Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .......из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов – H01L 21/316

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. В способе получения слоя диоксида кремния, включающем загрузку полупроводниковой подложки в реактор, нагрев полупроводниковой подложки до необходимой температуры в диапазоне 300-500°C, подачу паров алкоксисилана, преимущественно - тетраэтоксисилана, и окислителя в виде смеси кислорода и озона, с концентрацией последнего в первом в диапазоне 0-16 вес.%, поддержание рабочего давления в реакторе в диапазоне 0,5-760 мм рт.ст., процесс осаждения осуществляют циклами, состоящими из последовательных импульсов паров алкоксисилана и окислителя, разделенными импульсами продувочного инертного газа, причем длительность импульсов составляет 0,1-20 секунд, а количество циклов рассчитывают из необходимой толщины слоя и скорости осаждения слоя диоксида кремния за один цикл. Изобретение позволяет обеспечить равномерный рост слоев диоксида кремния в условиях реализации процесса, исключающего взаимодействие исходных реагентов или их непрореагировавших остатков в реакторе, и обеспечивает взаимодействие реагентов на нагретой поверхности подложки в адсорбционном слое. 7 ил., 1 табл.

Использование: для получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоро-силикатных стекол для формирования p-n переходов. Сущность изобретения заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри нагретой однозонной печи СДОМ-3/100. Через трубу пропускается поток газа носителя - водород (H₂), а фосфорный ангидрид (P₂ O₅) помещают в зону источника и нагревают до температуры 300°C, при которой происходит испарение источника. Процесс проводят при следующем расходе газов: О₂=40 л/ч, азот N₂=500 л/ч. Технический результат: обеспечение возможности осуществления процесса диффузии фосфора с применением твердого источника диффузанта - фосфорный ангидрид (P₂O ₅) при температуре 1050°C и времени - 40 минут, и получить R_S=140±10 Ом/см, при котором обеспечивается уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и снижение длительности и температуры процесса.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты кристаллов p-n-переходов. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты поверхности кристаллов p-n переходов на поверхность кристалла наносят слой защитного стекла, состоящего из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят: 60% окиси кремния - SiO₂ и 28% окиси бора - B₂O ₃. После термообработки в вакууме при температуре 280±10°C в течение 18±2 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,45±0,5 мкм. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 600°C.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия защита поверхности p-n-переходов осуществляется на основе пленки окиси бериллия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1000°C, температура кристалла 600°С. Окись бериллия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген HBr. Устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом равно 12 см. Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси бериллия =0,8±0,1 мкм.

Изобретение относится к технологии полупроводниковой микро- и наноэлектроники, а именно к золь-гель технологии получения сегнетоэлектрических тонких стронций-висмут-тантал-оксидных пленок на интегральных микросхемах, применяемых в частности в устройствах энергонезависимой памяти типа FRAM. Техническим результатом изобретения является обеспечение однородности изготавливаемой сегнетоэлектрической пленки, упрощение контроля над процессом приготовления золя и увеличение срока хранения исходного золя, снижение энергоемкости процесса и снижение его стоимости. В золь-гель способе формирования сегнетоэлектрической стронций-висмут-тантал-оксидной пленки готовят исходные растворы хлорида стронция, хлорида висмута и хлорида тантала. Каждый полученный раствор подвергают ультразвуковой обработке в течение 20-40 минут, выдерживают в течение суток при комнатной температуре и фильтруют. Смешивают растворы в один и выдерживают его в течение суток при комнатной температуре. Образуется пленкообразующий раствор, который наносят на подложку, сушат подложку с нанесенным пленкообразующим раствором при температуре 50-450^°С и отжигают пленку в присутствии кислорода при температуре 700-800^°С в течение 1-2 часов. В результате получают сегнетоэлектрическую стронций-висмут-тантал оксидную пленку. 5 ил.

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: полупроводниковую структуру создают путем формирования оксинитридного пористого кремния азотированием пластин с пористым кремнием при температуре 1000°С в диффузионной печи в среде аммиака в течение 1-2 часа с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере аммиака при давлении (9-10)·10 ⁶. 1 табл.

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к методам получения защитных пленок для формирования активных областей p-n переходов. Сущность изобретения: при получении диэлектрической пленки диоксида кремния на поверхности кремниевой подложки формируют слой диэлектрический пленки диоксида кремния за счет горения водорода (H₂) и сухого кислорода (O₂) в среде азота (N₂) при температуре - 980±20°С и расходе газов: N₂=400 л/ч; Н₂=65 л/ч; O₂=650±50 л/ч, разброс толщины пленки составляет - 3,5÷4,0%. Изобретение позволяет получить равномерную и ненарушенную пленку диоксида кремния без примесей при низких температурах.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве твердотельных газовых датчиков паров углеводородов. Сущность изобретения: в способе получения пористой пленки диоксида кремния нанометровой толщины пленка диоксида кремния модифицируется углеродом путем добавления графитовых дисков на кремниевую мишень во время магнетронного распыления, формирование пор происходит во время протекания химической реакции углерода с кислородом на подложке на стадии формирования диэлектрической пленки. Изобретение обеспечивает получение пористых слоев диоксида кремния с различной концентрацией пор. Формируемая пленка обладает большой адсорбционной способностью, что позволяет использовать ее в датчиках газов. 3 ил.

Изобретение относится к технологии выращивания оксидных слоев и может быть использовано при создании защитных либо пассивирующих покрытий на поверхности металла или полупроводника. Сущность изобретения: в способе плазменного анодирования металлического или полупроводникового объекта проводят операции откачки рабочей камеры, напуска кислорода, создания плазмы пучком электронов, проходящим вблизи поверхности объекта. Напротив анодируемого объекта располагают полый катод, подают на него отрицательное относительно объекта напряжение 20-50 В, и анодирование проводят при давлении кислорода 5÷20 Па. Изобретение обеспечивает увеличение скорости роста оксидных слоев на поверхности металлических или полупроводниковых объектов, при сохранении бездефектной структуры слоев. 1 ил.

Изобретение относится к технологии получения защитных пленок полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в способе получения фосфоросиликатных пленок, обработку подложек проводят смесью трихлорида фосфора, кислорода и окиси азота при следующем соотношении расходов газов: трихлорида фосфора - РСl₃=18 л/ч; кислорода - O ₂=20±0,5 л/ч, окиси азота - NO=200±10 л/ч. Обработку подложек ведут с предварительным нагревом их до температуры 250-400°С. Изобретение обеспечивает получение пленок фосфоросиликатного стекла при низких температурах.

Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп А^IIIB^V, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник. Изобретение позволяет улучшить электрические параметры границы раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник, сформированных на пассивированной поверхности GaAs. Сущность изобретения: способ пассивации поверхности GaAs включает химическую очистку поверхности пластины GaAs, окисление в растворе перекиси водорода Н₂O₂ в течение 1-10 мин, халькогенизацию в растворе (NH₄)₂S и удаление остатков раствора. Целесообразно также после химической очистки поверхности пластины GaAs и ее окисления проводить операции технологического маршрута изготовления полупроводникового прибора, а халькогенизацию пластины GaAs выполнять непосредственно перед осаждением тонких металлических пленок или тонкой диэлектрической пленки. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологий и может быть использовано для изготовления сенсорных датчиков, приборов контроля составов газовых смесей, оптических приборов, в оптоэлектронике, наноэлектронике. Технический результат заключается в получении однородных упорядоченных структур диоксида олова. Сущность изобретения: в способе получения тонких пленок, содержащих наноструктурированный диоксид олова, электрохимически заполняют металлическим оловом поры в ячейках наноструктурированного оксида алюминия, после чего окисляют олово на воздухе при температуре 250-450°С в течение 40-90 минут.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: в способе получения боросиликатных пленок, включающем осаждение пленок на нагретые кремниевые подложки из газовой фазы, содержащей соединения бора, в качестве источника бора используют твердый планарный источник - нитрид бора, пленку осаждают из газовой фазы дополнительно содержащей азот, кислород и водород при следующем расходе указанных компонентов: N₂ - 240 л/ч, О ₂ - 120 л/ч, Н₂ - 7,5 л/ч, а температуру подложек поддерживают в интервале 700-800°С. Техническими результатом изобретения является снижение температуры процесса.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, для маскирования поверхности кремниевых пластин при проведении диффузионных процессов. Сущность изобретения: пленку окисла кремния получают с использованием газовой фазы, в состав которой входят азот, кислород и водород при соотношении компонентов:

N₂=400 л/ч, H₂=75 л/ч, O₂=750 л/ч при температуре рабочей зоны 1000°С. Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине полученной пленки окисла кремния на пластинах составляет 3,5÷4,0%. Изобретение обеспечивает получение равномерной и ненарушенной пленки окисла кремния без примесей.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения защитных пленок. Сущность изобретения: способ получения защитных пленок на основе окиси гафния включает формирование на поверхности подложки защитного слоя окиси гафния при температуре 350-400°С из газовой фазы, состоящей из тетрахлорида гафния (HfCl₄), кислорода (О₂) и окиси азота (NO), при мольном соотношении, соответственно равном 1:1:(2,8-3,2), и скорости газового потока 15-20 л/ч. Изобретение позволяет получить защитные пленки окиси гафния при низких температурах.

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления пленок диоксида кремния окисление проводят в парах воды при температуре 1150-1200°С с введением в окислительную среду 1-4% хлора. Техническим результатом изобретения является снижение плотности дефектов в диоксиде кремния, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. 1 табл.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения тонкопленочных конденсаторов. Сущность изобретения: в способе получения пленок оксида циркония подложки подвергают обработке гомогенной газовой смесью при мольном соотношении тетрахлорида циркония к кислороду и оксиду азота, соответственно равном 1:1:(3,8-4,2), обработку подложек ведут с предварительным нагревом их до температуры 300-400°С при скорости газового потока 15-20 л/ч. Техническим результатом изобретения является получение оксида циркония при низких температурах.

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе импульсно-лазерного получения тонких пленок материалов с высокой диэлектрической проницаемостью (ВДП) для подзатворного изолятора в сверхбыстрых металл-оксид-полупроводниковых (МОП)-транзисторах, состоящем в предварительной подготовке подложки из монокристаллического кремния, формировании тонкой пленки из материалов с ВДП на основе оксидов металлов путем импульсного лазерного воздействия на мишень из этого материала, приводящего к распылению и осаждению его частиц после прохождения через разреженную среду формирующего газа на подложке, и последующем лазерном прогреве сформированной пленки, предварительную подготовку осуществляют путем активации поверхности подложки импульсным облучением одного УФ-лазера при плотности энергии до 0,35 Дж/см², процесс формирования пленки осуществляют путем облучения мишени лазером, приводящим к напылению слоев пленки в два этапа: на первом создается защитная пленка оксида металла, предотвращающая окисление кремния на втором этапе, при котором толщина пленки доводится до заданной величины при парциальном давлении кислорода до 10 Па и/или температуре 400-600°С подложки, а затем сформированную пленку облучают лазером при плотности излучения до 0,4 Дж/см² . Изобретение позволяет эффективно получать пленки из материалов с ВДП с необходимыми для использования в качестве подзатворного изолятора в сверхбыстрых МОП-транзисторах параметрами. 5 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к области металлооксидных полупроводниковых технологий. Сущность изобретения: в тонкопленочном материале диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью в качестве материала диэлектрика используют твердые растворы на основе сложных оксидов - перовскитоподобных барийлантаноидных полититанатов BaLn₂(Ti_1-x M_x)₄O ₁₂, BaLn₂(Ti_1-x M_x)₃O ₁₀, BaLn₂(Ti_1-x M_x)₂O ₈ (Ва, Ln) (Ti_1-x-yM _xTa_y)O₅ (Ln=La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y; M=Zr, Hf), где х, у=0÷1. Предложены способы получения данного материала. Техническим результатом изобретения является создание тонкопленочного материала, обеспечивающего эффективную толщину оксидного диэлектрика затвора в МОП структурах не более 1,5 нм при физической толщине пленки более 3 нм, при уровне токов утечки не более 0,1 А/см². 4 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является снижение токов утечки в полупроводниковых приборах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора на поверхности изолирующей подложки до процесса эпитаксиального выращивания кремниевой полупроводниковой пленки формируют слой двуокиси кремния толщиной 0,2-0,4 мкм при температуре подложки 700-1080°С и со скоростью осаждения 0,02 мкм/мин. 1 табл.

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи. Сущность изобретения: способ создания диэлектрического слоя включает нанесение на подложку исходного образующего слоя и последующее окисление в кислородной плазме. В качестве материала исходного образующего слоя используют металл титан, нанесенный вакуумным напылением в слой толщиной 5-10 нм. Окисление проводят в кислородной плазме с давлением кислорода 0,8-1,0 Торр, мощностью ВЧ-разряда 100-400 Вт, в течение 2-64 мин. В способе в качестве подложки используют пластину из полупроводника, например, 4 группы, кремния. Техническим результатом изобретения является снижение толщины получаемых диэлектрических слоев TiO₂, снижение дефектности, достижение высокой гладкости и сплошности, достижение совместимости со стандартной промышленной технологией СБИС. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: изобретение может быть использовано для получения плазменным химическим осаждением из паровой фазы пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) с низкой диэлектрической постоянной. Сущность изобретения: способ получения пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) предусматривает проведение химического осаждения из паровой фазы с использованием алкилсилана, содержащего по меньшей мере одну винильную или этинильную группу, вместе с плазмой O₂-содержащего газа. Алкилсилан могут выбирать из группы, состоящей из винилтриметилсилана, винилтриэтилсилана, аллилдиметилсилана, этинилтриметилсилана, этинилтриэтилсилана и их смеси. O₂-содержащий газ могут выбирать из группы, состоящей из O₂, N₂O, О₃, Н ₂O₂, CO₂, Н₂О и их смеси. Способ дополнительно может включать стадию отжига осажденной пленки при температуре в интервале от 300 до 500°С в течение 0,5-8 ч. Пленка из гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) полученная заявленным способом обладает низкой диэлектрической постоянной. Техническим результатом изобретения является обеспечение способа получения пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) с низкой диэлектрической постоянной с использованием технологии химического осаждения из паровой фазы. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 37 ил.