Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки – H01J 37/00

Изобретение относится к создающему изображение энергетическому фильтру для электрически заряженных частиц с тороидальным энергетическим анализатором (30), предпочтительно, с полусферическим анализатором, с входной плоскостью (4) и выходной плоскостью (1). Технический результат - повышение разрешения по месту и углу и обеспечение возможности использоваться с большим допустимым углом. Зеркальный элемент (2) для электрически заряженных частиц предусмотрен и расположен так, что заряженные частицы, которые покидают тороидальный энергетический анализатор через выходную плоскость, отражаются зеркальным элементом назад в тороидальный энергетический анализатор так, что заряженные частицы проходят через тороидальный энергетический анализатор еще раз в обратном направлении движения. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для создания однородного переменного магнитного поля. Технический результат состоит в снижении мощности питающего источника для получения заданного уровня магнитного поля в рабочем пространстве устройства. Устройство содержит верхнюю и нижнюю катушки Гельмгольца и снабжено шихтованным магнитопроводом, выполненным с двумя цилиндрическими полостями с верхним и нижним торцевыми полюсами, в которых установлены катушки Гельмгольца. К последовательно включенным катушкам Гельмгольца подключен конденсатор и питание образованного последовательного контура осуществляется током резонансной частоты образованного колебательного контура. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области очистки поверхностей газонаполненных разрядных приборов в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство. Технический результат - увеличение производительности установки. В ионизационную камеру подают рабочее вещество на основе карборана и сильные окислители, которые вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений. В качестве рабочего вещества используют карборандикарбоновую кислоту (C₄H₁₂B₁₀O₄ ), в которой атомы сильных окислителей включены в молекулу рабочего вещества. Сильные окислители, при электрическом разряде, высвобождаясь из молекулы рабочего вещества, вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений, образующиеся летучие соединения удаляют вакуумной откачкой. 3 ил.

Изобретение относится к аппаратуре для электронно-лучевой сварки материалов, преимущестенно металлов, в вакууме. Технический результат - упрощение технического обслуживания электронно-лучевой пушки и увеличение рабочего пространства для обработки деталей. Электронно-лучевая пушка содержит катодный блок, включающий корпус, изолятор, катод. Катодный блок установлен на промежуточном корпусе. В промежуточном корпусе со стороны катодного блока установлен анод, на боковой поверхности выполнен вакуумопровод. Промежуточный корпус установлен на фланце корпуса фокусирующего блока, оснащенного теплообменником и выполненного с возможностью установки блока катушек со стороны фланца. Теплообменник образован корпусом фокусирующего блока, на внешней цилиндрической поверхности которого выполнен спиральный паз, и кожухом. На фланце фокусирующего блока расположены штуцеры теплообменника и выполнены подводящие каналы и канал для выводов блока катушек. Катодный блок выполнен с крышкой, снабженной штуцерами, расположенными на боковой поверхности крышки. В качестве изолирующего теплоносителя в катодном блоке используется фторорганическая жидкость. Корпус катодного блока соединен с промежуточным корпусом откидной петлей и зажимами. 6 з.п.ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к устройству зажигания для зажигания разряда током большой силы электродугового испарителя в установке нанесения покрытий вакуумным напылением. Зажигание осуществляется посредством механического замыкания и размыкания контакта между катодом и анодом. Контакт устанавливается посредством пальца зажигания, перемещаемого по вынужденной траектории. С помощью вынужденной траектории палец зажигания посредством простого механического привода переводится в положение ожидания, защищенное от воздействия наносимого покрытия, и, кроме того, может использоваться для зажигания второй мишени. Технический результат - упрощение устройства.2 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способу эксплуатации источника дуги, причем электрический искровой разряд поджигается и управляется на поверхности мишени (5), и искровой разряд управляется одновременно постоянным током, которому сопоставлено постоянное напряжение DV, и вырабатываемым посредством периодически прикладываемого сигнала напряжения импульсным током. При этом напряжение на источнике дуги повышается за несколько микросекунд, а форма сигнала напряжения, по существу, является свободно выбираемой. Технический результат - повышение напряжения искрового разряда. 3 н. и 18 з.п.ф-лы, 5 ил.

Устройство для плазменной обработки больших областей содержит, по меньшей мере, одну плоскую антенну (A), имеющую множество взаимосвязанных элементарных резонансных замкнутых контуров (M1, M2, M3), причем каждый из замкнутых контуров (M1, M2, M3) содержит, по меньшей мере, два электропроводных участка (1,2) цепи и, по меньшей мере, два конденсатора (5, 6). Высокочастотный генератор возбуждает антенну (A), по меньшей мере, на одной из ее резонансных частот. Рабочая камера находится вблизи с антенной (A). Антенна (A) производит диаграмму направленности электромагнитного поля с однозначно определенной пространственной структурой, которая позволяет хорошо управлять возбуждением плазмы. Технический результат - повышение качества обработки. 13 з.п. ф-лы, 18 ил.

Изобретение относится к области обработки материалов посредством ионной бомбардировки. Обеспечены планетарные устройства (22) для перемещения для заготовок, установленные на вращающемся устройстве (19) внутри вакуумной камеры. Обеспечен источник (24) облака, включающего ионы, (CL), таким образом, что центральная ось (ACL) облака пересекает ось вращения (А20) вращающегося устройства (19). Облако (CL) имеет распределение плотности ионов на траектории перемещения (Т) планетарных осей (А22), которое уменьшается до 50% от максимальной плотности ионов на расстоянии от указанной центральной оси (ACL), которое не более половины диаметра планетарных устройств (22) для перемещения. Когда заготовки на планетарных устройствах (22) для перемещения вытравливаются облаком, включающим ионы, материал, который вытравливается, практически не осаждается повторно на соседние планетарные устройства для перемещения, а, скорее, выбрасывается в направлении стенки вакуумной камеры. Технический результат - повышение эффективности травления. 2 н. и 21 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к области плазменной обработки поверхности. Способ заключается в том, что придают конструктивному элементу или конструктивным элементам (1), по меньшей мере, одно вращательное движение относительно, по меньшей мере, одного ряда неподвижно расположенных в линию элементарных источников (2), причем ряд или ряды расположенных в линию элементарных источников (2) размещают параллельно оси конструктивного элемента или осям вращения конструктивных элементов. Технический результат - повышение однородности обработки на множестве поверхностей конструктивных элементов. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области калибровки просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ) при измерениях в нано- и субнанометровом диапазонах. Тестовый объект выполнен в виде держателя образцов с несколькими местами крепления исследуемых объектов, в одном из которых расположена эталонная структура, выполненная в виде тонкого поперечного среза кремниевой структуры с периодической рельефной поверхностью, имеющей известное межплоскостное расстояние и известные размеры трапециевидных элементов рельефа. Техническим результатом является повышение точности калибровки ПЭМ, обеспечивающее повышение точности измерений с помощью ПЭМ длин отрезков, характеризующих профиль элемента рельефа в широком диапазоне длин (0.3-2000 нм), а также одновременное определение масштабного коэффициента ПЭМ по двум осям и степени линейности и ортогональности этих осей. 9 ил.

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для обработки материалов в среде низкотемпературной плазмы газового разряда, а именно к индукционным генераторам плазмы, размещаемым внутри технологического объема (рабочей камеры). Технический результат - повышение КПД устройства; повышение надежности работы устройства, повышение чистоты плазменной среды и увеличение плотности генерируемой плазмы; увеличение срока службы устройства; снижение уровня помех; уменьшение габаритов устройства. В генераторе плазмы по первому варианту выполнения, содержащем спиральную катушку, помещенную внутрь проводящего экрана, внутренняя поверхность которого имеет близкую к цилиндрической форму, причем пространство между витками катушки и между катушкой и экраном заполнено диэлектриком, катушка выполнена плоской, расстояние от плоскости катушки до внешней поверхности диэлектрика меньше удвоенной толщины катушки, а расстояние от плоскости катушки до основания внутренней поверхности экрана больше удвоенного расстояния от плоскости катушки до внешней поверхности диэлектрика. В генераторе плазмы по второму варианту выполнения катушка выполнена плоской, экран выполнен в виде кольца, ось которого перпендикулярна плоскости катушки, край кольца, обращенный к объему, в котором требуется создание плазмы закрыт диэлектриком.

В генераторе плазмы по третьему варианту выполнения экран электрически соединен с одним из концов катушки, а диэлектрическая проницаемость диэлектрика находится в пределах от 2,5 до 50. 3 н. и 30 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам тестирования параметров планарных полупроводниковых светодиодных гетероструктур (ППСГ) на основе GaN. Способ включает облучение светоизлучающей полупроводниковой гетероструктуры пучком электронов и возбуждение катодолюминесценции, причем возбуждение катодолюминесценции осуществляют облучением в импульсном режиме с длительностью импульса от 10 нс до 400 нс. Энергию электронов обеспечивают преимущественно 18 кэВ и выше. Технический результат заключается в уменьшении влияния неоднородности ионизационных потерь и в устранении деградации активных слоев ППСГ при измерениях. 2 ил.

Изобретение относится к области магнетронного распыления материалов. Узел магнетронного распыления содержит распыляемую мишень и по меньшей мере одну плоскую магнитную систему. Плоская магнитная система установлена на водиле с приводом его вращения вокруг оси, перпендикулярной поверхности распыляемой мишени. По меньшей мере один носитель по меньшей мере одной плоской магнитной системы имеет привод его вращения вокруг дополнительной оси, параллельной оси вращения водила. По меньшей мере одна плоская магнитная система установлена на носителе магнитной системы со смещением относительно дополнительной оси. Скорости вращения магнитной системы вокруг первой и вокруг второй осей изменяют по заданной программе. В результате достигается равномерность распыления мишени, увеличение степени использования материала мишени и увеличение скорости распыления. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Способ и устройство предназначены для контроля интенсивности электронного луча при проведении исследований образцов. Способ контроля интенсивности электронного луча, образующего плазму при своем распространении, при котором обнаруживают и анализируют электронное излучение или электромагнитное излучение, создаваемое непосредственно или косвенно электронным лучом, при этом для измерительной регистрации электронного или электромагнитного излучения, создаваемого непосредственно или косвенно электронным лучом, предусмотрен детектор, который направляют через стенку прозрачного или просвечивающего упаковочного материала на плазму. Технический результат - дезинфекция внутренней поверхности тары при исследовании биологических образцов. 2 н. и 23 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к источникам ионов, предназначенным для ускорителей заряженных частиц. Заявленное изобретение характеризуется подачей на ускоряющий электрод ионно-оптической системы, размещенный между выходом пролетного канала и другим ускоряющим электродом, установленным в системе инжекции на выходе ионно-оптической системы, изменяющегося в процессе экстракции ионов электрического напряжения. Величина этого напряжения изменяется пропорционально изменению продольной составляющей импульса давления частиц, которое возникает в лазерной плазме в зоне, перед электродами системы инжекции. Предусмотрена также подача на ускоряющий электрод системы инжекции, установленный на выходе ионно-оптической системы, постоянного электрического напряжения для ускорения ионов. Техническим результатом является уменьшение разброса углового расхождения огибающей ионного пучка во время экстракции ионов, что способствует уменьшению величины эффективного эмиттанса этого пучка на выходе лазерного источника ионов с активной системой инжекции, и увеличение захвата ионов, генерируемых лазерными источниками ионов. 3 ил.

Изобретение относится к генераторам ионов, предназначенным для ускорителей заряженных частиц. Технический результат - повышение зарядового состояния ионов на выходе лазерно-плазменного генератора многозарядных ионов. Сущность изобретения состоит в том, что обеспечивается возврат в лазерную плазму на начальном этапе ее разлета как отраженного излучения лазера и его гармоник, так и широкого спектра оптического излучения (от инфракрасного до рентгеновского диапазона), генерируемого в виде спектра когерентных электромагнитных колебаний самой лазерной плазмой. Область мишени, облучаемая лазером, помещена в точку фокуса отраженного электромагнитного излучения от металлического экрана с полированной внутренней поверхностью сферической формы, имеющего апертуры для транспортировки лазерного излучения на мишень и разлета лазерной плазмы, выполненного из металла с большим массовым числом согласно периодической системе элементов Д.И.Менделеева и установленного в пролетном канале в области мишени. 1 ил.

Изобретение относится к области плазменной обработки. При обработке поверхностей подложек или обрабатываемых деталей с помощью вакуумного плазменного разряда между анодом (9) и катодом (7) образуется и осаждается на анодной поверхности (21) твердое вещество (19), которое имеет более высокий удельный импеданс по постоянному току, чем удельный импеданс по постоянному току материала анода. По меньшей мере, части анодной поверхности экранируют от такого осаждения установлением на них экранирующей плазмы (25). Раскрыты также варианты вакуумных источников плазмы, реализующие заявленный способ. Технический результат - расширение функциональных возможностей источника плазмы. 3 н. и 33 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к области нанесения покрытий, нагревания и плавки металла в вакууме. Техническим результатом изобретения является обеспечение стабильности тока и параметров электронного луча в условиях проведения длительных технологических процессов, повышение эффективности использования пушки; снижение негативного воздействия тепловых скоростей испускаемых эмиттером электронов, приводящего к размытию границ пучка, повышение ламинарности электронного потока. Технический результат достигается тем, что в аксиальную электронную пушку, содержащую катодный блок, накальный узел с вольфрамовой спиралью, эмиттер, фокусирующий электрод, анод, магнитную систему, введен держатель, расположенный соосно с центральной осью пушки, на одном конце которого размещен эмиттер, а противоположный конец соединен с катодным блоком, держатель выполнен в виде полого цилиндра из тугоплавкого металла, боковая поверхность которого перфорирована, а один из концов цилиндра соединен с катодным блоком посредством резьбы, анод выполнен в виде вставки, соединенной с водоохлаждаемым анодным корпусом с помощью резьбы, фокусирующий электрод соединен с катодным блоком посредством резьбы, магнитная система выполнена в виде короткой магнитной линзы. 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. Технический результат - повышение информативности о профиле поверхности, скорости съема и обработки информации. Способ определения рельефа поверхности включает перемещение вдоль исследуемой поверхности набора чувствительных элементов и регистрацию их показаний, пропорциональных изменениям рельефа. Чувствительные элементы выполняют упругими, не контактирующими друг с другом и плотно заполняющими область плоскости над исследуемым участком поверхности, размещают их в поле зрения спекл-интерферометра, регистрируют в качестве опорной спеклограмму чувствительных элементов до начала их перемещения вдоль исследуемой поверхности и их спеклограмму в каждый момент времени в процессе перемещения, сравнивают эти спеклограммы путем вычитания и по полученной в результате сравнения спекл-интерферограмме, на которой одновременно в реальном масштабе времени регистрируются линии уровня микроперемещений всех чувствительных элементов набора в виде спекл-интерферометрических полос, и определяют прогиб каждого чувствительного элемента по соответствующему фрагменту спекл-интерферограммы. 3 ил.

Изобретение относится к системам для химического осаждения плазмой. Заявленная система характеризуется тем, что выборочные поверхности трубчатых основ могут быть подвергнуты обработке для осаждения тонких пленок целевого вещества, где один из электродов, применяемых в плазменной системе, образован основой или заготовкой. Техническим результатом является обеспечение возможности уменьшения габаритов используемых плазменных реакторов. 7 з.п. ф-лы, 7 ил.

Настоящее изобретение относится к способу и устройству для нанесения покрытия из алмазоподобного углерода с толщиной слоя от 20 до 1500 нанометров преимущественно на сверла, фрезы, лезвия и т.п. Предложенный способ включает этапы: i) предоставления подложки, содержащей материал, который имеет сродство с углеродом, ii) очистки поверхности подложки, iii) напыления на поверхность слоя, содержащего металл, iv) ионной бомбардировки поверхности с покрытием, v) напыления слоя углерода на поверхность, а предложенное устройство согласно изобретению имеет несколько реакционных камер, расположенных в ряд, через которые перемещают кассету с обрабатываемым инструментом. Кроме того, настоящее изобретение относится к покрытию с алмазоподобным слоем, нанесенным на подложку, имеющую слой титана, причем слой углерода и слой титана частично находят друг на друга и слой углерода имеет градиент концентрации атомов углерода от 0 до 100%. Повышение производительности способа, а также увеличение твердости и однородности полученного покрытия из алмазоподобного углерода являются техническим результатом изобретения. 3 н. и 30 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к технике получения пучков быстрых нейтральных частиц, в частности пучков нейтральных атомов, радикалов и молекул, и может быть использовано для очистки и полировки поверхностей объектов; для распыления, травления и осаждения тонких пленок различных материалов; для ассистирования процессов нанесения пленок инертными и химически активными частицами.

Источник быстрых нейтральных частиц имеет базовую конструкцию, которая содержит ионный источник с холодным катодом и замкнутым дрейфом электронов, нейтрализатор, выполненный в виде внешних и внутренних коаксиальных поверхностей, образующих в совокупности щелевой канал определенной длины, сопряженный с замкнутой выходной щелью источника, и электроды сепаратора. Электроды сепаратора установлены на нейтрализатор и выполнены в виде поверхностей, образующих в совокупности щелевой канал сепарации определенной длины и ширины, сопряженный с замкнутой выходной щелью нейтрализатора. Техническим результатом является полная нейтрализация выходного потока частиц и увеличение его интенсивности. 11 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к спектрометрии ионной подвижности в газах и масс-спектрометрии. Основой изобретения является разделение ионов из внешнего источника в спектрометре приращения ионной подвижности (СПИП) цилиндрически симметричной геометрии с секционированным внешним электродом, к секциям которого приложены независимо изменяемые напряжения дисперсии и компенсирующие напряжения. Эти напряжения таковы, чтобы обеспечить фокусировку целевых ионов в начальном участке канала дрейфа около середины аналитического промежутка СПИП, их контролируемый сдвиг к внутренней поверхности внешнего электрода в средней части канала дрейфа и управляемое смещение к центральному электроду в конечной части канала дрейфа. Этим обеспечивается преимущественное пропускание целевых ионов с отстройкой от примесных ионов из-за их более вероятной гибели на электродах СПИП. Выжившие ионы под действием электрического поля и малой части газового потока, входящего внутрь капилляра, формирующего сверхзвуковой газовый поток, дрейфуют к этому капилляру и внутри сверхзвукового газового потока, выходящего из этого капилляра, поступают в последующий масс-анализатор. Возможно разделение сигналов от всех ионов, сфокусированных внутри СПИП, на основе регистрации двумерных или четырехмерных распределений интенсивностей потоков зарегистрированных ионов при сканировании напряжений, сдвигающих ионы к электродам СПИП. Изобретение позволяет дополнительное к масс-спектрометрическому разделение ионов альтернативно или в развитие известных методов разделения и структурно-химического анализа. 21 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к технике ионно-лучевой обработки изделий. Технический результат - обеспечение возможности ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона и контроля качества обрабатываемых поверхностей. Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона, содержащее источник ионов имплантируемого металла, который герметично скреплен с торцом обрабатываемого объекта, внутрь которого помещен зонд, который с помощью скрещенных электрических полей, создаваемых электродами: фокусирующим, управляющими и тормозящим, соединенными с соответствующими блоками фокусирующего напряжения управляющего напряжения и плюсовой клеммой блока питания, направляет катионы имплантируемого металла на обрабатываемые поверхности объекта. Зонд движется вдоль объекта с помощью управляемого электропривода пошагового перемещения. Количество имплантируемых катионов контролируют путем измерения в блоке эквивалентного заряда катионов адгезируемых с обрабатываемой поверхностью и сравнивают в блоке с количеством, заданным электронной программой обработки блока. 2 ил.

Изобретение относится к области приборостроения. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей за счет автоматического обнаружения и распознавания СТМ-изображений нанообъектов с повышенной надежностью, обеспечиваемой использованием двух методов распознавания (аппарата нейронных сетей и нечеткой логики), а также посредством уменьшения шумов на СТМ-изображениях и приостановки измерений на периоды времени с повышенным виброакустическим фоном (путем введения системы активной виброзащиты). Указанный результат достигается тем, что в сканирующем туннельном микроскопе, содержащем острие, съемный точный пьезопривод острия по осям X, Y, Z, держатель образца с шаговым пьезоприводом его сближения с острием, блок измерения туннельного тока, блок регистрации топографии исследуемой поверхности с управляющим вычислителем, блок компенсации пульсаций напряжения, высоковольтные усилители напряжения по осям X, Y, Z, коммутатор, блок адаптивного управления, цифроаналоговый преобразователь термокомпенсации, фильтр низких частот, сумматор, цифро-аналоговый преобразователь точного управления туннельным промежутком, а также два цифроаналоговых преобразователя управления X, Y-электродами внешней пьезотрубки съемного точного пьезопривода, введены блок автоматического обнаружения и распознавания наночастиц, соединенный через шину данных с блоком регистрации топографии исследуемой поверхности, управляющим вычислителем и блоком адаптивного управления, а также система активной виброзащиты, содержащая магнит, магнитопровод, подвижную катушку, датчик ускорения, упругую мембрану, усилитель сигналов виброзащиты, вход которого соединен с датчиком ускорения, а выход - с входом аналого-цифрового преобразователя, выход которого подключен к одному из входов сигнального процессора, соответствующий выход которого через цифроаналоговый преобразователь и усилитель подсоединен к подвижной катушке системы активной виброзащиты. 2 ил.

Способ электронной литографии относится к способам нанесения рисунков в технологии изготовления полупроводниковых устройств. Способ реализуется путем переноса изображения с катода-маски электронами вторичной электронной эмиссии на резист, подложка которого соединена с анодом. Особенностью является то, что технологическую камеру заполняют рабочим газом, в прикатодной области создают тлеющий разряд за счет использования дополнительного электрода, электрически соединенного с анодом. При этом катод-маску выполняют из материалов с разными коэффициентами вторичной ионно-электронной эмиссии. Параметры тлеющего разряда выбирают из условия существования вторичной ионно-электронной эмиссии с обоих материалов катода-маски. Технический результат - повышение срока службы катода-маски. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к устройствам подачи порошкообразного материала в плазму и может быть использовано для подачи порошковых проб при спектральном анализе. Технический результат: контролируемая скорость подачи порошковых проб любой сыпучести. Предложено устройство, содержащее коаксиальную пару электродов искрового разрядника, установленную в распылительной камере, включающей корпус, соосно ему установлен поршень с фланцем; по оси симметрии поршня установлена ось из токопроводящего материала с возможностью вращения, на нижнем конце которой установлены центральный электрод искрового разрядника, на внешней цилиндрической поверхности которого выполнен срез, и нож из диэлектрического материала с двумя лезвиями, расположенными в плоскости, перпендикулярной оси вращения и наклоненными к плоскости вращения; второй электрод искрового разрядника - кольцевой, в качестве которого используют внутренние боковые стенки стаканчика с пробой, установленного на штоке с возможностью вертикального перемещения внутри корпуса, при этом стаканчик для пробы выполнен с двойными стенками: наружная стенка из диэлектрического прозрачного материала, внутренняя стенка - из металла и в ней выполнена вертикальная щель. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретения относятся к объектам для возбуждения газовых сред с созданием объемного разряда. Техническим результатом является увеличение функциональных возможностей, выражающихся в увеличении длины и объема возбуждения газовых сред импульсным поперечно-продольным индукционным разрядом и улучшение эксплуатационных характеристик этих источников излучения. От генератора накачки подается высоковольтный импульс напряжения, амплитудой превышающей напряжение пробоя U_пр активной газовой среды длительностью не более 100 нс с фронтом нарастания напряжения не более 30 нс на индуктор возбуждения 6 с общей индуктивностью, удовлетворяющей соотношению 50 нГн L/n 500 нГн, где L - индуктивность одного соленоида, n - количество соленоидов 5, соединенных параллельно и расположенных друг от друга на расстоянии h<H. Индуктор возбуждения обеспечивает эффективную передачу энергии от генератора накачки в газовую среду в виде переменного магнитного поля. В результате возникновения движения зарядов индуцируются циркулярные электрические токи, которые формируют индукционный вихревой разряд в газе в пределах ширины соленоидов 5. В этом случае плазма индукционного разряда приобретает форму цилиндра вблизи внутренней поверхности разрядной трубки, а затем начинает взаимодействовать с плазмой соседних соленоидов, тем самым, увеличивая общую длину разряда до n×H+(n-1)×h. При условии h>H вихревой разряд обеспечивается лишь внутри соленоидов индуктора возбуждения, а в промежутках между соленоидами разряд отсутствует. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к растровой электронной микроскопии и может быть использовано для неразрушающего послойного тестирования образцов, в частности изделий микро- и наноэлектроники. В изобретении используется способность обратнорассеянных электронов (ОРЭ) вызывать осаждение молекул остаточных углеводородов, адсорбированных на поверхности образца. При облучении образца стационарным сфокусированным электронным пучком вокруг точки падения пучка образуется углеродное кольцо. Диаметр кольца зависит от состава, толщины и глубины залегания слоев, пересекаемых ОРЭ. Эта зависимость лежит в основе томографического анализа. Кольцо является аналогом спектральной метки - индивидуальной характеристики образца. Положение метки на поверхности образцов с варьируемой послойной структурой прослеживается на модели. При изменении ускоряющего напряжения в анализ вовлекаются слои, находящиеся на различной глубине. Длина пробега электронов в образце определяется по измерениям углеродных колец, образующихся на поверхности при различных углах наклона к оси пучка. Показана возможность различения массивных подложек, в том числе кремния и арсенида галлия, под двухслойным покрытием с разрешением по глубине не хуже 10 100 нм. Разрешение по горизонтали в зависимости от ускоряющего напряжения меняется в пределах от нескольких микрометров до нескольких сотен нанометров. Технический результат - повышение достоверности и точности обработки результатов измерений. 4 з.п. ф-лы, 4 табл., 12 ил.

Изобретение относится к устройствам локального травления тонких пленок микроэлектроники. Устройство содержит вакуумную камеру с крышкой, два электрода, системы откачки и напуска плазмообразующего газа, верхний электрод установлен на плите и снабжен шаблоном, установленным на съемной втулке, закрепленной на электроде, и механизмом регулирования параллельности двух электродов относительно друг друга, выполненным в виде трех микрометрических головок, жестко установленных в отверстиях упомянутой плиты с возможностью взаимодействия нижним концом через шаровые опоры соответственно с тремя вертикальными стойками, закрепленными на основании камеры. На каждой стойке выполнены подвижные упоры, взаимодействующие с механизмом регулирования зазора между двумя электродами, выполненным в виде прецизионного подъемника, на котором установлен нижний электрод, являющийся подложкодержателем. Устройство позволяет упростить процесс формирования структур, повысить скорость травления, обеспечивает равномерность травления за счет использования безмасочного процесса травления и позволяет снизить затраты электроэнергии и расход плазмообразующего газа. 4 ил.