Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов: .модификации для увеличения максимально допустимого коммутирующего напряжения – H03K 17/10
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H03 Электронные схемы общего назначения
H03K Импульсная техника
H03K 17/00 Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов
H03K 17/10 .модификации для увеличения максимально допустимого коммутирующего напряжения
Патенты в данной категории
| МОП-УСТРОЙСТВО ВКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЕ Для включения высокого отрицательного напряжения (-Vpp), например, в качестве программирующего напряжения на линии слов флеш-накопителя (Flash) указаны два варианта устройств, которые выполнены только на транзисторах того же типа проводимости, что и подложка. Технический результат: за счет этого можно отказаться от глубоких изолированных ванн, которые требуют специальной технологии. 2 с. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил. | 2137294 патент выдан: опубликован: 10.09.1999 |
|
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ Изобретение относится к области преобразовательной техники и может быть использовано в системах управления транзисторными ключами преобразователей электрической энергии. Известное устройство для управления силовым транзисторным ключом, включающее первый транзисторный ключ (К), база которого соединена со входным резистором (Р) и одновременно с анодом диода (Д), силовой транзисторный К, клеммы для подключения источника напряжения смещения дополнительно снабжено вторым транзисторным К, тремя Р утечек, нагрузочным Р. Силовой транзисторный К выполнен в виде параллельного включения группы мощных транзисторов (Т) и двух групп уравнивающих Р. Все базы мощных Т подключены к соответствующей клемме, коллекторы соединены с клеммой для подключения внешней нагрузки, а эмиттеры соединены с общей шиной через первую группу уравнивающих Р и эмиттером первого транзисторного К через вторую группу уравнивающих Р. Эмиттер первого транзисторного К через нагрузочный Р соединен с общей шиной и одновременно через первый Р утечек с базой, а коллектор соединен с базой второго транзисторного К. Эмиттер второго транзисторного К соединен с клеммой для подключения положительного вывода источника напряжения смещения и одновременно через второй Р утечек с базой, причем коллектор соединен с клеммой для подключения базовых выводов силового транзисторного К, и через третий Р утечек с общей шиной, а отрицательный вывод источника напряжения смещения и катод Д соединены с клеммой для подключения внешней нагрузки. Технический результат: увеличение выходной мощности при сохранении качества выходного напряжения. 1 ил. | 2133553 патент выдан: опубликован: 20.07.1999 |
|
| УСТРОЙСТВО ВКЛЮЧЕНИЯ БОЛЕЕ ВЫСОКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЕ И СПОСОБ ЕГО ЭКСПЛУАТАЦИИ Для включения высоких положительных или отрицательных напряжений на выходном выводе (А) устройства первый р-канальный транзистор (Р1) и первый n-канальный транзистор (N1) расположены последовательно между выводами (VH1, VL1) для этих обоих напряжений. Затворы обоих транзисторов через нагрузочные участки транзисторов соответственно другого типа (N2, P3) соединены с первым и третьим входным выводом (Е1, Е3). Затворы этих транзисторов соединены с вторым или соответственно четвертым входным выводом (Е2, Е3). Первый р-канальный транзистор и первый n-канальный транзистор (Р1, N1) являются блокируемыми через соответственно включенные между выводами затворов и выводами для высокого положительного или соответственно высокого отрицательного потенциала (VН1, VL1) нагрузочные участки транзисторов соответственно одинакового типа (Р2, N3), затворы которых соединены с выходным выводом (А). В зависимости от потенциала на входных выводах к выходному выводу (А) может подключаться или высокий положительный или соответственно высокий отрицательный потенциал. 5 з.п. ф-лы, 4 ил. | 2127942 патент выдан: опубликован: 20.03.1999 |
|