эмиттерный повторитель

Формула изобретения

ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ, содержащий первый и второй биполярные транзисторы, имеющие разную структуру, причем база первого и эмиттер второго биполярных транзисторов являются соответственно входом и выходом эмиттерного повторителя, а также источник тока и отражатель тока, вывод питания которого соединен с первой шиной питания, а вход и выход соединены соответственно с коллектором первого и эмиттером второго биполярных транзисторов, при этом эмиттер первого биполярного транзистора соединен с базой второго биполярного транзистора и через источник тока - с второй шиной питания, к которой подключен коллектор второго биполярного транзистора, отличающийся тем, что введены третий и четвертый биполярные транзисторы, имеющие структуры соответственно второго и первого биполярных транзисторов, диод и дополнительный источник тока, при этом эмиттер и коллектор третьего биполярного транзистора соединены соответственно с базой второго биполярного транзистора и второй шиной питания, база через дополнительный источник тока соединена с второй шиной питания, а через диод - с эмиттером четвертого биполярного транзистора, коллектор которого подключен к первой шине питания, а база - к эмиттеру второго биполярного транзистора.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в электронных схемах различного назначения.

Целью изобретения является расширение диапазона тока в нагрузке.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя.

Эмиттерный повторитель содержит биполярные транзисторы 1-4, источник 5 тока, дополнительный источник 6 тока, отражатель 7 тока и диод 8.

Эмиттерный повторитель работает следующим образом.

При появлении на входе схемы, например, положительной полуволны транзистор 1 закрывается, ток источника 3 тока поступает в базу транзистора 2, который открывает его, при этом транзистор 3 закрыт, транзистор 4 открыт. Это приводит к увеличению тока нагрузки.

Максимальный ток нагрузки при положительной полуволне определяется выражением

I⁽⁺⁾_н.max= I₅₂ где I₅ - ток источника 5 тока;

₂ - коэффициент передачи тока транзистора 2.

При отрицательной полуволне на входе эмиттерного повторителя транзистор 1 открыт, что приводит к закрыванию транзисторов 2 и 4 и открыванию транзистора 3, при этом максимальный ток нагрузки определяется выражением

^(-)_н.max= (I₆₅+I₅)₁K_отр. где I₆ - ток источника 6 тока;

I₅ - ток источника 5 тока;

₁ - коэффициент передачи тока в схеме с ОБ.

У прототипа максимальный отрицательный ток нагрузки ограничен значением

I^(-)_н.max= I₅K_отр где I_н.мах - максимальный отрицательный ток нагрузки;

I₅ - ток источника 5 тока;

К_отр. - коэффициент передачи тока отражателя 7 тока.

Предлагаемая схема обеспечивает значительно больший ток нагрузки, ток потребления предлагаемой схемы может быть меньшим, чем у прототипа.