способ изготовления сегнетокерамического материала для конденсаторов

Классы МПК:H01G4/12 керамические диэлектрики
C04B35/46 на основе оксидов титана или титанатов
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Витебское производственное объединение "Монолит"
Приоритеты:
подача заявки:
1991-02-07
публикация патента:

Изобретение относится к технологии сегнетокерамики и направлено на расширение интервала спекания, повышение диэлектрической проницаемости и механической прочности керамики и снижение себестоимости изделий на ее основе. Это обеспечивается тем, что материал содержит, мас. % : BaTiO3 79способ изготовления сегнетокерамического материала для   конденсаторов, патент № 201208592,25; SrTiO3 4,5способ изготовления сегнетокерамического материала для   конденсаторов, патент № 201208512,0; BaSuO3 1,0способ изготовления сегнетокерамического материала для   конденсаторов, патент № 20120854,5; BaF2 1,75способ изготовления сегнетокерамического материала для   конденсаторов, патент № 20120853,5; LiF 0,25способ изготовления сегнетокерамического материала для   конденсаторов, патент № 20120850,5; Li2 0,25способ изготовления сегнетокерамического материала для   конденсаторов, патент № 20120850,5. При изготовлении материала предварительно производят смешение исходных спеков с последующим спеканием смеси и ее измельчение в среде SrTiO3, после чего производят смешение активированного фторидами SrTiO3 с остальными спеками и добавками. В этом случае снижается летучесть Li и F при спекании, улучшается структура и пористость керамики, что положительно влияет на диэлектрические и электрические свойства материала и изделий. 1 табл.
Рисунок 1

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ КОНДЕНСАТОРОВ, включающий получение и измельчение спеков титаната бария (BaTiO3), титаната стронция (SrTiO3) и станата бария (BaSuO3), введение модифицирующих добавок на основе соединений бария и лития, смешение исходных спеков и добавок, измельчение полученной шихты и спекание, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона температур спекания, повышения величины диэлектрической проницаемости и механической прочности материала, в качестве модифицирующих добавок на основе соединений бария и лития используют оксид лития и фториды бария и лития, причем перед смешением исходных спеков и добавок осуществляют смешение фторида бария с фторидом с последующей термообработкой полученной смеси при температуре в диапазоне 550 - 650oС и последующим смешением и измельчением его со спеком титаната стронция до получения удельной поверхности частиц не менее 1,5 м2/г, после чего активированный фторидами бария и лития спек титаната стронция смешивают с исходными спеками и добавками, а измельчение полученной шихты проводят до величины удельной поверхности частиц не менее 1,5 м2/г, причем компоненты используют в следующем количественном соотношении, мас. % :

BaTiO3 79 - 92,25

SrTiO3 4,5 - 12,0

BaSnO3 1,0 - 4,5

BaF2 1,75 - 3,5

LiF 0,25 - 0,5

Li2O 0,25 - 0,5

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к керамическому производству, в частности к технологии сегнетокерамики, и может быть использовано в производстве керамических конденсаторов.

Цель изобретения - расширение диапазона температуры спекания, повышение диэлектрической проницаемости и механической прочности материала.

П р и м е р 1. Предварительно любым из известных способов получают и измельчают спеки титаната бария, титаната стронция и станата бария, а в качестве модифицирующих добавок приготавливают оксид лития и фториды бария и лития. При этом перед смешением исходных спеков и добавок осуществляют смешение фторида бария с фторидом лития с последующей термообработкой полученной смеси при 550-650оС, смешением и измельчением ее со спеком титаната стронция до получения удельной поверхности не менее 1,5 м2/г. После этого активированный фторидами бария и лития спек титаната стронция смешивают с исходными спеками и добавками и измельчают полученную шихту до величины удельной поверхности частиц не менее 1,5 м2/г, причем компоненты используют в следующих количественных соотношениях, мас. % : BaTiO3 92,25 SrTiO3 4,5 BaSnO3 1 BaF2 1,75 LiF 0,25 Li2O 0,25 а из полученной керамической массы формуют заготовки конденсаторов с последующим их спеканием при 930-1100оС.

П р и м е р 2. Вышеописанным образом (см. пример 1) получают исходные спеки и модифицирующие добавки, а также смесь фторидов бария и лития и активируют ей спек титаната стронция, после чего его смешивают с оставшимися исходными спеками и добавками, измельчают полученную шихту до удельной поверхности не менее 1,5 м2/г и из полученной керамической массы известным образом получают спеченные заготовки конденсаторов, при этом компоненты используют в следующих количественных соотношениях, мас. % : BaTiO3 85,2 SrTiO3 7-5 BaSnO3 4 BaF2 2,62 LiF 0,34 Li2O 0,34

П р и м е р 3. Вышеописанным образом (см. пример 1) получают исходные спеки и модифицирующие добавки, а также смесь фторидов бария и лития и активируют ею спек титаната стронция, после чего его смешивают с оставшимися исходными спеками и добавками, измельчают полученную шихту до удельной поверхности не менее 1,5 м2/г и из полученной керамической массы известным образом получают спеченные заготовки конденсаторов, при этом компоненты используют в следующих количественных соотношениях, мас. % : BaTiO3 79 SrTiO3 12 BaSnO3 4,5 BaF2 3,5 LiF 0,5 Li2O 0,5

Сегнетокерамический материал, полученный по предлагаемому способу, характеризуется сравнительно низкой температурой спекания и более широким интервалом спекания, повышенной диэлектрической проницаемостью и механической прочностью, что обеспечивает снижение себестоимости и повышение выхода годных конденсаторов. Это связано с тем, что способ обуславливает связывание летучих компонентов в более простые химические соединения, повышение однородности шихты и более быстрое образование при спекании материала твердых растворов на основе титанатов бария и стронция с оптимальной степенью замещения Ti и О на Li и F.

Свойства конденсаторов и материала на основе предлагаемого способа приведены в таблице.

Как следует из таблицы, сегнетокерамический материал, полученный по предлагаемому способу, обеспечивает существенное улучшение характеристик конденсаторов, в том числе диэлектрическая проницаемость материала (сегнетокерамики) повышается в 1,5-1,7 раза, механическая прочность - на 30-40% , а интервал спекания расширяется с 50 до 170оС.

Применение сегнетокерамики по предлагаемому способу в конденсаторостроении позволяет повысить выход годных изделий, снизить их себестоимость и удельный расход драгоценных материалов.

Класс H01G4/12 керамические диэлектрики

способ изготовления сегнетоэлектрических конденсаторов -  патент 2523000 (20.07.2014)
способ спекания изделий диэлектрической керамики -  патент 2516532 (20.05.2014)
способ изготовления конденсаторов большой энергоемкости -  патент 2450381 (10.05.2012)
сегнетокерамический конденсаторный диэлектрик для изготовления керамических конденсаторов температурно-стабильной группы -  патент 2413325 (27.02.2011)
способ формирования состава твердых растворов для изделий высокочастотной и микроволновой техники (варианты) -  патент 2242442 (20.12.2004)
высокочастотный керамический материал (варианты) -  патент 2170219 (10.07.2001)
керамический материал на основе цинкзамещенного ниобата висмута -  патент 2167842 (27.05.2001)
конденсатор керамический -  патент 2140678 (27.10.1999)
способ изготовления монолитных керамических конденсаторов -  патент 2084035 (10.07.1997)
шихта керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих материалов и способ получения материала из нее -  патент 2079916 (20.05.1997)

Класс C04B35/46 на основе оксидов титана или титанатов

титансодержащая добавка -  патент 2481315 (10.05.2013)
порошки -  патент 2471711 (10.01.2013)
способ получения нанокристаллических порошков и керамических материалов на основе смешанных оксидов редкоземельных элементов и металлов подгруппы ivb -  патент 2467983 (27.11.2012)
способ получения порошков фаз кислородно-октаэдрического типа -  патент 2448928 (27.04.2012)
сегнетокерамический конденсаторный диэлектрик для изготовления керамических конденсаторов температурно-стабильной группы -  патент 2413325 (27.02.2011)
шихта для получения пенокерамического материала (варианты) -  патент 2145313 (10.02.2000)
способ изготовления изделия, содержащего субоксид титана -  патент 2140406 (27.10.1999)
нагреватель для микроволновой печи и способ его изготовления -  патент 2124489 (10.01.1999)
композиционный керамический материал -  патент 2123487 (20.12.1998)
способ получения оксидтитановой керамики -  патент 2082693 (27.06.1997)
Наверх