Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение – H01L 21/365

Изобретение относится к технологии эпитаксиального выращивания тонких пленок из газовой фазы. Сущность изобретения: в способе получения тонких пленок теллурида кадмия в вертикально расположенном реакторе типа «горячая стенка» в нижней части размещают источник теллурида кадмия, над ним на расстоянии не менее 10 диаметров реактора - подложку теллурида кадмия-ртути, присоединяют реактор к вакуумной откачной системе 10^-3 Па и нагревают его таким образом, что температура источника составляет 500°С, температура области между источником и подложкой на расстоянии не менее 10 диаметров реактора составляет 550-600°С, температуру зоны конденсации и подложки поддерживают в пределах 250-300°С, а расстояние между границей зоны конденсации и подложкой поддерживают на уровне не более длины свободного пробега молекул газовой фазы при температуре конденсации. Техническим результатом изобретения является получение тонких пленок CdTe на поверхности теллурида кадмия-ртути в реакторе типа «горячая стенка».

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск моносилана для осаждения слоев поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до предельного вакуума, напуск в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин из реактора. После напуска в реактор инертного газа проводят дополнительный термоотжиг слоев поликристаллического кремния при температуре, не меньшей 1323 К, затем выдерживают пластины при этой температуре в течение 40-60 мин в потоке инертного газа и снижают температуру до температуры роста слоев поликристаллического кремния. Техническим результатом изобретения является уменьшение неоднородности сопротивления слоев поликристаллического кремния. 1 ил., 2 табл.