ассоциативный элемент памяти

Формула изобретения

АССОЦИАТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий тиристор, транзистор записи, нагрузочный резистор, первый вывод которого подключен к шине питания, а второй соединен с анодом тиристора, первая база которого соединена с истоком транзистора, затвор которого подключен к адресной шине, а сток - к разрядной шине, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности ассоциативного элемента памяти, он содержит первый и второй транзисторы считывания, стоки которых подключены к шине сравнения, истоки - к прямой и инверсной шинам опроса соответственно, а затворы соединены с первой и второй базами тиристора соответственно.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области микроэлектроники, а точнее к запоминающим устройствам.

Известна ячейка ассоциативного запоминающего устройства, содержащая триггер на основе четырех полевых транзисторов, к плечам которого подключены истоки двух полевых транзисторов записи-считывания "0" и "1" и затворы двух полевых транзисторов схемы сравнения информации [1] . Ее достоинство - возможность выборки информации по заданному признаку. Недостаток - сложность схемы, обусловленная большим количество входящих в ее состав элементов (8 элементов).

Наиболее близкой к предлагаемой является ячейка запоминающего устройства, содержащая тиристор, нагрузочный резистор и полевой транзистор записи-считывания, подключенный истоком, например, к n-базе тиристора, затвором - к словарной шине, а стоком - к разрядной шине [2] . Недостаток ячейки - отсутствие возможности выборки информации по заданному признаку - ассоциативности.

Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти.

Это достигается тем, что элемент, содержащий тиристор, нагрузочный резистор и полевой транзистор записи-считывания, подключенный истоком к n-базе тиристора, затвором к словарной шине, а стоком - к разрядной шине, снабжен двумя полевыми транзисторами, подсоединенными затворами к n- и р-базам тиристора, истоками - к прямой и инверсной шинам опроса, а стоками - к шине сравнения.

Электрическая схема предлагаемого элемента изображена на чертеже.

Он содержит тиристор 1 p-n-p-n-типа, к базам 2 и 3 которого подключены затворы двух полевых транзисторов 4, 5, соединенных истоками с прямой и инверсной шинами опроса 6, 7, а стоками - с шиной сравнения 8. К n-базе тиристора подключен исток полевого транзистора 9, соединенный затвором со словарной шиной 10, а стоком - с разрядной шиной 11. Р-эмиттер 12 тиристора через нагрузочный резистор 13 соединен с источником питания Е_пит, а n-эмиттер 14 - с общим проводом источника питания.

Элемент работает следующим образом.

В режиме записи информация подается на разрядную шину 11, а на словарную шину 10 - импульс разрешения записи-считывания. При подаче на разрядную шину напряжения низкого уровня (лог. "0") тиристор переходит в открытое состояние. При этом потенциал р-базы высокий а n-базы - низкий. Соответственно подачей на разрядную шину напряжения высокого уровня (лог. "1") тиристор закрывается. В этом случае потенциал р-базы низкий, а n-базы - высокий. В режиме считывания записанная информация выводится на разрядную шину. В режиме сравнения эталонной информации, подаваемой на прямую и инверсную шины опроса 6, 7 с хранимой в элементе, шина сравнения 8 предварительно устанавливается в состояние лог. "1". Изменение состояния считается признаком несовпадения эталонной информации с хранимой.

Примем условно, что комбинация 1,0 на шинах опроса 6, 7 соответствует лог. "1", а противоположная - 0,1 - лог. "0". Если тиристор закрыт, то при подаче на шины опроса лог. "1" шина сравнения разрядится через открытый транзистор 5. При подаче на шины опроса лог. "0" транзистор 4 закрыт, и шина сравнения не меняет своего состояния. Если тиристор открыт, то при подаче на шины опроса лог. "1" транзистор 5 закрыт, и шина сравнения не меняет своего состояния. При подаче на шины опроса лог. "0" шина сравнения разрядится через открытый транзистор 4. Комбинация 1,1 на шинах опроса не изменяет состояние шины сравнения, что используется для наложения маски.

Таким образом, предлагаемый элемент ассоциативного запоминающего устройства позволяет реализовать выборку информации по заданному признаку при уменьшении количества элементов в 2 раза. (56) Прангишвили И. В. и др. Элементы ЗУ на МДП-структурах. М. : Энергия, 1978, с. 104.

Авторское свидетельство СССР N 343299, кл. G 11 C 11/00, 1970.