монокристаллический лазерный материал

Классы МПК:C30B29/28 с формулой A3Me5O12, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты
H01S3/16 из твердых материалов 
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Рандошкин Владимир Васильевич,
Сигачев Валерий Борисович,
Стрелов Владимир Иванович,
Тимошечкин Михаил Иванович
Приоритеты:
подача заявки:
1988-05-26
публикация патента:

Использование: в лазерной технике. Монокристал имеет состав; соответствующий химической формуле GdxNdpCer(Ca, Sr)yMgzZruGavGrqO12, где 2,10 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 x монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 3,04; 0,20 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 y+z монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 0,70 0,20 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 u монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 0,70; 3,45 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 v монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 4,51; 0,01 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 p монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 0,25; 0,0001 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 r монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 0,05. Введение Ce3+ в качестве сенсибилизатора дополнительно к ионам Nd3+ обеспечивает повышение КПД лазера до 3,2 абс.%. 1 табл.
Рисунок 1

Формула изобретения

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЛАЗЕРНЫЙ МАТЕРИАЛ на основе гадолиний-галлиевого граната, содержащего ионы Nd3+ в качестве активатора, ионы Cr3+ в качестве сенсибилизатора, ионы щелочноземельных элементов Ca2+, Sr2+ и/или Mg2+ и ионы Lr4+, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия лазера, в качестве сенсибилизатора материал дополнительно содержит ионы церия Ce3+ и имеет состав, соответствующий химической формуле

Gdx Ndp Cer (Ca, Sr)y Mgz Lru Gav Crq O12,

где 2,10 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 x монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 3,04;

0,20 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 y + z монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 0,70;

0,20 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 u монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 0,70;

3,45 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 v монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 4,51;

0,001 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 p монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 0,25;

0,0001 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 r монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 0,05.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к получению монокристаллов для лазерной техники.

Наиболее близким к изобретению является известный монокристаллический лазерный материал со структурой граната, который описывается формулой GdxNdp(Ca, Sr)yMgz. Zru GavCrqO12, где 2,10 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434хмонокристаллический лазерный материал, патент № 20384343,04; 0,20 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434y + z монокристаллический лазерный материал, патент № 20384340,70;

0,20монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434u монокристаллический лазерный материал, патент № 20384340,70; 3,45монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 v монокристаллический лазерный материал, патент № 20384344,51; 0,001монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434pмонокристаллический лазерный материал, патент № 20384340,25; 0,001 монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 q монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 0,25.

Недостатком прототипа является недостаточно высокий КПД лазера, обусловленный тем, что коротковолновая часть излучения лампы накачки не используется для создания инверсной заселенности.

Целью изобретения является повышение КПД лазера.

Цель достигается тем, что монокристаллический лазерный материал со структурой граната дополнительно содержит церий в качестве сенсибилизатора, причем содержание церия не превышает 0,05 атома на формульную единицу граната (ф.е.).

В прототипе ионы хрома, используемые в качестве сенсибилизатора, имеют полосу поглощения в области длин волн монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434= 0,5-0,65 мкм. При этом излучение лампы накачки с монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434< 0,5 мкм не используется для создания инверсной заселенности, а переходит в тепло.

При использовании в качестве сенсибилизатора ионов церия происходит эффективная передача энергии возбуждения от ионов Се3+ к ионам Cr3+ и Nd3+, которая приводит к повышению интенсивности люминесценции последних в несколько раз. При этом ионы Се3+ имеют две полосы поглощения в области монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434= 0,33-0,37 мкм и монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434=400 500 мкм. Люминесценция ионов Се3+ происходит в широкой (монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434110 нм) полосе с максимумом в области 0,53-0,58 мкм. Перекрытие полосы люминесценции ионов Се3+ и полосы поглощения ионов Cr3+ создает необходимое условие для эффективной передачи энергии возбуждения от ионов Се3+ к ионам хрома и неодима при совместном их введении в монокристалл. Повышение КПД лазера достигается вследствие расширения эффективной полосы накачки активной среды за счет добавления полос поглощения ионов Се3+, а также повышение квантового выхода люминесценции ионов неодима за счет сенсибилизирующего действия ионов церия.

Положительный эффект достигается при любом содержании ионов Се3+, но не более 0,05 ф.е. При r>0,05 ф.е. имеет место эффект концентрационного тушения люминесценции ионов церия.

П р и м е р. Монокристаллический лазерный материал выращивали по методу Чохральского на установке "Донец-3". Гранатообразующие компоненты в шихте содержались в той же концентрации, что и в прототипе, а оксид церия в соотношении, близком к стехиометрическому. Вытягивание монокристалла осуществляли из иридиевого тигля при температуре Тр монокристаллический лазерный материал, патент № 2038434 1720оС со скоростью вытягивания 1,5-2,5 мм/ч и скоростью вращения 20-25 об/мин. Состав монокристаллов определяли методом рентгеновского микроанализа. Измерение спектрально-люминесцентных свойств проводили на полированных пластинах толщиной 2 мм. Спектры поглощения записывали на спектрометре СФ-20. Спектры люминесценции регистрировали с помощью монохроматора спектрометра ИКС-31 и фотоэлектронного умножителя ФЭУ-62.

Испытание лазерных элементов проводили в режиме свободной генерации на переходе 4F3/2 ->> 4111/3 ионов Nd3+. В качестве осветителя использовали импульсную ксеноновую лампу ИНП-5/60. Длительность импульса накачки на полувысоте составляла 250 мкм, длина резонатора 20 см. Торцы лазерных элементов не просветляли.

Результаты испытаний некоторых лазерных элементов приведены в таблице. Примеры конкретного выполнения свидетельствуют о повышении абсолютного КПД не менее чем в 1,4-3,2 раза по сравнению с прототипом, где абсолютный КПД составлял монокристаллический лазерный материал, патент № 20384341%

Использование предлагаемого изобретения по сравнению с прототипом позволяет уменьшить тепловую нагрузку на лазерный элемент, поскольку большая часть энергии лампы накачки, которая раньше шла на нагрев лазерного элемента, расходуется на получение монохроматического излучения, а также повысить радиационную стойкость лазерных элементов при введении в состав лазерного материала церия.

Класс C30B29/28 с формулой A3Me5O12, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты

монокристалл граната, оптический изолятор и оптический процессор -  патент 2528669 (20.09.2014)
монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор -  патент 2527082 (27.08.2014)
магнитооптический материал -  патент 2522594 (20.07.2014)
способ получения алюмоиттриевого граната, легированного редкоземельными элементами -  патент 2503754 (10.01.2014)
способ выращивания алюмо иттриевого граната, легированного ванадием -  патент 2501892 (20.12.2013)
способ соединения деталей из тугоплавких оксидов -  патент 2477342 (10.03.2013)
прозрачный керамический материал и способ его получения -  патент 2473514 (27.01.2013)
лазерный материал -  патент 2395883 (27.07.2010)
лазерный материал -  патент 2391754 (10.06.2010)
pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования -  патент 2389835 (20.05.2010)

Класс H01S3/16 из твердых материалов 

Наверх