Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов – H01L 33/00

Изобретение относится к светотехнике, а именно изготовлению светоизлучающих полупроводниковых приборов на подложке из аморфного минерального стекла. Стекловидная композиция на основе минерального стекла, содержащего окислы элементов II, и/или III, и/или IV группы периодической системы, отличается тем, что поверхность стекла покрыта выращенным слоем электропроводящего и светоизлучающего полупроводникового соединения типа A²B⁵ , и/или A²B⁶, и/или А³В ⁵, и/или А⁴В⁶. Также предложен способ изготовления стекловидной композиции на основе минерального стекла, содержащего окислы элементов I,I и/или III, и/или IV группы периодической системы, в котором для образования на стеклянной поверхности слоя электропроводящего и светоизлучающего соединения типа А ²В⁵, и/или А²В⁶, и/или А³В⁵, и/или А⁴В⁶ стекло подвергают термообработке путем нагрева в инертном газе при температуре 500-5000°С, легируют стекло до или в процессе термообработки элементами V и/или VI группы, удаляют кислород из зоны термообработки. Изобретение обеспечивает возможность формирования прогнозируемых полупроводниковых соединений различного состава. 2 н. и 4 з.п. ф-лы.

Светоизлучающий прибор согласно изобретению содержит связанные друг с другом светоизлучающий элемент и элемент, преобразующий длину волны, при этом светоизлучающий элемент содержит со стороны элемента, преобразующего длину волны, первую область и вторую область, а элемент, преобразующий длину волны, содержит со стороны светоизлучающего элемента третью область и четвертую область, причем первая область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению со второй областью, а третья область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению с четвертой областью, при этом первая область и третья область связаны напрямую. Также предложен способ изготовления светоизлучающего прибора. Изобретение обеспечивает прочную связь между светоизлучающим элементом и элементом, преобразующим длину волны. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к светодиодному модулю. Технический результат - разработка состоящего из нескольких расположенных на печатной плате светодиодов светодиодного модуля, в котором выход из строя отдельных светодиодов не виден снаружи благодаря «вводу» излучаемого пассивным светодиодом светового потока в элемент ввода светового излучения вышедшего из строя светодиода. Достигается тем, что в модуле, состоящем из нескольких расположенных на печатной плате светодиодов, которые имеют соответственно так называемую укладку с линзой, которыми соответствующий светодиод выступает из плоскости печатной платы, причем светодиоды связаны соответственно с элементом ввода светового излучения световодного тела и посредством соответственно соотнесенного элемента ввода светового излучения соответствующий световой поток соотнесенных светодиодов излучается наружу из светодиодного модуля. Для достижения однородного внешнего вида на печатной плате для светодиодов предусмотрен по меньшей мере один пассивный светодиод, который выполнен с возможностью активации при выходе из строя одного из светодиодов. Испускаемый этими пассивными светодиодами световой поток проникает в элемент ввода светового излучения соответствующего светодиода и посредством элемента ввода светового излучения излучается наружу. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: для изготовления органических светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светоизлучающий диод содержит прозрачную или частично прозрачную подложку с нанесенной на нее слоистой структурой, содержащей по меньшей мере один органический электролюминесцентный слой и транспортные подслои из органических веществ n- и p-типов проводимости, расположенных на границах электролюминесцентный слой - контактный слой. Органическая слоистая структура заключена между нижним катодом, на поверхности которого сформирована система микроострий, и верхним, анодом, выполненным из пленки ITO также со сформированной системой микроострий. Технический результат: обеспечение возможности повышения уровня и равномерности инжекции носителей, реализации изделия, отвечающего требованиям по яркости свечения и рабочим характеристикам, не усложняя технологию и обеспечение возможности использования легкодоступных металлов. 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов ультрафиолетового диапазона с длинами волн в диапазоне 260-380 нм. Ультрафиолетовый светодиод на нитридных гетероструктурах включает металлические электроды p-типа, нитридный слой p-типа, III-нитридную активную область, III-нитридный слой n-типа, сапфировую подложку с текстурированной полуполярной или неполярной поверхностью III-нитридного слоя. При этом текстурированная поверхность полуполярной или неполярной плоскости III-нитридного слоя выполнена в виде щетки нанотрубок, размеры которых и расстояние между которыми сравнимы с длиной волны излучения. Изобретение позволяет увеличить внешний квантовый выход устройства за счет создания текстурированной поверхности с увеличенным выводом излучения такого типа, чтобы она позволяла выводить большой световой поток, не внося при этом нежелательную поляризацию, значительно уменьшить внутреннее отражение, улучшить эффективность рекомбинации носителей. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к люминесцентному преобразователю (10, 12) для усиленного люминофором источника (100, 102, 104) света. Люминесцентный преобразователь содержит первый люминесцентный материал (20), выполненный с возможностью поглощения по меньшей мере части возбуждающего света (hv0), эмитируемого излучателем (40, 42) света усиленного люминофором источника света, и преобразования по меньшей мере части поглощенного возбуждающего света в первый эмитируемый свет (hv1), содержащий длину волны большей величины по сравнению с возбуждающим светом. Люминесцентный преобразователь также содержит второй люминесцентный материал (30), содержащий органический люминесцентный материал (30) и выполненный с возможностью поглощения по меньшей мере части первого испускаемого света, эмитируемого первым люминесцентным материалом, и преобразования по меньшей мере части поглощенного первого эмитируемого света во второй эмитируемый свет (hv2), имеющий длину волны большей величины по сравнению с первым эмитируемым светом. Действие люминесцентного преобразователя в соответствии с изобретением заключается в том, что двухступенчатое преобразование света в соответствии с изобретением создает сравнительно небольшой стоксовый сдвиг света, эмитируемого органическим люминесцентным материалом. Технический результат - повышение эффективности преобразования. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к люминесцентным материалам - конвертерам вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона, выполненным в виде аморфной пленки оксида кремния SiO_X на кремниевой подложке, предназначенным для создания функциональных элементов фотонных приборов нового поколения, а также для контроля жесткого ультрафиолетового излучения в вакуумных технологических процессах. Толщина аморфной пленки оксида кремния SiO_X конвертера составляет 20÷70 нм. Содержание ионов кислорода в упомянутой пленке соответствует количеству, при котором стехиометрический коэффициент Х находится в пределах от 2,01 до 2,45. Увеличиваются интенсивности красного излучения конвертера, а также обеспечивается красное свечение при сохранении конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в видимое. 6 ил., 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является достижение однородности излучаемого света и повышение эффективности освещения. Осветительное устройство (10) содержит светоизлучающий диод (20), передающее основание (50), включающее люминесцентный материал (51), и просвечивающее выходное окно (60). Просвечивающее выходное окно (60) расположено на значительном расстоянии от СИД (20). Расстояние между люминесцентным материалом (51) и СИД (20) рЛС больше чем 0 мм, и расстояние между люминесцентным материалом (51) и выходным окном (60) рЛО также больше чем 0 мм. Просвечивающее выходное окно (60) имеет входную грань (63) с площадью (AEW1) выходного окна входной грани, а передающее основание (50) имеет входную грань с площадью (ASI) передающего основания входной грани. Выходное окно (60) и передающее основание (50) имеют отношение площадей поверхности AEW1/ASI 2. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 9 ил.

Группа изобретений относится к светоизлучающему устройству (2), содержащему источник (10) первичного света, светопреобразующую среду (14) и оптическую структуру (16). Источник первичного света располагается на подложке (11). Светопреобразующая среда, содержащая фосфоры (14), предназначена для преобразования, по меньшей мере, части первичного света во вторичный свет (II) другой длины. Светопреобразующая среда образует дистанционную фосфорную конфигурацию. Оптическая структура предназначена для приема части вторичного света (II) из светопреобразующей среды и приспособлена для перенаправления части вторичного света по направлению к первой плоскости, но от источника (10) первичного света. Оптическая структура (16) содержит множество поверхностей (17), которые ориентированы так, что часть вторичного света, перенаправляемого по направлению к первой плоскости, задает область, по меньшей мере, частично окружающую источник первичного света. Благодаря обеспечению оптической структуры, перенаправляющей вторичный свет от источника первичного света, можно существенно снизить или устранить поглощение вторичного света источником первичного света и, кроме того, световую эффективность можно повысить, перенаправляя этот вторичный свет в таком направлении, чтобы он передавался от светоизлучающего устройства. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.

Группа изобретений может быть использована в индикаторах, осветительных приборах, дисплеях, источниках света для подсветки жидкокристаллических дисплеев. Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит основание и электропроводящие компоненты, размещенные на основании, светоизлучающий элемент, имеющий полупроводниковый слой и прозрачную подложку; отражающий компонент, не покрывающий по меньшей мере часть боковых поверхностей и верхнюю поверхность прозрачной подложки и покрывающий боковые поверхности полупроводникового слоя; и светопропускающий компонент, покрывающий часть прозрачной подложки, не покрытую отражающим компонентом при этом светоизлучающий элемент закреплен на электропроводящих компонентах, причем на поверхности этих электропроводящих компонентов, по меньшей мере часть поверхности электропроводящих компонентов, на которой не закреплен светоизлучающий элемент, покрыта изолирующим заполнителем толщиной в 5 мкм или больше, который является отражающим компонентом, а светопропускающий компонент покрывает светоизлучающий элемент. Изобретение обеспечивает возможность эффективного вывода света вовне и высокую надежность устройства, а также уменьшить износ компонентов, составляющих устройство. 3 н. и 39 з.п. ф-лы, 32 ил.

Изобретение относится к области светотехники и касается устройства для управления цветностью светового потока белого светодиода. Устройство включает в себя светодиод белого свечения, прозрачную подложку, воздушную среду между белым светодиодом и подложкой, а также светорассеиватель. Прозрачная подложка снабжена средством преобразования спектральной составляющей белого света, выполненным в виде частиц люминофора, размещенных на поверхности или в материале прозрачной подложки. Светорассеиватель снабжен пространственно-структурированными элементами, выполненными в объеме или на поверхности светорассеивателя. Расстояние между подложкой и светоизлучающей поверхностью светорассеивателя составляет менее 50 мм. Технический результат заключается в обеспечении возможности управления цветностью светового потока белого светодиода и уменьшении яркости светоизлучающей поверхности. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к осветительному устройству на белых светодиодах. Устройство включает синие, фиолетовые или ультрафиолетовые светодиодные чипы и люминесцентное покрытие, использующее люминесцентный материал. Люминесцентный материал является сочетанием (1), (2), (3) или (4) люминесцентного материала А с синим послесвечением и желтого люминесцентного материала В. При этом желтый люминесцентный материал В способен излучать свет при возбуждении синими, фиолетовыми или ультрафиолетовыми светодиодными чипами и/или люминесцентным материалом А с синим послесвечением. Сочетание (1) представляет собой сочетание 40 вес.% Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺ ,Dy³⁺ и 60 вес.% Y₂O₃·Al ₂O₃·SiO₂:Ce·B·Na·P, сочетание (2) представляет собой сочетание 5 вес.% Sr₂ MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ + 30 вес.% Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu ²⁺,Dy³⁺ + 15 вес.% CaS:Bi³⁺,Na ⁺ и 25 вес.% Y₂O₃·Al₂ O₃·SiO₂:Ce·B·Na·P + 10 вес.% Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy ³⁺ + 15 вес.% Ca₂MgSi₂O₇ :Eu²⁺,Dy³⁺, сочетание (3) представляет собой сочетание 5 вес.% Sr₂MgSi₂O₇ :Eu²⁺,Dy³⁺ + 15 вес.% CaSrS:Bi³⁺ + 20 вес.% Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu ²⁺,Dy³⁺ и 15 вес.% Sr₃SiO₅ :Eu²⁺,Dy³⁺ + 20 вес.% Ca₂MgSi ₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ + 25 вес.% Y₃Al₅O₁₂:Се, а сочетание (4) представляет собой сочетание 45 вес.% Sr₄Al₁₄ O₂₅:Eu²⁺, Dy³⁺ и 55 вес.% Y ₂O₃·Al₂O₃·SiO ₂:Ce·В·Na·Р. Светодиодные чипы излучают синий свет в случае сочетаний (1), (2), (3) и излучают фиолетовый свет в случае сочетания (4). Осветительное устройство возбуждается переменным током, имеющим частоту электропитания не меньше чем 50 Гц. Изобретение позволяет улучшить стабильность люминесценции и уменьшить тепловой эффект. 2 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл., 2 пр.

Светоизлучающее устройство включает в себя светоизлучающий диод и люминесцентные вещества, расположенные вокруг светоизлучающего диода, чтобы поглощать по меньшей мере часть света, излучаемого светоизлучающим диодом, и излучать свет с отличной от поглощенного света длиной волны. Люминесцентные вещества содержат легированные Eu²⁺ силикатные люминофоры, в которых в качестве базовых кристаллических решеток для активации Eu²⁺, приводящей к люминесценции, используются твердые растворы в форме смешанных фаз между оксиортосиликатами щелочноземельных металлов и оксиортосиликатами редкоземельных металлов. Люминесцентные вещества используются в качестве преобразователей излучения для преобразования первичного излучения с более высокой энергией, например ультрафиолетового (УФ) излучения или синего света, в более длинноволновое видимое излучение и поэтому предпочтительно применяются в соответствующих светоизлучающих устройствах. Изобретение обеспечивает возможность увеличения ресурса использования устройства. 19 з.п. ф-лы, 3 табл., 7 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым источникам света. Согласно изобретению предложен способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя: формирование пластины устройства с матрицами СИД; разъединение матриц СИД на пластине устройства; разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД; нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД; удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; и разлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД, при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение. Также предложен другой вариант способа изготовления СИД, в котором отражающее покрытие выполнено из тонкой металлической пленки. Таким образом выполнение отражающего покрытия на боковых сторонах матриц СИД обеспечивает возможность регулирования краевого излучения, улучшение равномерности света при изменении угла и увеличение яркости. 2 н. и 25 з.п. ф-лы, 17 ил.

Кристаллы светоизлучающего диода (СИД) производят путем формирования слоев СИД, включая слой первого типа проводимости, светоизлучающий слой и слой второго типа проводимости. Формируются канавки в слоях СИД, которые проникают, по меньшей мере, частично в слой первого типа проводимости. Области электрической изоляции формируются на или примыкающими к, по меньшей мере, участкам слоя первого типа проводимости вдоль краев кристалла. Слой контактной площадки первого типа проводимости формируется, чтобы электрически контактировать со слоем первого типа проводимости и продолжаться над разделительными дорожками между кристаллами СИД. Слой контактной площадки второго типа проводимости формируется, чтобы электрически контактировать со слоем второго типа проводимости и продолжаться над разделительными дорожками между кристаллами СИД и электрически изолированными участками слоя первого типа проводимости. Кристаллы СИД монтируются на кристаллодержатели, и кристаллы СИД разделяются вдоль разделительных дорожек между кристаллами СИД. Изобретение обеспечивает возможность упрощения и снижения стоимости. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов. Структура включает III-нитридную полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью p-типа, при этом по меньшей мере одним слоем в светоизлучающей области является светоизлучающий слой B_x(In_yGa_1-y)_1-x N, 0,06 x 0,08 и 0,1 y 0,14, который обладает запрещенной энергетической зоной и объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и светоизлучающий слой B_x(In_yGa_1-y)_1-x N, слой InGaN, обладающий такой же запрещенной энергетической зоной, что и слой B_x(In_yGa_1-y )_1-xN, обладает объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и слой InGaN, и объемная постоянная решетки слоя B_x (In_yGa_1-y)_1-xN меньше, чем объемная постоянная решетки слоя InGaN. Изобретение обеспечивает III-нитридную полупроводниковую структуру, где по меньшей мере один слой в светоизлучающей области включает бор. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Способ включает измерение значения спектральной плотности низкочастотного шума каждого светодиода при подаче напряжения в прямом направлении и плотности тока из диапазона 0.1<J<10 А/см² до и после проведения процесса старения светодиода, осуществляемого в течение времени не менее 50 часов. Старение проводят при температуре p-n-перехода из интервала T_J=50-150°С, температуре окружающей среды из интервала T_b=25-120°С, плотности тока J через светодиод при подаче напряжения в прямом направлении из интервала J=35-100 А/см². Светодиоды со сроком службы менее 50000 часов выявляют по превышению уровня их спектральной плотности низкочастотного шума после процесса старения более чем на порядок по сравнению с значениями до процесса старения. Изобретение обеспечивает возможность расширения области применения за счет отбраковки светодиодов со сроком службы менее 50000 часов для светодиодов любых производителей, а также ускорения (оперативности) процесса отбраковки. 5 пр.

Изобретение относится к осветительному устройству на белых светодиодах, возбуждаемому импульсным током. Устройство включает упакованные внутри синие, фиолетовые или ультрафиолетовые светодиодные чипы и люминесцентное покрытие, использующее люминесцентный материал. Люминесцентный материал является сочетанием (1) или (2) люминесцентного материала А с синим послесвечением и желтого люминесцентного материала. Желтый люминесцентный материал В способен излучать свет при возбуждении синих, фиолетовых или ультрафиолетовых чипов и/или возбуждении люминесцентного материала А с синим послесвечением. Сочетание (1) представляет собой сочетание 5% Sr₂MgSi ₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ + 15% CaSrS:Bi ³⁺ + 20% Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu ²⁺,Dy³⁺ и 15% Sr₃SiO₅:Eu ²⁺,Dy³⁺ + 20% Ca₂MgSi₂ O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ + 25% Y₃ Al₅O₁₂:Се, а сочетание (2) представляет собой сочетание 35% CaS:Br³⁺,Na⁺ и 25% Y₂O₃·Al₂O₃·SiO ₂:Ce·B·Na·P + 10 %CaS:Sm³⁺ + 15% Y₂O₂S:Mg,Ti + 5% Sr₃SiO ₅:Eu²⁺,Dy³⁺ + 10% Ca₂MgSi ₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺. При этом осветительное устройство на белых светодиодах возбуждает светодиодные чипы импульсным током, имеющим частоту не меньше чем 50 Гц. Изобретение позволяет улучшить стабильность люминесценции и уменьшить тепловой эффект. 4 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл., 2 пр.

Изобретение относится к области светоизлучающих диодов Согласно изобретению предложен способ формирования герметизации светоизлучающих диодов, причем способ содержит этапы, на которых определяют геометрическую форму для герметизации; выбирают ограждающий материал; наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее геометрическую форму, причем указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала при помощи автоматического распыления; и наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации. Также согласно изобретению предложены светодиод и лампа на основе светодиода. Изобретение обеспечивает упрощение изготовления светодиодов и снижение затрат на их производство. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для излучения света посредством светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светодиодное (LED) устройство содержит металлическую подложку, имеющую отражающую поверхность, и множество светодиодных кристаллов, установленных непосредственно на отражающей поверхности металлической подложки, чтобы обеспечить возможность рассеяния тепла, при этом, по меньшей мере, часть светодиодных (LED) кристаллов размещена на расстоянии друг от друга, чтобы обеспечить возможность отражения света от части отражающей поверхности, которая расположена между частями светодиодных (LED) кристаллов, а также электрическую цепь, сформированную путем соединения светодиодных (LED) кристаллов кристалл к кристаллу. Технический результат: повышение светоотдачи, улучшение теплоотвода от матрицы светодиодных кристаллов и упрощение изготовления матрицы светодиодных кристаллов. 4 н. и 28 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является увеличение угла излучения. Осветительное устройство включает в себя осветительные средства (40), которые при подаче напряжения излучают первичное излучение, и твердые частицы (64, 66), которые, по меньшей мере, участками окружают осветительные средства (40) и которые взаимодействуют с первичным излучением. Концентрация частиц (64, 66), по меньшей мере, в одном направлении от осветительных средств (40) изменяется от первой концентрации частиц ко второй концентрации частиц. 23 з.п. ф-лы, 22 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является обеспечение низкого потребления энергии и упрощение изготовления. Источник света включает печатную плату, способную рассеивать тепло, пакет светодиодной матрицы, расщепитель пучка и рефлектор. Пакет светодиодной матрицы прикреплен к печатной плате и закрыт расщепителем пучка, который в свою очередь прижат и позиционирован с рефлектором. Центральные световые пучки от пакета светодиодной матрицы коллимируются расщепителем пучка для проецирования наружу. Боковые световые пучки преломляются в направлении расщепителем пучка, перехватываются рефлектором и направляются на целевую область освещения вместе с центральными световыми пучками. 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к оптическим устройствам и способам их изготовления. Предложено оптическое устройство, включающее светоизлучающий или светочувствительный элемент, установленный на подложку, и отвержденный кремнийорганический материал, объединенные в единое изделие в результате герметизации элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, причем поверхность отвержденного кремнийорганического материала обработана полиорганосилоксаном, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле. Предложен также способ изготовления указанного оптического устройства. Технический результат - предложенное оптическое устройство устойчиво к налипанию пыли и грязи вследствие уменьшения липкости поверхности отвержденного кремнийорганического материала, который герметизирует светоизлучающий или светочувствительный элемент. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 7 ил., 6 пр.

Источник (1) инфракрасного излучения содержит первичный преобразователь (2) энергии с токоподводящими контактами (3) и активную область (4) с оптической толщиной в направлении вывода излучения, не превышающей двойного значения обратной величины среднего коэффициента поглощения активной области в диапазоне энергий квантов излучения источника (1). Активная область (4) выполнена по меньшей мере из одной непроводящей жидкости или газа, имеющих полосы поглощения излучения источника. Первичный преобразователь (2) энергии выполнен из пьезоэлектрика. Активная область (4) и первичный преобразователь (2) энергии помещены в герметичный корпус (5), по меньшей мере часть которого прозрачна для излучения источника (1). Источник (1) обеспечивает повышенную мощность инфракрасного излучения в области энергий h ₂<0,12 эВ. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание множества III-нитридных полупроводниковых структур на подложке, причем каждая полупроводниковая структура включает в себя светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа; подложка включает в себя основание, множество участков III-нитридного материала, разделенных углублениями, причем углубления простираются через всю толщину III-нитридного материала, который формирует упомянутые структуры, связывающий слой, расположенный между основанием и множеством участков III-нитридного материала; при этом светоизлучающий слой каждой полупроводниковой структуры имеет значение постоянной решетки, большее чем 3,19 ангстрем; и формирование проводящего материала, который электрически соединяет две из III-нитридных полупроводниковых структур. Также предложено полупроводниковое светоизлучающее устройство. Изобретение обеспечивает улучшение производительности и надежности, за счет исключения деформации и дефектов кристалла в слоях III-нитридного устройства. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

Предложено светодиодное светоизлучающее устройство, в котором упрощена регулировка цветовой температуры белого света, при этом светодиодное светоизлучающее устройство содержит множество блоков светоизлучения разных типов, содержащих, соответственно, светодиодные элементы, которые испускают ультрафиолетовое излучение или видимый свет фиолетового цвета, и люминофоры, которые поглощают ультрафиолетовое излучение или видимый свет фиолетового цвета и излучают цветной свет; причем цветной свет, излучаемый множеством блоков светоизлучения разных типов, смешивается и становится белым светом; светодиодные элементы указанного множества блоков светоизлучения разных типов являются одинаковыми и смонтированы на одном основании; и два или более блоков светоизлучения частично перекрывают друг друга. Также предложены изобретения, касающиеся системы светоизлучения, сформированной на основе описанного выше светодиодного светоизлучающего устройства, и способа изготовления светодиодного светоизлучающего устройства. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к изготовлению и производству интегральных светоизлучающих приборов. Способ согласно изобретению включает размещение светоизлучающих элементов (СЭ) в замкнутом поле (ЗП) повторяющимися группами (Г) с виртуальными номерами гирлянд внутри Г вначале в прямом порядке, затем в обратном. Последовательное соединение СЭ с одноименными СЭ внутри Г осуществляют, например, с правой стороны, а между соседними Г с левой стороны, с поочередно прилегающими к друг другу проводниками (П), параллельно ориентированными оси расположения СЭ в ЗП в случае размещения П в плоскости (ПЛ) размещения СЭ. Б случае многоуровневого соединения СЭ под ПЛ размещения СЭ П в изолирующих слоях (ИС) соединение СЭ осуществляют соединительной металлизацией сквозь ИС с соответствующими П на ИС, которые располагают по двум виртуальным непересекающимся линиям, по которым, например, с левой стороны соединения с СЭ осуществляют внутри Г СЭ, а с правой стороны между соседними Г в зонах отсутствия П в предыдущих ИС. Технический результат: повышение плотности размещения Г СЭ в интегральной матрице, неизменности формы излучения светоизлучающего устройства при отказе одной или нескольких Г, надежности светоизлучающей матрицы в процессах изготовления, проверки, классификации, эксплуатации. Изобретение обеспечивает возможность нахождения приемов размещения и соединения гирлянд светоизлучающих элементов в их интегральной матрице для повышения плотности размещения, сохранение излучения светоизлучающего устройства при отказе одной или нескольких гирлянд светоизлучающей матрицы в процессах изготовления, проверки, классификации, эксплуатации и повышение процента выхода годных изделий. 1 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к области оптического приборостроения. Светодиодное устройство согласно изобретению включает один или несколько излучателей-чипов, установленных по любой топографии на единую плоскую подложку и покрытых общим слоем компаунда-геля, возможно с кристаллами люминофора, и пластину из оптического материала, размещенную без воздушного промежутка на плоской поверхности геля. На внутренней стороне пластины, граничащей с гелем, нарезаны взаимноперпендикулярные канавки, грани которых наклонены к поверхности геля на угол =55° 65°, глубина нарезки канавок не более h=0,8 мм. Вершины канавок образуют квадраты, стороны которых составляют D=(1,75 2,3)D_c, где D_c - размер стороны чипа, причем D=D₀, где D₀ - расстояние между оптическими осями излучателей-чипов, при этом оптические оси квадратов нарезки и соответствующих чипов совпадают. Изобретение обеспечивает повышение энергетических параметров устройства, а именно значительное увеличение осевой силы света и уменьшение энергетических потерь за счет увеличения угла охвата излучения кристалла чипа до ₁=±75°. 2 ил.

Изобретение относится к области оптического приборостроения, а именно к классу мощных светодиодов, которые используются в качестве аналогов галогенных ламп, а также для потолочных, индустриальных, фасадных и других светильников. Светодиодное устройство состоит из одного или нескольких излучателей-чипов, установленных по любой топографии на единую плоскую подложку и покрытых общим слоем компаунда-геля, возможно с кристаллами люминофора, причем над каждым чипом поверхность, граничащая с воздухом, является сферической или асферической с радиусом при вершине не более 4 мм. Диаметр этой поверхности составляет D=(1,75 2,3)D_c, где D_c - размер излучающей поверхности чипа, при этом оптические оси этих поверхностей совпадают, а расстояние от поверхности чипа до вершины поверхности, граничащей с воздухом, не превышает d=1,5 мм. Поверхность, граничащая с воздухом, может иметь над каждым чипом по всему периметру поверхности устройство, ограничивающее размер D, причем высота h и ширина t этого устройства не превышает (0,1 0,15)D. Поверхность, граничащая с воздухом, может быть выполнена на плоскоыпуклой линзе из любого оптического материала, в том числе из органического стекла, которая без воздушного промежутка расположена на компаунде-геле над чипом. Изобретение обеспечивает повышение энергетических параметров устройства, а именно значительное увеличение осевой силы света за счет увеличения угла охвата излучения кристалла до ₁=±65°, при этом потери чипа уменьшаются до E=6%. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для применений, связанных с освещением, отличным от подсветок, где вертикальная диаграмма направленности (диаграмма коллимирования) и диаграмма направленности бокового излучения света могут определяться независимо. Сущность изобретения заключается в том, что двойная прессованная линза для светодиода содержит внешнюю линзу, прессованную вокруг периферии светодиодного кристалла, и внутреннюю линзу коллимации, прессованную над верхней поверхностью светодиодного кристалла и частично определяемую центральным отверстием во внешней линзе. Внешняя линза формуется, используя силикон, имеющий относительно низкий показатель преломления, такой как n=1,33-1,47, и внутренняя линза формуется из силикона с более высоким показателем преломления, таким как n=1,54-1,76, чтобы вызвать полное внутреннее отражение во внутренней линзе. Технический результат: укорочения области смешивания, утончение световода без потери эффективности. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 15 ил.