена с одной из множества линий истока, и выполненный с возможностью активировать линию выбора, и активированная линия выбора активирует линию истока; задающий модуль линии истока, соединенный с каждой из множества линий истока и выполненный с возможностью устанавливать высокое напряжение на активированной линии истока во время операции записи. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 18 ил.

Изобретение относится к битовым ячейкам магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (STT-MRAM). Технический результат - уменьшение площади полупроводниковой подложки, занимаемой ячейкой STT-MRAM. Данные битовые ячейки включают линию истока, сформированную в первой плоскости, и битовую шину, сформированную во второй плоскости. Битовая шина имеет продольную ось, параллельную продольной оси данной линии истока, и линия истока накладывается на по меньшей мере участок битовой шины. 3 н. и 20 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода. Техническим результатом является создание памяти с большой плотностью без увеличения контурной области каждой из ячеек MTJ. Магниторезистивная оперативная память с произвольным доступом (MRAM) содержит: матрицу ячеек магнитного туннельного перехода (MTJ), причем каждая из ячеек MTJ содержит множество боковых стенок, причем каждая из множества боковых стенок содержит свободный слой для проведения соответствующего независимого магнитного домена, выполненного с возможностью хранения цифрового значения; и нижнюю стенку, соединенную с каждой из множества боковых стенок, причем данная нижняя стенка проходит по существу параллельно к поверхности подложки, причем данная нижняя стенка содержит свободный слой. 3 н. и 21 з.п. ф-лы, 31 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении плотности информации в запоминающем устройстве без увеличения площади схемы каждой из MTJ-ячеек. Способ изготовления устройства на магнитных туннельных переходах, который включает в себя формирование канавки в подложке, осаждение проводящего контактного вывода внутри канавки и осаждение структуры с магнитными туннельными переходами (MTJ) внутри канавки. MTJ-структура включает в себя фиксированный магнитный слой, имеющий фиксированную магнитную ориентацию, слой туннельного перехода и свободный магнитный слой, имеющий конфигурируемую магнитную ориентацию. Фиксированный магнитный слой соединен с проводящим контактным выводом вдоль поверхности раздела, которая идет практически по нормали к поверхности подложки. Свободный магнитный слой, который является смежным с проводящим контактным выводом, переносит магнитный домен, выполненный с возможностью сохранять цифровое значение. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 43 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении области (площади) устройства, увеличении матричной плотности и упрощении маршрутизации линии истока за счет уменьшения числа линий истока. Устройство памяти содержит первую колонку ячеек памяти включающую в себя первую ячейку памяти; вторую колонку ячеек памяти, включающую в себя вторую ячейку памяти; первую битовую линию, связанную с первой колонкой ячеек памяти; вторую битовую линию, связанную со второй колонкой ячеек памяти; и линию истока, совместно используемую первой колонкой ячеек памяти и второй колонкой ячеек памяти, причем в течение чтения первой ячейки памяти первая битовая линия несет первое напряжение, вторая битовая линия несет второе напряжение, и линия истока несет третье напряжение, причем второе напряжение и третье напряжение являются по существу одинаковыми. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП). Технический результат - повышение пределов рабочих режимов считывания и записи в устройстве STT-MRAM и снижение тока записи, требуемого для хранения значений данных в устройстве STT-MRAM. Устройство включает в себя тракт (102) считывания, соединенный со структурой МТП, и тракт (104) записи, соединенный со структурой МТП. Тракт (104) записи отделен от тракта (102) считывания. Устройство также включает в себя пару последовательно соединенных структур (106, 108) МТП, вследствие чего тракт (102) считывания содержит только одну из структур (108) МТП. 4 н. и 17 з.п. ф-лы, 20 ил.

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента. Техническим результатом является уменьшение времени отклика (считывания/записи). Раскрыты системы, схемы и способы для определения напряжений считывания и записи для заданного транзистора числовой шины в магниторезистивной RAM с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM). Для операций записи может быть подано первое напряжение так, чтобы операции записи происходили в области насыщения транзистора числовой шины. Для операций считывания может быть подано второе напряжение, меньшее, чем первое напряжение, так чтобы операции считывания происходили в линейной области транзистора числовой шины. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 15 ил.

Раскрыты системы, схемы и способы для программно-управляемой логической схемы, использующей технологию магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращения (STT-MRAM). Запоминающие элементы на магнитном туннельном переходе могут быть сформированы в матрицы ввода и матрицы вывода. Матрицы ввода и матрицы вывода могут быть соединены вместе для формирования сложных матриц, которые обеспечивают возможность реализации логических функций. Технический результат - расширение функциональных возможностей. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 7 ил., 3 табл.

Изобретение относится к оперативной памяти. Техническим результатом является управление уровнем сигнала транзистора WL для операций считывания и записи. Раскрыты системы, схемы и способы управления напряжением словарной шины в транзисторе словарной шины в магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM). Первое напряжение может подаваться на транзистор словарной шины для операций записи. Второе напряжение, которое меньше первого напряжения, может подаваться на транзистор словарной шины во время операций считывания. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам. Элемент датчика содержит магнитный материал, который выполнен в виде наномагнитов с размером сторон 40-500 нм и толщиной 3-10 нм, имеющих геометрическую осевую симметрию вращения 3 или 5 порядка и являющихся суперпарамагнитными с нулевым гистерезисом. Технический результат - использование конфигурационной анизотропии через симметрию элемента для задания магнитных свойств, а также обеспечение нулевого гистерезиса. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов. Элемент памяти содержит наномагнетики, имеющие осевую симметрию, выбранную с целью получения высокой остаточной магнитной индукции и соответствующей коэрцитивной силы. Техническим результатом является увеличение объёма хранимой на носителях информации, увеличение быстродействия энергонезависимых микросхем памяти для компьютеров с малым потреблением энергии. 3 з.п. ф-лы, 8 ил.