Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......с использованием электромагнитного излучения, например лазерного – H01L 21/268
Патенты в данной категории
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ОРИЕНТАЦИИ (111)
Изобретение относится к области микроэлектроники, фотовольтаики, к не литографическим технологиям структурирования кремниевых подложек, в частности к способам структурирования поверхности монокристаллического кремния с помощью лазера. Способ согласно изобретению включает обработку поверхности монокристаллического кремния ориентации (111) с помощью импульсного излучения лазера, сфокусированного перпендикулярно поверхности обработки с длительностью импульса 15 нс, при этом предварительно монокристаллический кремний ориентации (111) помещают в ультразвуковую ванну и обрабатывают в спирте в течение 30 минут, а обработку лазером ведут импульсами с длиной волны 266 нм и частотой 6 Гц, при этом число импульсов составляет 5500-7000 с плотностью энергии на обрабатываемой поверхности 0,3 Дж/см2. Изобретение обеспечивает формирование периодических пирамидальных структур на поверхности монокристаллического кремния, имеющих монокристаллическую структуру и три кристаллографические грани ориентации (111). 1 табл., 5 ил. |
2501057 патент выдан: опубликован: 10.12.2013 |
|
СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ
Изобретение относится к различным областям техники, использующим материалы с развитыми поверхностями в виде многослойных наноструктур для производства солнечных батарей, фотоприемных устройств, катализаторов, высокоэффективных люминесцентных источников света. В способе создания многослойной наноструктуры на одну из поверхностей прозрачного для лазерного излучения материала наносят дифракционную решетку и воздействуют на этот материал импульсом лазерного излучения, вызывают дифракцию и многолучевую интерференцию лазерного луча у поверхности дифракционной решетки в области лазерного пятна, образуют в этой области множество отраженных от дифракционной решетки лазерных лучей, вызывают последовательно в точках их отражения от дифракционной решетки локальное выделение энергии лазерного луча, плавление прозрачного для лазерного излучения материала, образование центров кристаллизации, взрывную кристаллизацию прозрачного для лазерного излучения материала по отраженным от дифракционной решетки лучам после завершения действия импульса лазерного излучения и одновременно создают множество срощенных между собой слоев из прозрачного для лазерного излучения материала. Изобретение позволяет создавать многослойные наноструктуры из многих сотен слоев за время длительности одного импульса лазерного излучения. 4 з.п. ф-лы, 2 ил. |
2497230 патент выдан: опубликован: 27.10.2013 |
|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность изобретения: в способе формирования легированных областей полупроводникового прибора для создания легированных рабочих областей полупроводникового прибора на сформированную подложку наносят пленку с легирующей смесью и подвергают обработке лазерным лучом длительностью импульсов 35 нс, длиной волны излучения 308 нм и с плотностью энергий в импульсе 200-500 мДж/см2. 1 табл. |
2476955 патент выдан: опубликован: 27.02.2013 |
|
БАЗОВАЯ ПЛАТА, СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА БАЗОВОЙ ПЛАТЫ И ПОДЛОЖКА УСТРОЙСТВА
Изобретение относится к базовой плате и способу ее производства. Сущность изобретения: базовая плата содержит множество подложек панели, причем базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную не ее основной поверхности, каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края, область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, имеющей первый профиль кристаллов, область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, причем подложки панели содержат первую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов, при этом тонкая пленка из кремния формирует метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края. Изобретение позволяет создать базовую плату, имеющую эффективно скомпонованные на ней подложки панели и уменьшенную область бесполезно расходуемой подложки. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 ил. |
2476954 патент выдан: опубликован: 27.02.2013 |
|
СПОСОБ ЛАЗЕРНОГО ОТДЕЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ИЛИ СЛОЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ОТ РОСТОВОЙ ПОДЛОЖКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ (ВАРИАНТЫ)
Изобретение относится к области лазерной обработки твердых материалов, в частности к способу отделения поверхностных слоев полупроводниковых кристаллов с помощью лазерного излучения. Способ лазерного отделения основан на использовании селективного легирования подложки и эпитаксиальной пленки мелкими донорными или акцепторными примесями. При селективном легировании концентрации свободных носителей в эпитаксиальной пленке и подложке могут существенно отличаться, и это может приводить к сильному отличию коэффициентов поглощения света в инфракрасной области вблизи области остаточных лучей, где существенны вклады в инфракрасное поглощение оптических фононов, свободных носителей и фонон-плазмонного взаимодействия оптических фононов со свободными носителями. Соответствующим подбором уровней легирования и частоты инфракрасного лазерного излучения можно добиться того, чтобы лазерное излучение поглощалось в основном в области сильного легирования вблизи границы раздела подложка - гомоэпитаксиальная пленка. При сканировании границы раздела подложка - гомоэпитаксиальная пленка сфокусированным лазерным лучем достаточной мощности происходит термическое разложение полупроводникового кристалла с последующим отделением гомоэпитаксиальной пленки. Изобретение обеспечивает возможность отделять эпитаксиальные пленки от подложек, выполненных из того же самого кристаллического материала, что и эпитаксиальная пленка. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 6 ил. |
2469433 патент выдан: опубликован: 10.12.2012 |
|
СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ УПОРЯДОЧЕННОГО МАССИВА НАНОРАЗМЕРНЫХ СФЕРОИДОВ
Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к нелитографическим микротехнологиям формирования на подложках тонкопленочных рисунков из наносимых на ее поверхность веществ. Сущность изобретения: способ образования на подложке упорядоченного массива наноразмерных сфероидов заключается в переносе вещества пленки, нанесенной на поверхность прозрачной пластины-донора, на акцепторную подложку путем импульсного лазерного облучения пленки сквозь пластину, при этом между упомянутой пленкой и пластиной наносят жертвенный подслой, который при упомянутом облучении испаряется. Изобретение обеспечивает повышение разрешающей способности формирования рисунка, получение возможности изготовления микроструктур с минимальными размерами, много меньшими длины волны излучения, инициирующего технологический процесс. 4 з.п. ф-лы, 3 ил. |
2444084 патент выдан: опубликован: 27.02.2012 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов. Сущность изобретения: в способе получения слоя поликристаллического кремния расположенный на подложке стекла или кремния со слоем диоксида кремния слой аморфного кремния подвергают кристаллизации посредством лазерной обработки. Используют импульсное излучение фемтосекундного диапазона длительностью от 30 до 120 фемтосекунд с длиной волны и плотностью энергии, вызывающими в аморфном кремнии фазовый переход с формированием слоя поликристаллического кремния. Фазовый переход кристаллизации стимулирован электрон-дырочной плазмой, характеризуется отсутствием передачи энергии подложке. При обработке используют излучение с длиной волны ближнего ультрафиолетового или ближнего инфракрасного диапазона, что соответствует второй или первой гармонике титан-сапфирового лазера. Значение средней длины волны излучения, выбираемой от 390 до 810 нм, обеспечивает поглощение по всей толщине слоя аморфного кремния. Плотность энергии от 20 до 150 мДж/см2 обуславливает при заданной толщине слоя аморфного кремния от 20 до 130 нм формирование сплошного поликристаллического слоя на участке воздействия излучения. В результате достигается расширение ассортимента приборных структур со слоем поликристаллического кремния и расширение диапазона толщин исходных пленок аморфного кремния. 10 з.п. ф-лы, 5 ил. |
2431215 патент выдан: опубликован: 10.10.2011 |
|
СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ПЛАЗМЕННЫХ ОБРАБОТОК
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-транзисторных структур, технология изготовления которых предусматривает использование плазменных обработок на этапе формирования металлизации приборов. Сущность изобретения: в способе восстановления порогового напряжения МДП-транзисторных структур наведенный положительный заряд, образованный в результате процесса ионно-лучевого травления при формировании металлических слоев структуры, нейтрализуется фотоэмиссией электронов при дополнительном облучении пластин источником ближнего ультрафиолета с энергией квантов 4,0÷6,0 эВ в течение 15÷20 мин. Техническим результатом изобретения является нейтрализация наведенного заряда в процессе плазменных обработок при формировании металлизации МДП-транзисторных структур, восстановление пороговых напряжений, стабилизация зарядовых свойств и увеличение процента выхода годных и надежности изделий. 1 табл. |
2426192 патент выдан: опубликован: 10.08.2011 |
|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭМИТТЕРА ИОНОВ ДЛЯ ЛАЗЕРНОЙ ДЕСОРБЦИИ-ИОНИЗАЦИИ ХИМИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ
Изобретение относится к способам создания подложек, применимых в качестве эмиттеров ионов химических соединений в аналитических приборах, предназначенных для определения состава и количества химических соединений в аналитических приборах, в частности в масс-спектрометрах и спектрометрах ионной подвижности. Сущность изобретения: в способе формирования эмиттера ионов для лазерной десорбции-ионизации химических соединений путем обработки полупроводниковых материалов последнюю осуществляют путем воздействия на поверхность полупроводникового материала потоком импульсного лазерного излучения с интенсивностью, большей порога плавления используемого материала, обеспечивающей при этом плавление материала на глубину не менее 5 нм, обработанный полупроводниковый материал подвергают повторному воздействию электромагнитного излучения с интенсивностью, меньшей порога плавления используемого материала, в присутствии паров протонодонорного реагента. Изобретение обеспечивает увеличение точности анализа и снижение пределов обнаружения определяемых соединений, а также возможность многократного использования сформированного эмиттера ионов. 7 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2426191 патент выдан: опубликован: 10.08.2011 |
|
СПОСОБ ХАЛЬКОГЕНИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ GaAs
Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник. Способ включает химическую очистку и халькогенизацию поверхности пластины GaAs в водном, спиртовом или другом халькогенсодержащем растворе или газе сульфида аммония (NH4)2 S с последующей ее промывкой и сушкой, вакуумную сушку поверхности пластины GaAs, после вакуумной сушки халькогенизированнную поверхность пластины GaAs обрабатывают ультрафиолетовым излучением с длиной волны =172-400 нм и плотностью мощности излучения W>0.01 Вт/см -2 в течение t=1-600 секунд в вакууме при давлении остаточной атмосферы менее 10-5 Торр. Обработку ультрафиолетовым излучением проводят при давлении остаточной атмосферы менее 5×10 -6 Торр, а после обработки ультрафиолетовым излучением на поверхность пластины GaAs осаждают тонкие металлические пленки или диэлектрическую пленку. Изобретение обеспечивает активацию десорбции физосорбированной серы, снижение плотности поверхностных состояний GaAs, улучшение электрических параметров контактов металл-полупроводник и границы раздела диэлектрик-полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности GaAs. 5 з.п. ф-лы, 2 ил. |
2406182 патент выдан: опубликован: 10.12.2010 |
|
СИСТЕМА КОНТРОЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ДЛЯ ЛАЗЕРОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В ЛИТОГРАФИИ
Изобретение относится к системам контроля и, в частности, к системам контроля работы лазеров. Его использование позволяет получить технический результат в виде создания более совершенной системы контроля лазеров для литографии на предприятиях по производству интегральных микросхем. Технический результат достигается за счет того, что каждый лазер на каждом производственном предприятии связан с соответствующим сервером терминала, при этом на каждом производственном предприятии серверное устройство центрального управления осуществляет обмен информацией с каждым из лазеров через локальную сеть. Сбор информации из лазеров осуществляют посредством серверного устройства центрального управления и используют эту информацию для создания сводной информации, которая является доступной для заинтересованных сторон, которым предоставлено право на доступ в формате Web-узла. 13 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл. |
2258253 патент выдан: опубликован: 10.08.2005 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРЕХМЕРНО РАСПОЛОЖЕННЫХ ПРОВОДЯЩИХ И СОЕДИНИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ ОБЪЕМНЫХ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПОТОКОВ
Использование: для изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков. Объемные потоки могут быть газообразными, жидкими, твердыми или состоять из смеси этих агрегатных состояний. Энергетические потоки могут иметь акустический, электрический или электромагнитный характер. Сущность изобретения: в способе изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для получения слоев применяются различные светоотверждаемые материалы. При замене материалов новым материалом заполняют также участки слоев, в которых в предшествующем процессе отверждения отверждение не состоялось, так что при последующем отверждении с нижерасположенным слоем соединяется не только самый верхний слой, но и материал самого верхнего слоя соединяется с материалом слоя, расположенного под предпоследним слоем. Тем самым внутри последовательных слоев можно соединять друг с другом слой за слоем структуру с другими свойствами. Техническим результатом изобретения является изготовление комплексной микросхемы на базе слоистой конструкции, имеющей полости, в которые могут устанавливаться, например, электрические детали, и при этом существует возможность соединения их между собой посредством проводников. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
2242063 патент выдан: опубликован: 10.12.2004 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЯ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ МЕТОДОМ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Использование: в технологии выращивания кристаллических планок полупроводников. Сущность: способ получения структур кремния-на-изоляторе заключается в формировании пленочной структуры с подложкой, слоями диэлектрика и пленкой кремния, которые формируют с одной или с двух сторон подложки, в однородном нагреве с одной стороны пленочной структуры выше 1320oC и ниже точки плавления кремния, нагреве с противоположной стороны пучком излучения, сфокусированным в узкую полосу так, чтобы полуширина распределения энергии поперек узкой полосы на уровне половины амплитуды распределения составляла менее 0,5 мм, формировании в пленке кремния зоны расплава и перемещении зоны. Устройство для осуществления способа содержит перемещающийся корпус, трубчатые лампы, установленные в корпусе, плиту, закрепленную над лампами и имеющую конусообразное отверстие, кварцевую пластину, прикрепленную к плите со стороны ламп, точечные опоры, закрепленные в плите вершинами в конусообразном отверстии, экран с отверстием, расположенный над плитой и выполненный из двух перемещающихся частей, и нагреватель зоны, прикрепленный над экраном. Технический результат изобретения заключается в том, что предлагаемый способ и устройство позволяют получать структуры кремния-на-изоляторе с низким уровнем деформации пленочной структуры при более высокой производительности. 2 с. и 20 з.п. ф-лы, 14 ил. | 2133520 патент выдан: опубликован: 20.07.1999 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ С ПОДЛОЖКИ (ВАРИАНТЫ) Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением. Изобретение позволяет удалять нежелательные поверхностные примеси без изменения подложки, расположенной ниже молекулярной кристаллической структуры подложки 12. Источник высокоэнергетического излучения содержит импульсный или непрерывного действия лазер 14 или высокоэнергетическую лампу. 3 с. и. 20 з.п. ф-лы, 26 ил., 2 табл. | 2114486 патент выдан: опубликован: 27.06.1998 |
|
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Использование: в технологии изготовления микроэлектронных устройств. Сущность: способ и устройство для удаления нежелательных поверхностных примесей с поверхности подложки мощным излучением позволяет удалять нежелательные поверхностные примеси, не изменяя расположенной ниже молекулярной структуры подложки. Источник мощного излучения может представлять собой импульсный лазер. 2 с. и 20 з.п. ф-лы, 2 табл., 3 ил. | 2099811 патент выдан: опубликован: 20.12.1997 |
|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч. гибридных, интегрированных на целой пластине и т.п.). Сущность: в способе формирования топологии ИС под воздействием лазерного излучения в активной газовой среде на поверхности материала формируют затравочный слой, а затем в другой газовой среде под воздействием ультрафиолетового излучения формируют функциональный слой. Способ основан на формировании центров хемосорбции под воздействием лазерного луча, которые образуются за счет разложения летучего соединения металла с низкой энергией активации, и использовании их в качестве затравочного слоя для проведения каталитических реакций под воздействием активирующего ультрафиолетового излучения. 2 з.п. ф-лы. | 2099810 патент выдан: опубликован: 20.12.1997 |
|
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ АМОРФНОЙ ФАЗЫ НА НЕКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ Изобретение относится к производству кристаллов и может быть использовано в производстве полупроводниковых кристаллов для изготовления микросхем. Сущность: сначала на плоскую подложку методом лазерного-стимулированного осаждения из газовой фазы осаждается слой аморфного вещества необходимой толщины, а затем в слое создается интерференционная картина с помощью двух лазерных лучей. На пленку направляется лазерный луч с энергией, достаточной для получения расплава, после чего начинается процесс кристаллизации, при этом интерференционная картина (стоячая волна) является затравкой процесса кристаллизации. 1 з.п. ф-лы. | 2098886 патент выдан: опубликован: 10.12.1997 |
|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч. гибридных, интегрированных на целой пластине и т.п.). Сущность: в способе формирования топологии ИС с помощью термочувствительной пленки под воздействием лазерного излучения формируют топологический рисунок, а затем оставшийся слой термочувствительной пленки либо удаляют с помощью нагрева подложки, либо оставляют как изолирующий или планаризирующий слой. 1 з.п. ф-лы. | 2098885 патент выдан: опубликован: 10.12.1997 |
|
СПОСОБ ЛАЗЕРНОГО ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность: геттерирование осуществляют путем создания нарушенного слоя лазерным излучением импульсного или непрерывного характера с рабочей или нерабочей стороны пластины. Нарушенный слой создают в виде растра линий по периметру пластины, при этом линии растра не должны пересекать край пластины. Раствор формируют с шагом 20 - 100 мкм . Ширина линий растра больше глубины расплавленного полупроводника. Скорость сканирования 5 - 80 см/с. Плотность мощности лазерного излучения достаточна для расплавления полупроводника и не достаточна для его испарения. 4 з.п. ф-лы, 10 табл., 7 ил. | 2035802 патент выдан: опубликован: 20.05.1995 |
|
СПОСОБ СОЗДАНИЯ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов, гибридных, интегральных и крио-микросхем. Сущность: буферные слои диоксида циркония создают путем нанесения на поверхность полупроводниковой подложки основного спиртового раствора цирконий - органической композиции и проведения термообработки. Для повышения степени текстурированности кубической фазы и расширения диапазона материалов используемых подложек перед нанесением на поверхность подложки основного раствора цирконий - органической композиции на ее поверхность наносят спиртовой раствор цирконий - органической композиции, приготовленный в соотношении спирт-основной спиртовой раствор цирконий-органической композиции (5 : 1) : (10 - 1) мас.ч., а затем проводят термообработку при тех же режимах, что и после нанесения основного спиртового раствора. | 2035084 патент выдан: опубликован: 10.05.1995 |
|
СПОСОБ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ СТРУКТУР ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность: для геттерирования структур интегральных схем (ИС) на заключительном этапе изготовления ИС перед изготовлением металлизации проводят нагрев с заданной скоростью нерабочей стороны подложки импульсным некогерентным излучением до образования локальных областей расплава на ее поверхности, рабочая сторона при этом охлаждается. При кристаллизации происходит формирование геттерного слоя, его эффективность определяется температурой и скоростью нагрева. Затем проводят низкотемпературный отжиг некогерентным излучением и химическое травление нерабочей стороны подложки. 1 ил., 1 табл. | 2029410 патент выдан: опубликован: 20.02.1995 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИМПУЛЬСНОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении интегральных микросхем. Сущность: устройство содержит рабочую камеру с системой трубчатых ламп, подложкодержатель, механизм транспортировки кассеты с пластинами, механизм транспортировки полупроводниковой пластины в рабочую камеру, камеру двусторонней очистки, расположенную перед рабочей камерой. Камера очистки содержит лампы ультрафиолетового излучения, клапаны ввода-вывода газа, а также вакуумное уплотнение, расположенное между рабочей камерой и камерой очистки. Рабочая камера выполнена с кварцевым окном и дополнительно оснащена лампой ультрафиолетового излучения со сферическим отражателем и вакуумным клапаном. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2027255 патент выдан: опубликован: 20.01.1995 |
|
УСТРОЙСТВО ИМПУЛЬСНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: устройство содержит источник питания излучателя, задатчик температуры пластин, коммутирующее устройство, переключатель, датчик температуры, усилитель, высоковольтный источник постоянного напряжения, рабочую камеру с излучателем некогерентного излучения, электродами и держателями полупроводниковых пластин, установленную над излучателями и отделенную от них кварцевой перегородкой водоохлаждаемую камеру с ультрафиолетовой лампой, соединенной через задатчик длительности с источником напряжения, и дополнительный источнмк питания переменного напряжения, соединенный с электродами. 1 ил. | 2027254 патент выдан: опубликован: 20.01.1995 |
|
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ АЛМАЗНЫХ ПЛЕНОК Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ включает воздействие светового излучения определенной длины волны на исходные вещества, направляемые на подложку в виде молекулярных пучков и саму подложку в условиях высокого вакуума. Облучение осуществляют на расстоянии от подложки меньшем, чем длина свободного пробега молекул исходных веществ. 1 табл. | 2023325 патент выдан: опубликован: 15.11.1994 |
|
СПОСОБ СОЗДАНИЯ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов, гибридных, интегральных и криомикросхем. Сущность изобретения: на подложку наносят раствор цирконийорганической композиции, проводят обработку воздействием ультрафиолетового излучения при 100-200°С в течение 15-60 мин, а затем термообработку воздействием облучения некогерентным светом с интенсивностью, обеспечивающей нагрев подложки, со скоростью 60-150 град/с до 500-900°С. 1 табл. | 2018192 патент выдан: опубликован: 15.08.1994 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС Использование: технология изготовления многопороговых БИС на МДП-транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления МДП БИС включает в себя операции формирования на кремниевой подложке активных и полевых областей, ионное легирование подзатворной области, формирование поликремниевой разводки, нанесение межслойной изоляции, формирование металлизированной разводки и облучение сформированной структуры рентгеновским излучением. Рентгеновское облучение проводят перед формированием металлизированной разводки и после рентгеновского облучения проводят подгонку пороговых напряжения каждой группы транзисторов с одинаковым значением порогов путем облучения из подзатворных областей дозами ультрафиолетового (УФ) излучения, после чего структуры подвергают термическому отжигу при температуре 400 - 450°С в течение 0,5 - 1 ч. Облучение УФ-пучком осуществляют через контактные кварцевые фотошаблоны, прозрачные для квантов в диапазоне 4,35 - 8,8 эВ. Процесс облучения проводят импульсно с длительностью импульса 2 - 10 мкс и с частотой следования импульсов 0,1 - 20 Гц. Рентгеновское облучение проводят дозой насыщения, а процесс облучения УФ-излучением различных групп проводят путем последовательного затенения или открывания перед пучком групп транзисторов, имеющих одинаковое значение порогов. 3 з.п. ф-лы. | 2017265 патент выдан: опубликован: 30.07.1994 |
|
СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов. Сущность: на поверхность полупроводниковой подложки наносят лигатуру. Полученную структуру помещают в магнитное поле и проводят облучение светом с плотностью мощности, не вызывающей плавление поверхности структуры. 4 ил. | 2008742 патент выдан: опубликован: 28.02.1994 |
|