Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ....p-i-n диоды – H01L 29/868

Изобретение относится к СВЧ-монолитным интегральным схемам и предназначено для использования в качестве защитных схем, например в устройствах, содержащих малошумящие усилители. Cхема сверхширокополосного ограничителя СВЧ-мощности отражательного типа согласно изобретению построена не как фильтр нижних частот, а представляет собой отрезок копланарной линии передач (либо копланарной линии передач с заземляющей плоскостью), сочлененный с планарными распределенными pin-структурами, включенными встречно-параллельно относительно соответствующих проводников копланарной линии (либо копланарной линии с заземляющей плоскостью). Изобретение обеспечивает возможность повысить значение верхней рабочей частоты и увеличить максимальное значение входной мощности ограничителя.

1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике. Изобретение обеспечивает улучшение динамических свойств, расширение диапазона рабочих напряжений, увеличение плотности токов, повышение термодинамической устойчивости высоковольтных ультрабыстрых арсенид-галлиевых диодов. Сущность изобретения: в конструкции кристалла арсенид-галлиевого диода в эпитаксиальных анодных и катодных областях структуры профиль концентрации легирующей примеси резко выраженный ступенчатый с резким - плавным - резким убыванием и возрастанием разностной концентрации донорной и акцепторной примесей. Кристалл ультрабыстрого мощного высоковольтного арсенид-галлиевого диода содержит высоколегированную монокристаллическую подложку первого типа проводимости с концентрацией легирующей примеси не менее чем 10¹⁹ см^-3 ; эпитаксиальный слой первого типа проводимости с областями резкого, плавного, резкого уменьшения разностной концентрации донорной и акцепторной примесей от уровня концентрации в подложке 10 ¹⁹ см^-3 до менее чем 10¹¹ см ^-3; эпитаксиальный слой с разностной концентрацией донорной и акцепторной примесей 10¹¹ см^-3; эпитаксиальный слой второго типа проводимости с областями с резким, плавным, резким увеличением разностной концентрации донорной и акцепторной примесей от 10¹¹ см^-3 до 10¹⁸ см^-3 и более. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.