способ пассивации поверхности теллурида кадмия - ртути

Формула изобретения

СПОСОБ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ - РТУТИ, включающий химическое травление образца, обработку его в окислительном растворе с последующей промывкой в деионизованной воде, отличающийся тем, что в качестве окислительного раствора используют раствор, содержащий об.%:

Пероксид водорода (30-ный водный раствор) 10 - 90

Азотная кислота (70-ный водный раствор) 10-90

а обработку проводят в течение 8 - 20 мин.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при изготовлении фотоприемников ИК-диапазона на основе твердых растворов.

Известен способ пассивации поверхности теллурида кадмия - ртути, включающий химическое травление, электрохимическое анодирование в электролите, содержащем гидроксид калия, этиленгликоль и деионизованную воду и промывку в деионизованной воде [1].

Недостатком этого способа является низкая стойкость пассивирующего покрытия (анодного окисла) к химическим воздействиям.

Известен также способ пассивации поверхности теллурида кадмия-ртути, включающий химическое травление, электрохимическое анодирование и вакуумное напыление на анодный окисел пленки сульфида цинка [2].

Недостатком данного способа является сложность и недостаточная воспроизводимость процесса, а также нестабильность параметров фотоприемников во времени, обусловленная химическими воздействиями в системе ZnS - анодный окисел.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ пассивации поверхности теллурида кадмия - ртути, включающий химическое травление, формирование пассивирующей пленки в окислительном растворе и промывку в деионизованной воде, причем окислительный раствор готовят при следующем соотношении компонентов: гексацианоферрат (III) калия 0,075... 0,75 моль/л воды, гидроксид калия 0,06...0,6 моль/л воды [3].

Недостатком этого способа является низкая химическая стойкость пассивирующей пленки; по данным рентгенофотоэлектронной спектроскопии и химического анализа, пленка состоит преимущественно из двуокиси теллура, способной реагировать с растворами кислот и щелочей.

Изобретение представляет собой способ пассивации поверхности теллурида кадмия - ртути, включающий химическое травление, формирование пассивирующей пленки в окислительном растворе и промывку в деионизованной воде, причем окислительный раствор содержит, об.%:

Пероксид водорода

(30%-ный водный раствор) 10-90

Азотная кислота

(70% -ный водный раствор) 10-90, а обработку в окислительном растворе ведут 8-20 мин.

П р и м е р. Были приготовлены окислительные растворы при нижнем граничном (10 об. % перекиси водорода), среднем (50 об.% перекиси водорода) и верхнем граничном (90 об% перекиси водорода) значениях концентраций на основе промышленно выпускаемых перекиси водорода ОС4 8-4 и азотной кислоты ОС4 - 18-4. Образцы теллурида кадмия-ртути после обезжиривания и химического травления пассивировали в указанных растворах в течение соответственно 10,8 и 20 мин и промывали в протоке деионизованной воды. В результате были получены пассивирующие пленки с однородной интерференционной окраской: желтой, синей и фиолетовой соответственно. Эллипсометрически определенная толщина пленок составила соответственно 25, 80 и 50 нм. Полученные пленки показали устойчивость к воздействию соляной, серной, азотной, бромистоводородной, плавиковой и уксусной кислот, а также щелочных растворов, используемых для проявления позитивных фоторезисторов.

Изобретение позволяет получать химически стойкие пассивирующие покрытия на поверхности теллурида кадмия-ртути, не требующие дополнительной защиты, что сокращает время технологического процесса изготовления ИК-фотоприемников и повышает его воспроизводимость.