способ возведения оснований для зданий на просадочных грунтах

Классы МПК:E02D27/34 возводимые в просадочных или сейсмических районах
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Научно-исследовательский, проектно-изыскательский и конструкторско-технологический институт оснований и подземных сооружений им.Н.М.Герсеванова
Приоритеты:
подача заявки:
1991-06-28
публикация патента:

Использование: в строительстве. Сущность изобретения: возводят основание для здания на просадочных грунтах. Для этого бурят в грунте основания скважины, заполняют их сыпучим материалом и выполняют уплотненную подушку, содержащую материал заполнения скважин. Подушку и крайние скважины размещают выходящими за пределы контура здания. Материал заполнения скважин размещают в подушке в виде промежуточного слоя. Промежуточный слой и расположенную на нем верхнюю часть подушки выполняют после бурения скважин. 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

СПОСОБ ВОЗВЕДЕНИЯ ОСНОВАНИЙ ДЛЯ ЗДАНИЙ НА ПРОСАДОЧНЫХ ГРУНТАХ, включающий бурение в грунте основания скважин, заполнение их сыпучим материалом и выполнение уплотненной подушки, содержащей материал заполнения скважин, с размещением при этом подушки и крайних скважин выходящими за пределы контура здания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности фундамента, материал заполнения скважин размещают в подушке в виде промежуточного слоя, причем промежуточный слой и расположенную на нем верхнюю часть подушки выполняют после бурения скважин, при этом подушку и крайние скважины размещают выходящими за пределами контура здания не менее чем на 0,2 Hsl, а скважины выполняют глубиной (1 - 2)Hsl и с шагом (5-15) d tgспособ возведения оснований для зданий на просадочных   грунтах, патент № 2014394 , где Hsl - глубина залегания просадочных грунтов, d - диаметр скважины, способ возведения оснований для зданий на просадочных   грунтах, патент № 2014394 - угол растекания воды.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к строительству, а именно к способам возведения оснований для зданий, сооружений преимущественно в грунтах П типа просадочности.

Известен способ подготовки оснований на просадочных грунтах, заключающийся в том, что бурят скважины, засыпают их дренирующим материалом, замачивают грунты и после стабилизации просадки устраивают уплотненную грунтовую подушку.

Недостатком этого способа является то, что необходимо затрачивать значительное количество времени и воды для уплотнения грунта с тем, чтобы вызвать просадку, кроме того, при применении этого способа часто происходит общее обводнение площадок строительства с формированием купола грунтовых вод.

Наиболее близким является способ возведения оснований для зданий на просадочных грунтах, который включает бурение в грунте основания скважин, заполнение их сыпучим материалом и выполнение уплотненной подушки, содержащей материал заполнения скважин, с размещением при этом подушки и крайних скважин выходящими за пределы контура здания.

Недостатком этого способа является необходимость в устройстве дорогостоящих свай и возможность неравномерного замачивания грунтов.

Целью изобретения является повышение надежности фундамента.

На чертеже изображен поперечный разрез возведенного фундамента зданий на просадочных грунтах.

Способ возведения оснований для зданий на просадочных грунтах включает бурение в грунте основания скважин 1, заполнение их сыпучим материалом 2 и выполнение уплотненной подушки 3, содержащей материал заполнения скважин, с размещением при этом подушки 3 и крайних скважин выходящих за пределы контура здания. Материал заполнения 2 скважин 1 размещают в подушке в виде промежуточного слоя 4. Промежуточный слой 4 и расположенную на нем верхнюю часть подушки 3 выполняют после бурения скважин 1. Подушку 3 и крайние скважины 2 размещают выходящими за пределы контуры здания не менее, чем на 0,2 Нsl, а скважины 1 выполняют глубиной 1-2 Нsl и с шагом 5-15 dtg способ возведения оснований для зданий на просадочных   грунтах, патент № 2014394 , где Hsl - глубина залегания просадочных грунтов;

d - диаметр скважины;

способ возведения оснований для зданий на просадочных   грунтах, патент № 2014394 - угол растекания воды.

Класс E02D27/34 возводимые в просадочных или сейсмических районах

фундамент с индикатором сверхнормативных деформаций, просадок, провалов в основании -  патент 2523240 (20.07.2014)
система сейсмозащиты каркасных зданий -  патент 2513605 (20.04.2014)
способ возведения свайно-плитного фундамента в сейсмических районах -  патент 2513050 (20.04.2014)
комплексная система сейсмозащиты здания или сооружения -  патент 2512054 (10.04.2014)
устройство сейсмоустойчивой установки разрядника -  патент 2510443 (27.03.2014)
предварительно напряженная сейсмоизолирующая опора -  патент 2508429 (27.02.2014)
сейсмостойкое здание -  патент 2507344 (20.02.2014)
способ строительства зданий, сооружений на неравномерно сжимаемых грунтах -  патент 2494194 (27.09.2013)
устройство и способ установки многослойного сборного сейсмоизолятора здания, сооружения -  патент 2487214 (10.07.2013)
трубобетонная сейсмоизолирующая опора -  патент 2477353 (10.03.2013)
Наверх