способ определения параметров тонких магнитных пленок

Формула изобретения

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК, включающий воздействие на образец постоянным магнитным полем смещения, переменным модулирующим полем и фотоэлектрическую регистрацию переменной компоненты намагниченности, отличающийся тем, что переменное магнитное поле создают с помощью двух синхронных противофазных источников с градиентом, перпендикулярным плоскости образца, и перемещением их в осевом направлении относительно образца устанавливают его в положение, при котором смена знака фазы результирующего поля модуляции происходит в заданном слое образца.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к способам измерений параметров тонких магнитных пленок (ТМП) и может найти применение при научных исследованиях и технологическом контроле образцов ТМП, например, гранатовых эпитаксиальных структур.

Способ поясняется чертежом, на котором представлена функциональная схема устройства для проведения измерений.

Испытуемый образец 1 размещен в соленоиде 2, создающем постоянное поле смещения. Соленоид 2 подключен к источнику 3 регулируемого постоянного тока. Градиентное переменное модулирующее поле создается с помощью двух колец Гельмгольца 4, состоящих из двух одинаковых обмоток, включенных встречно последовательно друг другу и подключенных к генератору 5 переменного тока. С помощью микрометрического устройства (не показано) положение образца по отношению к кольцам Гельмгольца можно регулировать в направлениях, показанных стрелкой. Система фотоэлектрической регистрации переменной компоненты намагниченности образца включает в себя источник 6 света, поляризатор 7, анализатор 8 и фотоприемник 9, подключенный к входу усилителя 10 переменного тока с регистрирующим прибором.

Способ реализуется следующим образом.

С помощью соленоида 2 создают постоянное магнитное поле смещения, величина которого соответствует тому участку кривой намагничивания образца, для которого производится определение дифференциальной магнитной восприимчивости. С помощью устройства образец 1 помещают в такое положение, при котором один из слоев пленки находится в плоскости, в которой происходит смена знака фазы результирующего переменного модулирующего поля, т.е. в плоскости с нулевым полем модуляции. На катушки Гельмгольца 4 подают ток от генератора 5 и устанавливают такое его значение, которое соответствует заданной величине амплитуды поля модуляции для второго слоя пленки, т.е. для слоя, параметры которого подлежат определению. На образец направляют свет от источника 6 света и с помощью регистрирующего прибора 11 измеряют сигнал, пропорциональный переменной компоненте намагниченности заданного слоя.

Описанный процесс измерения может быть повторен для других фиксированных значений поля смещения, в результате после обработки результатов измерений по известным стандартным соотношениям получают, например, зависимость дифференциальной магнитной восприимчивости от величины внешнего постоянного магнитного поля.