зондовая головка

Формула изобретения

1. ЗОНДОВАЯ ГОЛОВКА, содержащая основание, выполненное из монокристаллического полупроводникового материала, со сквозными отверстиями в виде усеченных пирамид, боковые грани которых выполнены в виде равнобочных трапеций, образованных кристаллографическими плоскостями монокристаллического материала основания, и размещенными в отверстиях зондами и токопроводящей жидкостью, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности размещения контактных элементов и увеличения надежности контактирования, основание зондовой головки выполнено составным, содержащим не менее двух пластин монокристаллического полупроводникового материала, усеченные пирамиды сквозных отверстий которых совмещены большими основаниями, а меньшие по площади основания усеченных пирамид образуют горловины сквозных отверстий, при этом зонды образованы токопроводящей жидкостью.

2. Зондовая головка по п.1, отличающаяся тем, что, с целью упрощения технологического цикла изготовления, в основания между двумя пластинами монокристаллического полупроводникового материала со сквозными отверстиями, выполненными в форме усеченных пирамид, введены дополнительные пластины из монокристаллического полупроводникового материала со сквозными отверстиями, размещенные соосно со сквозными отверстиями внешних пластин основания зондовой головки.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в устройствах контроля и измерения электрофизических параметров микросхем, микросборок и других устройств радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) и изделий электронной техники (ИЭТ) повышенной группы сложности и высокой плотности компоновки элементов при проведении испытаний и проверок вышеперечисленных устройств и узлов на функционирование, контроле статических и динамических параметров, а также при межоперационном контроле в ходе промышленного изготовления последних.

Целью изобретения является обеспечение надежности контактирования, уменьшение геометрических размеров контактов при одновременном уменьшении расстояния между ними.

Это достигается тем, что в зондовой головке для устройств контроля, содержащей основание, на поверхности которого размещены контакты и проводники, основание зондовой головки выполнено из механически прочного материала, обеспечивающего возможность формирования контактов и проводников с точностью фотолитографической обработки, в объеме основания сформированы полости, электрически изолированные от объема последнего и сообщающиеся с поверхностями основания зондовой головки каналами, при этом внутренний объем полостей и каналов заполнен электропроводящим материалом, образующим при выходе на поверхность основания контакты.

Конструкций зондовой головки для устройств контроля с признаками, аналогичными совокупности отличительных признаков предлагаемой конструкции и проявляющими те же свойства, не выявлено. Таким образом, предлагаемое техническое решение соответствует критерию "существенные отличия".

На фиг.1 представлен вертикальный разрез зондовой головки для устройств контроля предлагаемой коснтрукции, выполненной из полупроводникового материала, в объеме которого сформированы полости, оси которых совпадают с перпендикулярами восстановленными из центров контактных площадок измеряемых образцов (в качестве электропроводящего материала, заполняющего полости и каналы основания и образующего при выходе на поверхность основания контакты зондовой головки, используется жидкий металл, например ртуть или легкоплавкий металл, например индий, галлий и др. при этом основание подложки нагревается посредством ИК-излучателя, устанавливаемого в непосредственной близости над поверхностью зондовой головки); на фиг.2 то же, но полости и каналы заполнены электропроводящей жидкостью, в которой для обеспечения надежности контактирования кристаллографические плоскости ограничивающие полости и каналы покрыты слоями проводящего материала, например молибдена; на фиг.3 то же, но в качестве электропроводящего материала, заполняющего полости и служащего для формирования контактов зондовой головки, используются слои электропроводящей резины со специальными наполнителями или композивные материалы на основе углеродных волокон, а также другие токопроводящие высокомолекулярные соединения и смолы.

Ниже приводятся примеры практической реализации предлагаемой конструкции зондовой головки для устройств контроля и случаи конкретного применения.

Головка содержит пластины 1 и 2 монокристаллического кремния, выполняющие функции основания, семейства 3 кристаллографических плоскостей III, ограничивающие внутренний объем полостей, полости 4, сформированные в объеме материала основания, каналы 5 и 6, соединяющие внутренние объемы полостей 4 с поверхностями основания, слои 7 диэлектрического материала, сформированные на поверхностях семейства кристаллографических плоскостей III и 100, ограничивающих внутренние объемы как полостей 4, так и каналов 5 и 6, слои 8 диэлектрического материала, сформированные на верхней и нижней поверхностях основания, окно 9, посредством которого канал 6 выходит на верхнюю поверхность основания зондовой головки, контактную площадку 10 коммутационной системы.

Кроме того, головка содержит шины 11 коммутационной системы, контактные площадки 12 коммутационной системы измеряемого образца, подложку 13 измеряемого образца, слои 14 электрического материала, сформированные на поверхности подложки измеряемого образца, электропроводящий материал 15, заполняющий внутренние объемы полостей 4 и образующий при выходе на поверхность зондовой головки контакты, контакты 16 из ртути или легкоплавкого металла, слои 17 проводящего материала, сформированные на поверхностях диэлектрического материала, ограничивающего внутренний объем полости 4 и каналов 5 и 6, кольцевой контакт 18, образованный слоями металла 17 при выходе на поверхности основания, материал 19, заполняющий полости 4 и каналы 5 и 6 и образующий при выходе на поверхность контакты зондовой головки, в качестве которого используются высокомолекулярные соединения с электропроводящими наполнителями.

П р и м е р 1. С целью облегчения практической реализации предлагаемой конструкции зондовой головки для устройств контроля и полного использования достижений современной микроэлектронной технологии и конструирования основание зондовой головки выполнено из полупроводникового материала, например из пластин монокристаллического кремния. Для практической реализации данной конструкции использовались в качестве основания зондовой головки пластины монокристаллического кремния: верхняя 1 и нижняя 2. Пластины монокристаллического кремния использовались как n-, так и р-типа проводимости и отвечали требованиям ЕТО.035.206 ТУ или любого другого технического требования диаметром 100 мм и более. В данном конкретном случае использовался кремний с ориентацией рабочей поверхности (100) 100 КЭФ 4,5 (100)-480 ЕТО.035.206 ТУ.

Используя методы фотолитографической обработки и анизотропного травления в местах, оси которых совпадали с соответствующими перпендикулярами, восстановленными из центров контактных площадок измеряемого образца, в каждой из пластин 1 и 2 основания зондовой головки формировали системы углублений, ограниченных семействами кристаллографических плоскостей III по периметру (см. фиг.1). При этом сформированные системы углублений при наложении пластин 1 и 2 одна на другую основаниями большой площади должны образовывать полости 4, сформированные в объеме монокристаллического кремния основания зондовой головки. Использование процессов фотолитографической обработки гарантирует точность воспроизведения геометрических размеров в плоскости пластины не хуже 1,0 мкм.

Используя методы двусторонней фотолитографической обработки и реактивно-ионного травления в сочетании с методами плазмохимического травления формируют в пластинах 1 и 2 основания зондовой головки каналы 5 и 6, обеспечивающие соединение внутреннего объема полости 4, сформированной в объеме основания зондовой головки с поверхностями основания. При этом вертикальные стенки каналов основания представляют собой семейства кристаллографических плоскостей.

С целью исключения электрического влияния материала основания зондовой головки поверхности кристаллографических плоскостей 111 и 100, ограничивающих полости и каналы, сформированные в объеме полупроводникового материала основания, покрыты слоем диэлектрического материала, в качестве которого могут быть использованы слои 7 диоксида кремния толщиной 0,35-1,2 мкм или композиции слоев диэлектрических материалов: диоксида кремния и нитрида кремния, диоксида кремния и окиси алюминия и т.п.

На поверхностях основания зондовой головки сформирован слой диэлектрического материала, в качестве которого могут быть использованы слои диоксида кремния толщиной 0,35-1,2 мкм или композиции слоев диэлектрических материалов; диоксида кремния и нитрида кремния, диоксида кремния и окиси алюминия и т.п.

При этом диэлектрические слои 7 и 8 выполнены конструктивно как единое целое.

Канал 6 верхней пластины 2 монокристаллического кремния основания зондовой головки при выходе на поверхность пластины 2 образует окно 9, имеющее форму прямоугольника, в данном случае квадрата со стороной а. Величина стороны квадрата а окна 9 определяется из условия обеспечения надежного контактирования электропроводящего материала, заполняющего полости 4 основания зондовой головки, и материала контактной площади разводки зондовой головки, сформированной на верхней поверхности основания зондовой головки, а также от электрофизических и химических свойств используемого материала и лежит в диапазоне величин от 10,0-100,0 мкм. При этом величина вертикальных стенок канала 6 может изменяться в весьма широких пределах от 0 в случае, когда канал, соединяющий полость 4 с поверхностью основания зондовой головки, полностью отсутствует, т.е. вырождается, до величин, составляющих одну третью часть толщины пластины монокристаллического кремния, т.е. в конкретном случае примера 1, величину порядка 150-160 мкм. Все зависит от механических свойств материала основания.

Сверху окно 9 закрыто контактной площадкой 10 проводящего материала коммутационной системы зондовой головки. В качестве материала коммутационной системы как контактных площадок 10, так и шин 11 коммутационной системы могут быть использованы слои проводящих металлов, таких как алюминий, медь, золото и др. толщина которых выбирается из условия обеспечения минимальной величины сопротивления и обеспечения целостности конструкции в процессе эксплуатации зондовой головки и лежит в пределах толщин 0,8-4,5 мкм. Слои коммутационной системы могут быть получены либо методами напыления, либо с использованием методов гальванического осаждения. Для формирования рисунка коммутационной системы используются методы фотолитографической обработки и селективного травления.

Следует отметить, что использование методов фотолитографической обработки как для создания полостей 4, так и для создания каналов 5 и 6, а также для формирования рисунка коммутационной системы позволяет в значительной мере уменьшить расстояния между центрами сформированных полостей до величин 40-100 мкм и повысить точность воспроизведения геометрических размеров.

С целью исключения влияния внешних факторов, таких как влага, различные окислители, разного рода пары и испарения агрессивных жидкостей и т.п. поверхность основания зондовой головки может быть защищена слоями диэлектрического материала, например, диоксида кремния или примесносиликатных стекол и т.п. в которых делаются методами фотолитографической обработки и селективного травления окна над областями периферийных контактных площадок зондовой головки, cлужащие для коммутации зондовой головки с тестером посредством либо многожильных проводников, либо гибких шлейфов на основе полиимидного носителя. Причем толщина защитного покрытия (не показано), лежит в пределах 0,4-1,2 мкм.

При наложении пластин 1 и 2 монокристаллического кремния одна на другую образуются полости 4, количество и расположение которых точно соответствует количеству и взаимному расположению контактных площадок 12 коммутационной системы измеряемого образца, представляющего полупроводниковую интегральную схему, сформированную в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки 13. Причем коммутационная система с контактными площадками 12 отделена от объема полупроводниковой подложки 13 слоем диэлектрического материала 14. В качестве измеряемого образца в этом случае может быть использована и гибридная схема.

Внутренний объем полостей 4 изолирован от объема основания слоями 7 диэлектрического материала и заполнен проводящим материалом 15, в качестве которого может быть использована ртуть, представляющая собой в обычных комнатных условиях жидкость с большим удельным весом и хорошей электропроводностью, которая, располагаясь в каналах 6, обеспечивает надежный контат с контактной площадкой 10 за счет сил молекулярного сцепления, а в некоторых случаях за счет образования химических соединений. При этом следует иметь в виду тот факт, что ртуть хорошо смачивает поверхность диоксида кремния, оставляя на поверхности последней мелкие островки, которые за счет капиллярных явлений образуют в слое 7 окисла проводящие каналы, тем самым обеспечивая надежный контакт с поверхностью контактной площадки 10 коммутационной системы зондовой головки.

В то же время материал (ртуть) 15, полностью заполняя объем полости 4, выходит на нижнюю поверхность пластины 1 монокристаллического кремния через канал 5, образуя контакт (жидкий зонд) 16. При этом геометрические размеры сформированного на нижней поверхности основания зондовой головки жидкого зонда зависят как от геометрии канала 5, в том числе от геометрии окна, посредством которого канал 5 выходит на нижнюю поверхность основания зондовой головки, так и от количества жидкости (ртути) в полости 4. В большинстве практических случаев окно, с помощью которого на поверхность пластины 1 выходит канал 5, представляет собой квадрат со сторой b. Причем величина стороны квадрата b лежит в пределах 10,0-40 мкм, обеспечивая одновременное уменьшение геометрических размеров как самого контакта, так и расстояния между соседними контактами зондовой головки за счет использования в конструкции приемов и методов планарной технологии, обеспечивающей высокую точность воспроизведения геометрических размеров. При этом величина расстояния между центрами полостей или контактов 16 составляет 40-100 мкм. Величина канала 5 может меняться 0-1/3 толщины пластины.

В этом случае жидкий зонд 16, соприкасаясь с поверхностью контактной площадки 12 измеряемого образца, обеспечивает надежное контактирование без нарушения целостности конструкции контактной площадки 12.

П р и м е р 2. Конструкция аналогична конструкции по примеру 1 за исключением того, что с целью обеспечения надежного контактирования внутренние поверхности кристаллографических плоскостей, ограничивающих внутренние объемы полостей 4 и каналов 5 и 6, соединяющих полости с поверхностями основания зондовой головки, покрыты слоями проводящего материала 17, образующего с материалом контактной площадки 10 надежное электрическое соединение за счет кольцевого контакта 18, ограничивающего окно 9, которым канал 5 выходит на поверхность основания зондовой головки. В качестве материала проводящего материала 17 могут быть использованы слои металлов, полученные методами газофазного осаждения, например пиролизом из металлоорганических соединений.

П р и м е р 3. Конструкция аналогична конструкции, описанной в примере 2, за исключением того, что с целью сокращения цикла изготовления в качестве материала основания зондовой головки используются пластины монокристаллического кремния собственного типа проводимости.

П р и м е р 4. Конструкция аналогична конструкциям, описанным в примерах 1-3 за исключением того, что в качестве электропроводящего материала 15, заполняющего внутренний объем полостей 4, сформированных в объеме основания зондовой головки, и формирующего контакты 18 при выходе из канала на нижнюю сторону основания зондовой головки, используются металлы с низкой температурой плавления, например индий, галлий и т.п. В случае практической реализации предлагаемой конструкции с использованием легкоплавких металлов необходимо проводить нагрев основания зондовой головки либо ИК-излучателем, расположенным в непосредственной близости от поверхности основания зондовой головки, либо тепловым электрическим нагревателем (ТЭН), располагаемым на поверхности или же в непосредственной близости от поверхности основания зондовой головки. Но лучше пользоваться нагревателем специальной конструкции, представляющим собой системы резистивных нагревателей, располагаемых непосредственно на защитном слое основания зондовой головки.

В этом случае при нагреве основания зондовой головки легкоплавкий металл, заполняющий полости 4, переходит в новое агрегатное состояние, т.е. становится жидкостью, за счет собственного веса и изменения объема выдавливается в канал 5 и образует при выходе на нижнюю поверхность основания зондовой головки контакты или жидкий зонд 16.

П р и м е р 5. Конструкция, аналогичная конструкциям по примеру 4, за иключением того, что в качестве электропроводящего материала 15, заполняющего полости и каналы основания зондовой головки и служащего для формирования контактов, используются слои электропроводящей резины со специальными токопроводящими наполнителями. В этом случае полости 4 и каналы 5 и 6 заполняются резиной с токопроводящими присадками, после чего проводят вулканизацию резины и за счет изменения объема резины формируют контакты 16.

П р и м е р 6. Конструкция аналогична конструкции, описанной в примере 5, за исключением того, что в качестве электропроводящего материала 15 используются слои электропроводящей смолы со специальным токопроводящим наполнителем, например эпоксидные смолы с различными токопроводящими присадками. Кроме того, в качестве материала 15 могут быть использованы и другие высокомолекулярные соединения с токопроводящими наполнителя.

П р и м е р 7. Конструкция, аналогичная конструкции, описанной в примере 6, за исключением того, что в качестве материала 15, заполняющего полости и каналы, используются композивные материалы на основе углеродных волокон со специальными токопроводящими наполнителями.

П р и м е р 8. Конструкция, аналогичная конструкции, описанной в примере 3, за исключением того, что в качестве материала основания зондовой головки могут быть использованы диэлектрические материалы, обладающие кристаллической структурой и решеткой типа алмаза, например синтетические алмазные подложки, подложки из сапфира, шпинели и т.п.

П р и м е р 9. Конструкция, аналогичная конструкции, описанной в примере 2, за исключением того, что в качестве материала подложек основания используются слои проводящего материала, например, медь, анодированный алюминий и т.п.

П р и м е р 10. Конструкция, аналогичная конструкции, описанной в примере 9, за исключением того, что с целью удешевления процесса изготовления и сокращения цикла изготовления, в качестве материала основания используются различные пластмассы, обладающие достаточной механической прочностью, например армированные углеродными волокнами ПТФ подложки.

П р и м е р 11. Конструкция, аналогичная конструкциям, описанным в примерах 1,2,3,9 и 10, за исключением того, что в качестве материала основания используются сочетания материалов, в качестве нижней части основания используется пластина монокристаллического кремния или материал, имеющий кристаллическую решетку типа алмаза, например алмазные синтетические подложки, подложки из сапфира и шпинели, а в качестве верхней части основания используются подложки из диэлектрических материалов, например из синтетических алмазных пленок, шпинели и т.п. а также из пластмасс для упрощения технологического цикла изготовления и повышения технико-экономических показателей производства.

П р и м е р 12. Конструкция зондовой головки для устройств контроля, аналогичная конструкции, описанной в примерах 1-11, за исключением того, что для удобства проведения измерений и значительного упрощения механической части зондовых манипуляторов, в частности для измерений и контроля электрофизических параметров полупроводниковых интегральных схем (ИС) в составе полупроводниковой пластины, количество формируемых контактов зондовой головки на пластине монокристаллического кремния, служащей основанием зондовой головки и имеющей диаметр больший или равный диаметру полупроводниковой пластины со сформированными ИС, определяется как количество контактных площадок отдельной полупроводниковой ИС, умноженное на количество ИС, располагаемых на полупроводниковой пластине. Причем центры контактных площадок измеряемых образцов ИС служат основаниями центровых осей соответствующих контактов, сформированных на нижней поверхности основания зондовой головки. При этом опрос каждого отдельного кристалла ИС производится через мультиплексорный блок, размещаемый на поверхности основания зондовой головки и выполняющий функции многоканального коммутатора. Совмещение зондов с контактными площадками измеряемых образцов производится либо посредством средств технического видения, широко применяемых при автоматической сборке кристаллов ИС методом перевернутого кристалла, либо посредством совмещения реперных знаков основания зондовой головки, представляющих собой систему сквозных отверстий, располагаемых над реперными модулями полупроводниковой пластины со сформированными полупроводниковыми ИС.

Основными отличительными признаками предлагаемой конструкции зондовой головки для устройств контроля являются

наличие в объеме основания полостей и каналов, соединяющих внутренние объемы полостей с поверхностями основания, причем осевые линии сформированных полостей и каналов совпадают с перпендикулярами, восстановленными из центров контактных площадок измерямых образцов;

в качестве материала основания используются механически прочные материалы, позволяющие проводить фотолитографическую обработку поверхностей;

внутренний объем полостей и каналов, сформированных в объеме основания, изолирован от объема основания слоями диэлектрического материала;

внутренний объем полостей и каналов, сформированных в объеме основания, заполнен либо жидким металлом, либо легкоплавким металлом, которые при выходе на нижнюю поверхность основания образуют контакты, представляющие собой жидкие зонды, а за счет сил межмолекулярного сцепления со слоями диэлектрика или металла, покрывающего внутренние поверхности полостей, создает надежный электрический контакт с металлом контактных площадок коммутационной системы зондовой головки;

с целью обеспечения надежного контактирования внутренний объем полостей покрыт слоями проводящего металла, например алюминия;

в качестве электропроводящего материала, заполняющего полости, сформированные в объеме основания и служащего для формирования контактов, используются высокомолекулярные соединения и смолы со специальными электропроводящими наполнителями, резины со специальными наполнителями, высокомолекулярные соединения, армированные углеродными волокнами;

геометрические размеры сформированных контактов лежат в диапазоне 10-40 мкм при величине расстояния между центрами двух соседних контактов 40-100 мкм.

Использование конструкции зондовой головки позволяет устранить наметившиеся тенденции отставания средств контроля от достижений современных технологий микроэлектроники, обеcпечить качество и надежность измерительных систем и средств контроля за счет использования в технологическом цикле изготовления последних достижений микроэлектроники, повысить технико-экономическую эффективность производства средств контроля и измерительных систем за счет увеличения доли групповых операций обработки в процессе изготовления последних и резкого снижения доли механических прецизионных операций, требующих использования труда высококвалифицированных рабочих. Так, создание зондовых головок для измерения и контроля параметров полупроводниковых интегральных схем в составе пластин, причем количество зондов зондовой головки равно количеству контактных площадок всех интегральных схем, размещенных на поверхности рабочей полупроводниковой подложке, обеспечивает последовательное измерение параметров каждого отдельного кристалла с использованием мультиплексоров без перемещения зондовой головки. Кроме того, повышается надежность контактирования за счет более эффективного использования объема основания путем создания в последнем специальных полостей, заполненных электропроводящим материалом, а также повышается надежность контактирования с контактной площадкой измеряемого образца за счет использования "жидкого" зонда, сформированного на нижней стороне основания зондовой головки и предотвращающего механические повреждения контактной площадки, так как практически отсутствует приложение механических усилий. В значительной мере уменьшаются геометрические размеры как самих контактов до 10-40 мкм, так и расстояние между центрами двух соседних контактов (до 40-100 мкм) за счет использования приемов и методов микроэлектронной технологии. Улучшаются технико-экономические показатели производства узлов и блоков радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) и изделий электронной техники (ИЭТ) повышенной группы сложности и повышенной плотности размещения элементов за счет уменьшения геометрических размеров контактных площадок измеряемых образцов вследствие уменьшения геометрических размеров контактов зондовой головки и к тому же величины расстояния между последними, что позволяет увеличить число кристаллов на рабочей пластине и как следствие повысить съем годных кристаллов при тех же трудозатратах. Кроме того, впервые созданы измерительные системы, обладающие высокой степенью надежности и обеспечивающие высокую степень получения достоверной информации по результатам измерения электрофизических параметров полупроводниковых интегральных схем с большой (БИС), сверхбольшой (СБИС) и ультрабольшой (УБИС) степенью интеграции, количество контактных площадок (выводов) зачастую превышает 134 за счет использования в конструкции зондовой головки достижений технологии микроэлектроники и уменьшения геометрических размеров как самих контактов, посредством которых проводится контактирование, так и расстояния между последними.

Расширяются функциональные возможности зондовой головки как для проведения межоперационного контроля электрофизических параметров непосредственно на рабочих пластинах в технологическом цикле изготовления полупроводниковых ИС в составе пластин, так и для выявления причин брака при контроле гибридных интегральных схем (ГИС) и микросборок. При этом впервые создано большое количество контактов (свыше 2,5 тыс. контактов) с шагом 200 мкм на площади в 1 см², что позволяет с большой точностью проводить контроль гибридных интегральных схем на гибких носителях и проводить контроль электрических парамеров полупроводниковых ИС, не имеющих защитного слоя с целью выявления причин отказов и на этапе отработки технологии. Впервые появилась возможность проведения измерений динамических параметров полупроводниковых ИС в составе пластин за счет значительного сокращения как длины проводников коммутационной системы, сформированной на поверхности основания зондовой головки, количества паянных соединений, а также за счет использования иерархического принципа проведения измерений с использованием мультиплексоров.

В значительной мере снижается материалоемкость измерительных устройств и устройств контроля за счет использования принципиально нового подхода к измерениям электрофизических параметров ИС, ГИС и микросборок на основе последних.

Использование сформированных на нижней поверхности основания зондовой головки "жидких" зондов и контактов из полимерных соединений с электропроводящими наполнителями позволяет в значительной мере повысить надежность контактирования как за счет большей эластичности контактов зондовой головки, что способствует снижению требований к точности совмещения контактных площадок измеряемого образца с контактами зондовой головки, так и за счет особенностей формирования контактов жидкого зонда с поверхностью контактной площадки измеряемого образца, при этом не происходит механического повреждения поверхности контактной площадки измеряемого образца. Появилась возможность создания специализированной зондовой головки, предназначенной для измерения удельного поверхностного сопротивления четырехзондовым методов повышенной точности измерений за счет существенного уменьшения расстояния между зондами, а также за счет более точного выставления расстояния между последними, которые обеспечиваются применением методом микроэлектронной технологии. Количество контактирований, приходящихся на одну головку, удалось снизить за счет увеличения количества зондовых головок, располагаемых на одном основании зондовой головки. Кроме того, увеличился эксплуатационный ресурс зондовой головки за счет сокращения количества контактирований, отпала необходимость использования высококвалифицированного персонала для обслуживания зондовой головки, т.е. для выставления зондов и величин давления на последние для обеспечения качества контактирования, снизились в значительной мере эксплуатационные расходы за счет простоты обслуживания, полного отсутствия сложной механической части зондового манипулятора.

Изобретение позволяет повысить производительность выполнения операций контроля электрофизических параметров полупроводниковых приборов за счет совмещения в одном технологическом цикле операций измерения статических параметров и контроля динамических параметров полупроводниковых ИС в составе пластин без проведения сборочных операций, в значительной мере снижающих общий процент выхода годных ИС и повышающих за счет использования корпусов стоимость ИС.