способ проявления позитивного фоторезиста
Классы МПК: | G03F7/26 обработка светочувствительных материалов; устройства для этой цели |
Автор(ы): | Урывский Ю.И., Чуриков А.А., Акинин А.Л., Иванов В.С., Преображенский П.В. |
Патентообладатель(и): | Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения |
Приоритеты: |
подача заявки:
1993-10-29 публикация патента:
30.10.1994 |
Использование: в технике полупроводникового производства и может быть использовано в фотолитографии, например, при определении момента окончания процесса проявления пленки фоторезиста. Сущность изобретения: подложку с экспонированной пленкой фоторезиста размещают на центрифуге, устанавливают над ее поверхностью стеклянную пластину толщиной 3 - 5 мм с зазором 0,5 - 1 мм. Подают на поверхность подложки проявитель, вращают ее и освещают монохроматическим светом, контролируя окончание процесса проявления. В результате повышается точность определения момента окончания процесса проявления. 4 ил., 1 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6
Формула изобретения
СПОСОБ ПРОЯВЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА, включающий размещение подложки с экспонированной пленкой фоторезиста на центрифуге и ее вращение, подачу на поверхность подложки проявителя, освещение ее монохроматическим светом и контроль окончания процесса проявления, отличающийся тем, что, с целью повышения качества проявления, перед освещением подложки монохроматическим светом над ее поверхностью размещают стеклянную пластину толщиной 3 - 5 мм, причем расстояние между подложкой и пластиной составляет 0,5 - 1 мм.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано в фотолитографии, например, при определении момента окончания процесса проявления пленки фоторезиста. Целью изобретения является повышение точности определения момента окончания проявления маскирующего рельефа в пленках фоторезиста. На фиг. 1 показан процесс проявления пленки фоторезиста на центрифуге; на фиг. 2 - контроль момента окончания проявления; на фиг. 3, 4 - интерференционная картина в предложенном и известном способах. Устройство для проявления содержит центрифугу 1, на столике 2 которой установлена полупроводниковая (кремниевая) пластина 3 с проэкспонированным слоем фоторезиста 4. На держателе, закрепленном на станине центрифуги (на фиг. не показано), установлена плоскопараллельная стеклянная пластина 5 толщиной 3-5 мм, в центре которой выполнено отверстие, в котором установлен штуцер 6 для подачи проявляющего (травящего) раствора 7. Зазор между рабочей поверхностью пластины и стеклянной пластиной, определяемый скоростью подачи проявителя и условием равномерного растекания проявителя, выбирают в пределах 0,5-1 мм. Излучение лазера 8 направляют на полупроводниковую пластину под углом. Отраженное излучение с помощью фотодетектора 9 регистрируют на самописце (на фиг. не показано). Способ реализуют следующим образом. На столик 2 центрифуги устанавливают кремниевую пластину 3 с экспонированной пленкой фоторезиста 4, например типа ФП-051МК, толщиной порядка 2 мкм. Включают центрифугу и на вращающуюся со скоростью![способ проявления позитивного фоторезиста, патент № 2022309](/images/patents/451/2022107/969.gif)
![способ проявления позитивного фоторезиста, патент № 2022309](/images/patents/451/2022015/955.gif)
![способ проявления позитивного фоторезиста, патент № 2022309](/images/patents/451/2022015/955.gif)
![способ проявления позитивного фоторезиста, патент № 2022309](/images/patents/451/2022309/2022309t.gif)
![способ проявления позитивного фоторезиста, патент № 2022309](/images/patents/451/2022107/969.gif)
![способ проявления позитивного фоторезиста, патент № 2022309](/images/patents/451/2022011/177.gif)
Класс G03F7/26 обработка светочувствительных материалов; устройства для этой цели