фоточувствительный элемент

Классы МПК:H01L31/04 предназначенные для работы в качестве преобразователей
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Вологодский политехнический институт
Приоритеты:
подача заявки:
1988-03-10
публикация патента:

Использование: изобретение относится к электронике, в частности к устройствам, чувствительным к свету и преобразующим световую энергию в электрическую. Сущность: фоточувствительный элемент содержит ряд фоточувствительных слоев с электродами, планарно расположенных на подложке с общим электродом к фоточувствительным слоям. Фоточувствительные слои выполнены соответственно из хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона, причем электроды к фоточувствительным слоям выполнены в виде общего слоя. 2 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2

Формула изобретения

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий ряд фоточувствительных слоев с электродами, планарно расположенных на подложке с общим электродом к фоточувствительным слоям, отличающийся тем, что, с целью расширения спектральной чувствительности за счет сложения спектров поглощения при упрощении конструкции, фоточувствительные слои выполнены соответственно из хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона, причем электроды к фоточувствительным слоям выполнены в виде общего слоя.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к оптоэлектронике, и может быть использовано при конструировании недорогих и простых в изготовлении преобразователей энергии.

Известен фоточувствительный элемент [1] , выполненный из ряда полупроводниковых слоев, обладающих различной спектральной чувствительностью. Однако прибор сложен в изготовлении.

Известен фоточувствительный элемент [2] , содержащий ряд фоточувствительных слоев с электродами, планарно расположенных на подложке с общим электродом к фоточувствительным слоям. Для изменения спектрального диапазона к отдельным фоточувстительным слоям прикладывается различное напряжение, что усложняет конструкцию.

Целью изобретения является расширение спектральной чувствительности за счет сложения спектров поглощения при упрощении конструкции фоточувствительного элемента.

Цель достигается тем, что в известном элементе фоточувствительные слои выполнены соответственно из хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона, причем электроды к фоточувствительным слоям выполнены в виде общего слоя.

На фиг. 1 изображен фоточувствительный элемент; на фиг. 2 - спектр чувствительности.

Фоточувствительный элемент содержит стеклянную подложку 1, прозрачный электрод 2 из SnO2, фоточувствительный слой 3 хлориндийфталоцианина, фоточувствительный слой 4 фталоцианина свинца, фоточувствительный слой 5 линейного хинакридона, электрод 6 из алюминия.

Пример выполнения фоточувствительного элемента.

Составной полупроводниковый слой формируют поочередным вакуумным напылением на очищенную стеклянную подложку с прозрачным проводящим слоем из SnO2 хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона в любой последовательности. Затем на составной слой вакуумным напылением наносят металлический электрод из алюминия. Вакуум - 1,33 фоточувствительный элемент, патент № 2006995 10-3 Па.

Спектр чувствительности элемента определяется по изменению отношения напряжения холостого хода Uxx элемента к мощности падающего излучения Р в зависимости от длины волны фоточувствительный элемент, патент № 2006995 излучения в диапазоне 400-900 нм. В качестве монохроматора использовалась оптическая система спектрофотометра СФ-26. Зависимость Р от фоточувствительный элемент, патент № 2006995 определялась термоэлементом РТН-10С, подключенным к вольтметру постоянного тока В2-36. Uxx элементов измерялись также вольтметром В2-36.

Результаты испытаний образцов представлены (освещение через алюминиевый электрод) на фиг. 2, где дан спектр чувствительности элемента.

По сравнению с известным данный фоточувствительный элемент значительно дешевле, так как стоимость 1 кг органического красителя в 100 раз дешевле 1 кг кремния и толщина пленки данного элемента в 106 раз меньше, чем, например, фоторезистора из германия. Данный фоточувствительный элемент не требует дополнительного источника энергии как у полупроводникового элемента и обеспечивает широкую спектральную чувствительность за счет сложения спектров поглощения. (56) 1. Патент Японии N 60-577713, кл. Н 01 L 31/08, 1985.

2. Патент Японии N 61-45871, кл. Н 01 L 31/10, 1986.

Класс H01L31/04 предназначенные для работы в качестве преобразователей

устройство для регистрации электромагнитного излучения -  патент 2503089 (27.12.2013)
краситель, содержащий закрепляющую группу в молекулярной структуре -  патент 2490746 (20.08.2013)
солнечный модуль -  патент 2468305 (27.11.2012)
ядерная батарейка -  патент 2461915 (20.09.2012)
способ изготовления полупроводниковой структуры с p-n переходами -  патент 2461093 (10.09.2012)
солнечный элемент -  патент 2455730 (10.07.2012)
полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию -  патент 2452060 (27.05.2012)
каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием -  патент 2436191 (10.12.2011)
конструкция и способ изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью -  патент 2432639 (27.10.2011)
способы и аппаратура для производства монокристаллического литого кремния и изделий из монокристаллического литого кремния для фотоэлементов -  патент 2425183 (27.07.2011)
Наверх