ондулятор
Классы МПК: | H05H7/04 магнитные системы; их возбуждение |
Автор(ы): | Сороко Л.М. |
Патентообладатель(и): | Объединенный институт ядерных исследований |
Приоритеты: |
подача заявки:
1991-05-08 публикация патента:
15.06.1994 |
Использование: физика и техника получения синхротронного излучения и может быть использовано на ускорителях электронов. Цель: повышение динамического диапазона ондулятора в спектральном отклике. Сущность: ондулятор содержит магнитные блоки, создающие переменное поперечное магнитное поле вдоль оси ондулятора, при этом толщина t каждого рабочего элемента из мягкого магнитного материала выбрана из условия t(Z)=toexp[-A(Z-Zo)2/2L2] , где Z - координата данного рабочего элемента из мягкого магнитного материала; Zo - координата центра ондулятора; l - длина ондулятора; А = 4,68. 1 ил.
Рисунок 1
Формула изобретения
ОНДУЛЯТОР, содержащий расположенные с постоянным шагом без зазоров по обе стороны от оси симметрии ондулятора магнитные блоки, каждый из которых состоит из двух постоянных магнитов, намагниченных вдоль оси симметрии ондулятора в противоположных направлениях, и двух рабочих элементов из мягкого магнитного материала, установленных без зазоров между двумя постоянными магнитами, при этом намагниченность рабочих элементов из мягкого магнитного материала, расположенных по одну сторону от оси симметрии ондулятора, совпадает с намагниченностью рабочих элементов из мягкого материала, расположенных по другую сторону от оси симметрии ондулятора, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона ондулятора, толщина t каждого рабочего элемента из мягкого магнитного материала выбрана из условияt (Z) = to exp [-A (Z - Zo)2 / 2L2],
где Z - координата данного рабочего элемента из мягкого магнитного материала;
Zo - координата центра ондулятора;
Ao - толщина рабочего элемента из мягкого магнитного материала в центре ондулятора;
L - длина ондулятора;
A - постоянный коэффициент.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к физике и технике получения синхротронного излучения и может быть использовано на ускорителях электронов. Наиболее близким техническим решением к заявленному ондулятору является ондулятор, который содержит расположенные периодически с постоянным шагом без зазоров по обе стороны от оси симметрии ондулятора магнитные блоки, каждый магнитный блок содержит два постоянных магнита, намагниченных вдоль оси симметрии ондулятора в противоположных направлениях, и два рабочих элемента из мягкого магнитного материала, установленных без зазоров между двумя постоянными магнитами, намагниченность рабочих элементов из мягкого магнитного материала, расположенных по одну сторону от оси симметрии ондулятора, совпадает с намагниченностью рабочих элементов из мягкого магнитного материала, расположенных по другую сторону от оси симметрии ондулятора. В поперечном периодическом магнитном поле ондулятора ускоренные электроны, идущие вдоль оси симметрии ондулятора, излучают синхротронное излучение, длина волны








t(Z)= toexp[-A(Z-Zo)2/2L2], где Z - координата данного рабочего элемента из мягкого магнитного материала; Zо координата центра ондулятора, L - длина ондулятора; А - постоянный коэффициент, например, равный 4,68. Отличительным признаком заявленного ондулятора является то, что толщина t рабочего элемента из мягкого магнитного материала изменяется плавно вдоль оси симметрии ондулятора. На чертеже показаны магнитные блоки ондулятора, поперечное сечение. Белые прямоугольники - рабочие элементы из мягкого магнитного материала, черные прямоугольники - постоянные магниты. Показано всего пять пар магнитных блоков: два по краям, один в центре ондулятора и два на расстоянии L/4 от центра ондулятора. Длина магнитного блока равна d. В поперечном периодическом магнитном поле ондулятора ускоренные электроны излучают синхротронное излучение, интенсивность которого пропорциональна квадрату напряженности поперечного магнитного поля. Чтобы интенсивность синхротронного излучения изменялась плавно по Гауссову закону
I(Z)= Ioexp[-A(Z-Zo)2/L2] , необходимо, чтобы напряженность поперечного периодического магнитного поля ондулятора изменялась по закону
H(Z)= H

t(Z)=t


В силу теоремы Фурье, которая связывает форму источника излучения с формой спектральной линии, изменение толщины t по Гауссову закону приводит к тому, что форма спектральной линии предлагаемого ондулятора будет близка к Гауссовой и не будет содержать интенсивных боковых лепестков. Это позволит проводить эксперименты вблизи интенсивных линий поглощения без воздействия этой линии на результаты экспериментов. Благодаря этому динамический диапазон описываемого ондулятора выше, чем у прототипа. Конкретное значение выигрыша, которое можно получить в ондуляторе, зависит от коэффициента А. Если А очень велико, например, А


Класс H05H7/04 магнитные системы; их возбуждение