Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ...имеющие особую форму – H01L 33/54

Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечение кристалла светоизлучающего диода (СИД) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности, формование материала (54) прокладки поверх кристалла СИД так, что материал прокладки запечатывает кристалл СИД и, по существу, полностью заполняет зазор между кристаллом СИД и опорой, и удаление материала (54) прокладки, но меньшей мере, с верхней поверхности кристалла СИД, причем кристалл СИД содержит эпитаксиальные слои (10), выращенные на ростовой подложке, причем поверхность ростовой подложки является верхней поверхностью кристалла СИД, при этом способ дополнительно содержит этап удаления ростовой подложки с эпитаксиальных слоев после формования материала (54) прокладки поверх кристалла СИД. Также предложены промежуточный способ изготовления светоизлучающего устройства, светоизлучающее устройство до сингуляции, светоизлучающее устройство, содержащее именно перевернутый кристалл. Таким образом использованная в изобретении обработка на уровне пластины одновременно многих СИД значительно сокращает время изготовления и позволяет использовать для прокладки широкий диапазон материалов, поскольку допускает широкий диапазон вязкости. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области осветительной полупроводниковой техники. Светодиодный блок содержит плоское теплопроводящее основание 9, выполненное на одной стороне с печатными проводниками 24 на диэлектрическом слое 25 и с закрепленными с помощью термостойкого полимерного адгезионного материала 26 светоизлучающими полупроводниковыми элементами 10, и линзовые крышки 11, изготовленные из светопрозрачного полимерного материала для каждого полупроводникового светоизлучающего элемента 10, в плоском основании 29 каждой из которых выполнено расположенное центрально гнездо 33 и каждая из которых установлена с расположением соответствующего каждой линзовой крышке 11 полупроводникового светоизлучающего элемента 10 в гнезде 33, заполненном светопрозрачным термостойким полимерным материалом. В основании 29 каждой линзовой крышки 11 выполнено дополнительное углубление, связанное линейной проточкой в основании 29 с гнездом 33 для вытеснения по ней в дополнительное углубление светопрозрачного термостойкого полимерного материала при установке линзовой крышки 11 с расположением в гнезде 33 полупроводникового светоизлучающего элемента 10. На основании 29 каждой линзовой крышки 11 для ее закрепления выполнены выступы, расположенные в выполненных в теплопроводящем основании 9 сквозных отверстиях и оплавленные на концах при сборке со второй стороны теплопроводящего основания 9. Изобретение обеспечивает возможность расширения арсенала светодиодных блоков, предназначенных для использования в устройствах освещения продолжительного использования, повышение технологичности светодиодного блока и обеспечивает оптимизацию отведения тепла от светоизлучающих полупроводниковых элементов и минимизацию площади основания светодиодного блока, содержащего набор светоизлучающих полупроводниковых элементов. 7 з.п. ф-лы, 8 ил.

Способ изготовления структуры светоизлучающего диода (СИД) включает формирование слоев СИД, включающих слой n-типа, активный слой и слой р-типа поверх подложки для роста; формирование металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД, причем нижняя поверхность слоев СИД является поверхностью, противоположной поверхности подложки для роста; обеспечение подмонтажной опоры, имеющей металлические контакты на верхней поверхности; осаждение слоя недоливка на нижней поверхности слоев СИД; после осаждения слоя недоливка, отделение подложки для роста от слоев СИД; и после удаления подложки для роста, прикрепление слоев СИД к подмонтажной опоре с помощью металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД, находящихся в контакте с металлическими контактами на верхней поверхности подмонтажной опоры, причем слой недоливка находится между нижней поверхностью слоев СИД и верхней поверхностью подмонтажной опоры. Изобретение обеспечивает более однородную и беспустотную опору, а также обеспечивает опору с наиболее близко подобранной характеристикой термического расширения, кроме того, обеспечивает опору с высокотемпературной работоспособностью, не ограниченной температурой стеклования органических материалов; и обеспечивает опору с повышенной теплопроводностью для максимально возможного теплоотвода. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 8 ил.