раствор для негативного травления халькогенидных стекол
Классы МПК: | C03C15/00 Обработка поверхности стекла, кроме волокон или нитей, травлением C03C23/00 Прочие способы обработки поверхности стекла, кроме волокон или нитей |
Автор(ы): | Индутный И.З., Костюкевич С.А., Шепелявый П.Е. |
Патентообладатель(и): | Институт полупроводников АН Украины |
Приоритеты: |
подача заявки:
1991-06-20 публикация патента:
28.02.1994 |
Раствор для негативного травления халькогенидных стекол относится к областям регистрации оптической информации. Он содержит, мас. % : диметилкетон 70 - 98,4; основание остальное. Причем при травлении As2S3 в качестве основания используют гидроксид аммония в количестве 1,6 - 2,8 мас. % , а при травлении As40S60-xSex где х= 20 - 40, в качестве основания используют этилендиамин в количестве 5 - 30 мас. % . 2 з. п. ф - лы, 2 табл.
Рисунок 1
Формула изобретения
1. РАСТВОР ДЛЯ НЕГАТИВНОГО ТРАВЛЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ, включающий основание, отличающийся тем, что, с целью улучшения селективности травления, он дополнительно содержит диметилкетон при следующем соотношении компонентов, мас. % :Диметилкетон 70 - 98,4
Основание Остальное
2. Раствор по п. 1, отличающийся тем, что при травлении халькогенидного стекла As2 S3 он в качестве основания содержит гидроксид аммония в количестве 1,6 - 2,8 мас. % . 3. Раствор по п. 1, отличающийся тем, что при травлении халькогенидного стекла
As40 S60-x Sex,
где X = 20 - 40,
в качестве основания используют этилендиамин в количестве 5 - 30 мас. % .
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области регистрации оптической информации и может быть использовано в оптотехнике, голографии, электронной технике, полиграфии и др. Халькогенидное стекло (ХС) являет собой максимально однородное, строго аморфизированное состояние вещества, что в сочетании с простотой получения, фоточувствительностью в широком спектральном диапазоне, они представляют собой интерес как высокоразрешающие неорганичные фоторезистивные среды. Важнейшим параметром, характеризующим пригодность использования ХС, как фоторезиста, является селективность растворения![раствор для негативного травления халькогенидных стекол, патент № 2008285](/images/patents/465/2008075/947.gif)
![раствор для негативного травления халькогенидных стекол, патент № 2008285](/images/patents/465/2008075/947.gif)
![раствор для негативного травления халькогенидных стекол, патент № 2008285](/images/patents/465/2008079/8776.gif)
![раствор для негативного травления халькогенидных стекол, патент № 2008285](/images/patents/465/2008075/947.gif)
25% NН4ОН 1,6-2,8
(СН3)2СО Остальное
Слои тройных ХС составов Аs40S60-x Seх, где 20
![раствор для негативного травления халькогенидных стекол, патент № 2008285](/images/patents/465/2008076/8773.gif)
![раствор для негативного травления халькогенидных стекол, патент № 2008285](/images/patents/465/2008076/8773.gif)
75% (СН2)2 (NH2)2 5,0-30,0
(СН2)2 СО Остальное. П р и м е р 1. На стеклянную подложку размером (100х40) мм2термическим испарением в вакууме 2 10-3 Па наносили слой Аs2S3 толщиной 200 нм. После извлечения образца из вакуумной камеры его одну половину закрывали вдоль черной непрозрачной бумагой, а вторую экспонировали излучением ртутной лампы ДРЩ-250 (установка ЭМ-583). Время экспонирования составляло 60с, плотность мощности излучения 0,14 Вт/см2. После экспонирования образец разрывали на десять равных частей так, чтобы каждая из них содержала экспонированный и неэкспонированный участки слоя As2S3. Затем в растворах, состоящих из диметилкетона и гидроокиси аммиака, при различных концентрациях последнего, производили селективное травление слоя As2S3. Селективность травления
![раствор для негативного травления халькогенидных стекол, патент № 2008285](/images/patents/465/2008075/947.gif)
![раствор для негативного травления халькогенидных стекол, патент № 2008285](/images/patents/465/2008075/947.gif)
1 - As40 S40 Se20
2 - As40 S30 Se30
3 - As40 S20 Se40
Условия приготовления и экспонирования образцов описаны в примере 1. Селективное травление образцов проводили в растворах, состоящих из смеси диметилкетона (СН2)2СО и этилендиамина (75% ) (СН2)2( NH2)2 при различных концентрациях последнего. Результаты исследования зависимости селективности
![раствор для негативного травления халькогенидных стекол, патент № 2008285](/images/patents/465/2008075/947.gif)
![раствор для негативного травления халькогенидных стекол, патент № 2008285](/images/patents/465/2008075/947.gif)
Класс C03C15/00 Обработка поверхности стекла, кроме волокон или нитей, травлением
способ химического травления труб из кварцевого стекла - патент 2477713 (20.03.2013) | |
паста для травления - патент 2449000 (27.04.2012) | |
способ уменьшения шероховатости поверхности кварцевого стекла - патент 2433968 (20.11.2011) | |
травильный раствор - патент 2367628 (20.09.2009) | |
раствор для матирования стекла - патент 2340576 (10.12.2008) | |
травильный раствор - патент 2338709 (20.11.2008) | |
травильный раствор - патент 2323181 (27.04.2008) | |
травильный раствор - патент 2320589 (27.03.2008) | |
полировальный раствор - патент 2301204 (20.06.2007) | |
гравировальные пасты для неорганических поверхностей - патент 2274615 (20.04.2006) |
Класс C03C23/00 Прочие способы обработки поверхности стекла, кроме волокон или нитей