лазерный экран электронно-лучевой трубки

Классы МПК:H01J31/08 с экраном, на котором или с помощью которого создается, воспринимается, преобразуется или накапливается изображение или рисунок 
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Научно-производственное объединение "Принсипиа оптикс"
Приоритеты:
подача заявки:
1992-10-28
публикация патента:

Использование: электронная техника, в частности кинескопы высокой яркости, например в проекционном стереотелевидении. Сущность изобретения: лазерный экран электронно-лучевой трубки содержит закрепленную на подложке монокристаллическую пластину (МП), обладающую одноосной оптической анизотропией, на обе поверхности которой нанесены зеркальные покрытия, при этом оптическая ось МП резориентирована относительно нормали к МП, а подложка выполнена не деполизирующей генерируемое излучение. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5

Формула изобретения

1. ЛАЗЕРНЫЙ ЭКРАН ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ, содержащий закрепленную на подложке монокристаллическую пластину, обладающую одноосной оптической анизотропией, на обе поверхности которой нанесены зеркальные покрытия, отличающийся тем, что оптическая ось пластины разориентирована относительно нормали к пластине, а подложка выполнена не деполяризующей генерируемое излучение.

2. Экран по п. 1, отличающийся тем, что пластина выполнена из одного из полупроводниковых соединений А2 В6 со структурой вюрцита или их твердых растворов.

3. Экран по п. 2, отличающийся тем, что оптическая ось пластины, имеющей толщину 20 50 мкм, разориентирована относительно своей нормали на угол не менее 3o.

4. Экран по пп. 1 3, отличающийся тем, что подложка выполнена из прозрачного материала, оптически изотропного на длине волны генерации.

5. Экран по пп. 1 4, отличающийся тем, что подложка выполнена из одного из полупроводниковых соединений А2 В6 со структурой вюрцита или их твердых растворов, причем длина волны генерации приходится на изотропную точку в спектральной зависимости показателя преломления подложки.

6. Экран по пп. 1 5, отличающийся тем, что монокристаллическая пластина выполнена из соединения CdSI-xS ex при значениях x от 0 до 0,1, а подложка выполнена из соединения CdS

7. Экран по пп. 5 и 6, отличающийся тем, что оптические оси пластины и подложки параллельны одна другой.

8. Экран по пп. 1 3, отличающийся тем, что подложка выполнена из прозрачного одноосного анизотропного монокристалла и оптическая ось подложки является нормалью к плоскости, проходящей через оптическую ось пластины и ее нормаль.

9. Экран по пп. 1 3, отличающийся тем, что подложка выполнена из прозрачного одноосного анизотропного монокристалла и оптическая ось подложки параллельна линии пересечения плоскости подложки, обращенной к пластине, и плоскости, проходящей через оптическую ось пластины и ее нормаль.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к электронной технике, в частности к кинескопам высокой яркости, и может быть использовано в проекционном стереотелевидении.

Известен лазерный экран электронно-лучевой трубки, содержащий монокриталлическую пластину GaAs толщиной 40 мкм с зеркальными покрытиями на обеих ее поверхностях (Козловский В.И. Резников П.В. Диаграмма направленности излучения лазерных ЭЛТ. Труды ФИАН. Лазерные электронно-лучевые трубки. 1991, т. 202, с. 34).

Пластина выполнена из изотропного материала, тем не менее вблизи порога генерации излучение из каждой отдельной точки линейно поляризовано.

Недостатком устройства является то, что излучение не имеет единую поляризацию по всей площади экрана.

Известна также электронно-лучевая трубка, содержащая в вакуумной оболочке электронно-оптическую систему и лазерный экран, набранный из закрепленных на сапфировой подложке пластинчатых кристаллов CdS c зеркальными покрытиями на обеих поверхностях (Котовщиков Г.С. и др. Отпаянный сканирующий полупроводниковый лазер, возбуждаемый электронным пучком. Квантовая электроника, 1974, N 2, с. 428).

Пластинчатые кристаллы анизотропны и генерируют линейно поляризованное излучение с поляризацией электрического поля перпендикулярно оптической оси (0001). Подложка имеет ориентацию (0001) и деполяризует излучение, проходящее подложку под углом к ее нормали.

Недостатками устройства являются неоднородность излучения лазерного экрана из-за наличия стыков между кристаллами и из-за отличия излучательных свойств отдельных кристаллов, а также низкая степень линейной поляризации излучения и ее уменьшение с увеличением мощности излучения.

Наиболее близким к изобретению является лазерный экран электронно-лучевой трубки, содержащий тонкую монокристаллическую пластину из полупроводника с гексагональной структурой группы А2В6, на обе поверхности которой напылены зеркальные покрытия, причем пластина приклеена к прозрачному хладопроводу лейкосапфировому диску (Уласюк В.Н. Квантоскопы. М. Радио и связь, 1989, с. 49).

Пластина и диск имеют базисную ориентацию (0001). Исследования поляризации излучения лазерного экрана, проведенные в данной работе, показали, что в отдельных областях пластины размерами в несколько квадратных миллиметров генерируемое излучение имеет линейную поляризацию, по крайней мере вблизи порога генерации. Было выяснено, что монокристаллическая пластина состоит из слабо разориентированных блоков (разориентация порядка градуса), и эта разориентация определяет линейную поляризацию излучения. Однако из-за достаточно большой расходимости это излучение деполяризуется после прохождения сапфировой подложки.

Недостатком устройства является неоднородность линейной поляризации излучения вдоль поверхности экрана и малая степень поляризации при высоких плотностях электронного пятна на экране, не более 50%

Цель изобретения увеличение однородности и степени линейной поляризации излучения лазерного экрана электронно-лучевой трубки.

Цель достигается тем, что лазерный экран электронно-лучевой трубки содержит закрепленную на прозрачной подложке монокристаллическую пластину, на обе поверхности которой нанесены зеркальные покрытия, причем оптическая ось пластины, обладающей одноосной оптической анизотропией, резориентирована относительно нормали к пластине, а подложка выполнена не деполяризующей генерируемое излучение.

Для получения излучения в видимом и ближнем ультрафиолетовом диапазонах спектра монокристаллическую пластину, обладающую одноосной оптической анизотропией, целесообразно изготавливать из одного из полупроводниковых соединений А2В6 со структурой вюрцита или их твердых растворов.

Максимальная мощность излучения при приемлемых значениях срока службы достигается на лазерных экранах с толщиной пластины 20-50 мкм. Для достижения высокой степени поляризуемости излучения угол разориентации оптической оси от нормали целесообразно в этом случае выбирать равным не менее 3о.

Не деполяризующая генерируемое излучение подложка выполнена из одноосного анизотропного монокристалла, у которого оптическая ось перпендикулярна плоскости, образованной оптической осью пластины и ее нормалью, или параллельна линии пересечения этой плоскости с плоскостью подложки, обращенной к пластине, или материала, оптически изотропного на длине волны генерации.

В качестве материала, оптически изотропного на длине волны генерации, целесообразно использовать анизотропные кристаллы одного из полупроводниковых соединений А2В6 со структурой вюрцита или их твердых растворов, у которого изотропная точка в спектральной зависимости показателя преломления приходится на длину волны генерации.

Для увеличения срока службы лазерных экранов, работающих при температуре, значительно отличающейся от температуры закрепления пластины на подложке, пластину и подложку изготавливают из однотипных полупроводниковых соединений с близкими значениями коэффициентов температурного расширения вдоль и поперек оптических осей, а эти оси делают практически параллельными друг другу. В частности, для получения излучения в желто-зеленой области спектра при работе лазерного экрана при температуре 80-300К предпочтительно монокристаллическую пластину выполнять из соединения CdS1-хSeх при значениях х от 0 до 0,1, а подложку из соединения CdS.

Сущность изобретения состоит в том, что, выбрав для монокристаллической пластины анизотронные кристаллы соединений А2В6 или их твердых растворов со структурой вюрцита, у которых оптическое усиление имеет явно выраженный максимум в зависимости от угла разориентации вектора электромагнитного излучения относительно оптической оси и вырезав из такого кристалла пластинку в нужном направлении, тем самым ориентировав оптическую ось под определенным углом к оси резонатора, совпадающей с нормалью к пластине, мы вводим сильную селекцию мод резонатора по направлениям поляризации излучения, в результате чего добиваемся устойчивой по всей площади лазерного экрана генерации излучения с единой линейной поляризацией, а выполнение условий, накладываемых на подложку, гарантирует отсутствие деполяризации излучения при его прохождении через эту подложку.

Селекция мод резонатора осуществляется через пороговое условие, при котором коэффициент оптического усиления, зависящий от плотности тока электронного пучка, становится равным коэффициенту потерь в резонаторе, определяемому потерями на зеркальных покрытиях и внутри пластины. Оптическое усиление максимально при ориентации вектора электрического поля излучения Е перпендикулярно оптической оси С, а потери минимальны для излучения с волновым вектором k, параллельным оси резонатора, то есть нормали к пластине N. Поэтому, если ось С достаточно сильно разориентирована относительно N, то будет генерироваться излучение с Е, перпендикулярным плоскости, образованной С и N. Если ось С будет недостаточно сильно разориентирована, то при небольшом превышении порога генерации основной моды могут возбуждаться и моды с другой поляризацией, что приведет к уменьшению степени поляризации.

Достаточность разориентации для генерирования излучения с высокой степенью линейной поляризации определяется параметрами резонатора и электронного пучка, наиболее важным из которых является длина резонатора (в нашем случае толщина пластины), поскольку она в основном определяет угол расходимости генерируемого излучения.

Если угол лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227 между осью С и нормалью N будет меньше 3о при толщине пластины 20-50 мкм, то будет уменьшаться степень поляризации при высоких плотностях электронного пучка. Кроме того, следует учитывать, что реальные кристаллы больших размеров, используемые для изготовления лазерных экранов, имеют малоугловые границы, отделяющие отдельные блоки, разориентированные друг от друга на угол до 1о. Поэтому при разориентации угла лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227 менее 3о возможно также появление неоднородности поляризации по площади лазерного экрана, обусловленной наличием этих блоков.

Предложены различные варианты выполнения подложки, исключающие деполяризацию генерируемого излучения. Наиболее простой вариант, когда подложка изотропна. В этом случае она может быть выполнена как из изотропного кристаллического материала, так и из материала, подобного стеклу. При выполнении подложки из стекла и других подобных ему материалов с малой теплопроводностью лазерный экран не может работать при высоких средних нагрузках из-за плохого теплоотвода.

Для изготовления подложки может быть использован и анизотропный кристалл. Однако надо иметь в виду, что в общем случае при прохождении расходящегося пучка света через пластину из анизотропного кристалла наблюдается деполяризация светового пучка, в том числе и в наиболее широко используемом варианте лазерного экрана с сапфировой подложкой, ориентированной по плоскости (0001). Лишь предложенные в заявке два варианта ориентации оптической оси подложки: перпендикулярно плоскости, образованной оптической осью пластины и ее нормалью, или параллельно линии пересечения этой плоскости с плоскостью подложки, обращенной к пластине, не приводит к деполяризации. В первом случае оптическая ось подложки практически совпадает с направлением поляризации генерируемого излучения, а следовательно, вектор поляризации любого луча генерируемого пучка света лежит в плоскости, проходящей через оптическую ось подложки и направление распространения этого луча, то есть все лучи генерируемого пучка света будут необыкновенными. Во втором случае вектор поляризации практически перпендикулярен плоскостям, проходящим через оптическую ось подложки и направления распространения отдельных лучей светового пучка, то есть все лучи будут проходить подложку в виде обыкновенных лучей.

Сущность другого предложения по использованию анизотропного кристалла для изготовления подложки заключается в том, что в целом анизотропный кристалл может быть оптически изотропным на определенной длине волны, соответствующей изотропной точке в спектральной зависимости показателя преломления. В частности, таким свойством обладают полупроводниковые соединения А2В6 со структурой вюрцита и их твердые растворы. Необходимо, чтобы эта изотропная точка находилась в области прозрачности кристалла. Если изотропная точка не будет соответствовать длине волны генерации, то будет наблюдаться деполяризация излучения при любой ориентации оптической оси подложки, кроме указанной выше.

В изобретении также учитывается, что в случае, когда температура закрепления пластины на подложке будет заметно отличаться от рабочей температуры лазерного экрана, то требуется согласование коэффициентов температурного расширения пластины и подложки во всех направлениях вдоль пластины, чтобы предотвратить возникновение существенных упругих напряжений, которые могут приводить к деполяризации излучения и уменьшению срока службы лазерного экрана. Это требование выполняется автоматически, если пластину и подложку изготавливать из кристаллов однотипных полупроводниковых соединений, не сильно отличающихся по составу. В качестве таких соединений могут быть выбраны два состава таких систем, как CdS1-хSeх, Zn1-хСdхSe, Zn1-хСdхS, и других при двух различных значениях х. Причем поскольку изотропная точка кристалла с заданным параметром состава х смещена в длиноволновую сторону относительно длины волны генерации на этом кристалле на величину от 0 до примерно 30 нм в зависимости от типа соединения и температуры кристалла, и такой спектральный сдвиг может быть скомпенсирован изменением х в пределах от 0 до 0,3, то упомянутые выше два различных значения х будут различаться незначительно, на 0-0,3 (0-0,1 для системы CdS1-xSex вблизи СdS), а коэффициенты температурного расширения пластины и подложки будут близки друг другу, если их оптические оси параллельны между собой.

Если не согласовывать коэффициенты температурного расширения пластины и подложки, то это приведет к возникновению внутренних термоупругих напряжений, которые могут изменить линейную поляризацию излучения или полностью ее дополяризовать. Кроме того, срок службы лазерных экранов с высокими внутренними термоупругими напряжениями заметно уменьшается.

На фиг. 1-5 показан предлагаемый лазерный экран.

Лазерный экран содержит пластину 1, первое зеркальное покрытие 2, второе зеркальное покрытие 3, подложку 4, 5 поверхность подложки, обращенная к пластине; поверхность 6 подложки, противоположную поверхности 5, световой конус 7 внутри подложки, световой конус 8 вне подложки, e электронный пучок; hлазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227- электромагнитное излучение; N нормаль к пластине; С оптическая ось пластины; Сп оптическая ось подложки, Е вектор электрического поля генерируемого излучения; k волновой вектор основной моды генерируемого излучения; лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227 угол разориентации оси С пластины относительно ее нормали N; АА1 один из лучей светового конуса; Е""А проекция вектора Е на плоскость, проходящую через луч АА1 и оптическую ось подложки Сп; Е"А проекция вектора Е на нормаль к плоскости, проходящую через луч АА1 и оптическую ось подложки Сп; n"" показатель преломления подложки для излучения с Е|Сп; n" показатель преломления подложки для излучения с Е_Сп; лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227ген длина волны генерации лазерного экрана; лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227из длина волны изотропной точки на спектральной зависимости показателя преломления n(лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227) анизотропного кристалла; I интенсивность генерации лазерного экрана.

На фиг. 1 представлен лазерный экран согласно изобретению. На фиг.2 а-в представлены проекции светового конуса, образуемого при прохождении генерируемого излучения через подложку, на плоскость подложки, обращенную к пластине, в случае известного решения (а) и в двух предлагаемых вариантах выполнения подложки из анизотропного одноосного кристалла (б и в). На фиг.3 показано, как согласуется спектр показателя преломления подложки со спектром генерации лазерного экрана в одном из вариантов выполнения подложки. На фиг. 4 для двух различных температур представлены зависимости длины волны генерации лазерного экрана с пластиной из соединения CdS1-хSeх и длины волны изотропной точки в спектральной зависимости показателя преломления от состава этого соединения.

Лазерный экран согласно фиг.1 содержит пластину 1 с первым зеркальным покрытием 2 и вторым зеркальным покрытием 3, закрепленную на подложке 4, имеющей поверхность 5, обращенную к пластине 1, и противоположную ей поверхность 6. Пластина 1 обладает одноосной оптической анизотропией и имеет оптическую ось С, которая разориентирована на угол лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227 относительно нормали к пластине N. Пластина 1 выполняется предпочтительно из полупроводниковых соединений А2В6 или их твердых растворов со структурой вюрцита. Угол лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227 может быть выбран из диапазона 0-90о, но при толщине пластины 1, равной от 20 до 50 мкм, угол лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227 предпочтительно выбирать большим, чем 3о.

В этом варианте подложка 4 прозрачна для генерируемого излучения, первое зеркальное покрытие 2 делается глухим и второе зеркальное покрытие 3 полупрозрачным.

Лазерный экран работает следующим образом. Электронный пучок e- отклоненный в заданную точку лазерного экрана, проникает в пластину1 и генерирует в ней в пределах диаметра электронного пятна неравновесные электронно-дырочные пары. В результате в пластине возникает собственная люминесценция, а при достаточно высокой плотности электронного пучка и оптическое усиление этой люминесценции. Благодаря особенностям зонной структуры вюрцита полупроводниковых соединений А2В6 и их твердых растворов катодолюминесценция пластины, и особенно ее оптическое усиление, имеют предпочтительную поляризацию с вектором Е, перпендикулярным оптической оси С. Глухое первое зеркальное покрытие 2 и полупрозрачное второе зеркальное покрытие 3 образуют оптический резонатор, в котором могут возбуждаться различные типы колебаний, различающиеся продольным, поперечным индексами и поляризацией электромагнитного поля. Селекция типов колебаний осуществляется благодаря конечному поперечному размеру области возбуждения, определяемому диаметром электронного пятна на лазерном экране, и особенностями оптического усиления.

Из всего многообразия типов колебаний основная мода с волновым вектором k, направленным вдоль нормали N, и вектором Е, перпендикулярным плоскости, образованной векторами С и N, имеет наименьшие потери и наименьший порог генерации. Генерируемое излучение <N>h<N>nu<N> выходит из резонатора через подложку 4 наружу из электронно-лучевой трубки. Из-за дифракции и возбуждения нескольких поперечных типов колебаний генерируемое излучение представляет собой расходящийся световой пучок, представленный на фиг.1 световым конусом 7, основаниями которого являются круг радиусом r в плоскости 5 подложки 4 и круг радиусом R в плоскости 6 подложки 4, а также расходящийся конус 8 вне подложки 4. Предложенные в заявке варианты выполнения подложки обеспечивают сохранность поляризации расходящегося светового пучка на выходе из подложки.

На фиг. 1 представлен вариант лазерного экрана, у которого излучение проходит через подложку. Однако возможен вариант, когда излучение выходит "назад" через зеркало 2. В этом случае зеркало 2 делается полупрозрачным, зеркало 3, наоборот, отражающим, а подложка может быть непрозрачной, в том числе и из металла. Во всех случаях предпочтительно подложку выполнять из материала с высокой теплопроводимостью.

Пластина может быть выполнена и из изотропного кристалла. Но в этом случае процессы изготовления или охлаждения лазерного экрана до рабочих температур необходимо проводить таким образом, чтобы за счет внутренних упругих напряжений в пластине возникала наведенная оптическая анизотропия. Упругие напряжения в пластине можно создать также преднамеренным сжатием или растяжением подложки в одном из направлений вдоль пластины.

Подложка должна быть не деполяризующей генерируемое излучение. В случае лазерного экрана, работающего "на отражение" (излучение выходит из пластины 1 через зеркало 2), подложка будет недеполяризующей, если она не наводит в пластине дополнительную неоднородную по поверхности анизотропию, которая может привести к неоднородной по поверхности лазерного экрана поляризации генерируемого излучения.

Если лазерный экран работает на просвет, как это изображено на фиг.1, то подложка является недеполяризующей, если она не изменяет поляризацию проходящего через нее генерируемого излучения. В одном из вариантов изобретения она выполняется из изотропного материала, например стекла, различных изотропных кристаллических гранатов и т.д. В других вариантах подложка выполняется из анизотропного одноосного монокристалла с определенной, отличной от применяемых в известных решениях, ориентацией оптической оси Сп.

На фиг. 2а представлена проекция на плоскость 5 генерируемого светового конуса 7 согласно известному техническому решению. В этом случае оптическая ось Сп перпендикулярна плоскости фиг.2а и пересекает эту плоскость в точке 0. Рассмотрим луч АА1, пересекающий плоскость 5 в точке А и плоскость 6 в точке А1. Пусть генерируемое излучение имеет вертикальную поляризацию, так что вектор электрического поля в точке А соответствует на фиг.2а вектору ЕА. Из фиг. 2а видно, что вектор EА составляет некоторый угол с плоскостью, проходящей через оптическую ось Сп и луч АА1. Этот угол изменяется от 0 до 90о в зависимости от выбора луча АА1 в световом пучке hлазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227. Вектор ЕА может быть разложен на две составляющие: Е"A, перпендикулярную плоскости, образованную осью Сп и лучом АА1, и Е""А, принадлежащую этой плоскости.

Таким образом луч АА1 при прохождении кристаллической подложки 4 распадается на два луча: обыкновенный с Е"А и необыкновенный с Е""А. Эти два луча в общем случае расходятся и не интерферируются на выходе подложки, в результате чего луч АА1 становится неполяризованным. Неполяризованным становится в целом весь световой пучок.

Деполяризация светового пучка уменьшается с уменьшением его расходимости и с уменьшением толщины подложки. Однако для обычных в лазерных экранах угле расходимости 10-30о и толщинах подложки, выполненной из сапфира, 5-15 мм деполяризация излучения значительна.

На фиг. 2б и 2в представлены аналогичные проекции светового конуса 7 в вариантах предлагаемого технического решения. В варианте на фиг.2б оптическая ось подложки ориентирована вертикально в плоскости 5 и практически параллельна вектору ЕА. Видно, что вектор ЕА практически лежит в плоскости, образованной осью Сп и лучом АА1. Следовательно, луч АА1 является необыкновенным лучом и сохраняет поляризацию на выходе из подложки. Поскольку это выполняется для всех лучей светового пучка hлазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227, то световой пучок подложкой не деполяризуется.

В варианте на фиг. 2в оптическая ось ориентирована горизонтально в плоскости 5 и перпендикулярна вектору ЕА. Поскольку вектора ЕА перпендикулярен любому лучу АА1 из светового пучка, то он перпендикулярен плоскости, образованной лучом АА1 и оптической осью Сп. Следовательно, все лучи светового пучка будут обыкновенными и проходят через подложку также без изменения поляризации.

Еще в одном варианте подложка выполнена из в целом анизотропного кристалла, но имеющего изотропную точку в спектральной зависимости показателя преломления n(лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227), представленной на фиг.3. Необходимым также является совпадение длины волны изотропной точки лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227из с длиной волны генерации лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227ген, показанной на спектре генерации на фиг.3. В этом варианте ориентация оптической оси подложки может быть произвольной. Однако согласовать коэффициенты температурного расширения подложки и пластины легче, если оптическая ось подложки параллельна оптической оси пластины, а материалы подложки и пластины близки по составу.

В качестве таких материалов могут быть выбраны два соединения из системы CdS1-хSeх. На фиг.4,5 для этой системы представлены зависимости лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227из и лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227ген от параметра состава х при Т 80 и 300 К. Параметр х 0 соответствует соединению CdS, а параметр х 1 соединению CdSe. Видно, что лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227из смещена в длинноволновую сторону относительно лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227ген для состава твердого раствора CdS1-xSex c заданным значением x, причем с увеличением Т до комнатной лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227из приближается к лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227ген. Если подложку выполнить из монокристалла CdS, то, чтобы выполнить условие лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227из= лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227ген при T 80 К, пластину надо выполнять из монокристалла CdS0,9Se0,1. При увеличении температуры Т до 300 К пластину так же, как и подложку, следует изготовлять из CdS.

Если толщина подложки превышает 1 мм, то ее предпочтительно выполнять из более широкозонного материала, чем материал пластины. В противном случае возможно ослабление мощности излучения лазерного экрана из-за заметного поглощения этого излучения в подложке. Поэтому последний вариант выполнения подложки предпочтителен для изготовления лазерных экранов, работающих с охлаждением ниже комнатной температуры, когда важно требование согласования коэффициентов температурного расширения пластины и подложки.

Лазерный экран по изобретению обладает новым свойством линейной поляризацией. Электронно-лучевые трубки с такими экранами могут быть использованы в проекционном стереотелевидении с использованием недеполяризующего внешнего экрана и индивидуальных очков для зрителя с поляризационными стеклами со взаимно перпендикулярной ориентацией для левого и првого глаз. Стереотелевизионное проекционное устройство на основе электронно-лучевых трубок с лазерными экранами по настоящему изобретению имеет существенное преимущество по сравнению со стереопроекторами, использующими электронно-лучевые трубки с неполяризованным излучением, снабженные дополнительными поляризаторами, заключающееся в том, что исключение поляризаторов, на которых теряется более 50% излучения, позволяет увеличить полный световой поток на внешний экран более, чем в 2 раза.

Лазерные экраны по настоящему изобретению могут излучать в синей (пластина из ZnxCd1-xS при x 0,1-0,25, лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227= 10-20о), зеленой (пластина из CdS1-xSex при x 0-0,15, лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227 10-20о) и красной (пластина из CdS1-xSex при х 0,5-0,6, лазерный экран электронно-лучевой трубки, патент № 2042227= 10-20о, подложка во всех трех случаях из лейкосапфира с ориентацией оптической оси вдоль нормали к плоскости, проходящей через оптическую ось пластины и нормаль к этой пластине) областях спектра. Используемая три горизонтально расположенные трубки красного, зеленого и синего излучения с вертикальной поляризацией излучения и три трубки красного, зеленого и синего излучения с горизонтальной поляризацией излучения, можно создать проекционное устройство для цветной стереопроекции. В ряде случаев общее число трубок может быть уменьшено до четырех.

Класс H01J31/08 с экраном, на котором или с помощью которого создается, воспринимается, преобразуется или накапливается изображение или рисунок 

устройство для эмиссии электронов и панель для создания изображения с использованием этого устройства, а также устройство для создания изображения и устройство для отображения информации -  патент 2421843 (20.06.2011)
устройство электронной эмиссии, источник электронов, использующий его, устройство формирования изображения и устройство отображения и воспроизведения информации -  патент 2353018 (20.04.2009)
эмитирующее электроны устройство, источник электронов и устройство отображения с использованием такого устройства и способы изготовления их -  патент 2331134 (10.08.2008)
лазерный электронно-лучевой прибор с динамической подфокусировкой -  патент 2210137 (10.08.2003)
лазерный электронно-лучевой прибор с электростатической фокусировкой пучка электронов -  патент 2210136 (10.08.2003)
холодноэмиссионный катод и плоский дисплей -  патент 2210134 (10.08.2003)
лазерный электронно-лучевой прибор -  патент 2192686 (10.11.2002)
полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком -  патент 2191453 (20.10.2002)
тепловизионная камера с устройством управления температурой мишени пировидикона -  патент 2123239 (10.12.1998)
матричный экран -  патент 2106713 (10.03.1998)
Наверх