способ рентгеноструктурного исследования первичной рекристаллизации

Классы МПК:G01N23/20 с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения 
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Самарский государственный аэрокосмический университет
Приоритеты:
подача заявки:
1993-01-21
публикация патента:

Использование рентгеноструктурный анализ термически активируемых процессов в металлах и сплавах. Сущность изобретения: исследуемые образцы подвергают обработке давлением, затем пластически деформированные образцы изохронно отжигают и рентгенографируют. Полученную в результате рентгенографии дифракционную картину интерпретируют в соответствии с выявленными закономерностями между режимами обработки и длиной волны рентгеновского излучения, с одной стороны, и характеристиками зеренной структуры с другой. В отличие от металлографического способ является неразрушающим, применим к мелкозернистым сплавам после модифицирования, более информативен, позволяет определять параметры первичной рекристаллизации с более высокой точностью и анализировать ее кинетику по толщине (0,1 100) мкм поверхностного слоя объекта.

Формула изобретения

СПОСОБ РЕНТГЕНОСТРУКТУРНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ПЕРВИЧНОЙ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ, состоящий в обработке образцов из металлов и сплавов давлением при контролируемой пластической деформации, изохронном рекристаллизационном отжиге образцов, их рентгенографировании с фоторегистрацией дифракционной картины, анализе рентгенограмм и определении параметров первичной рекристаллизации, отличающийся тем, что образцы обрабатывают давлением в интервале степеней E деформации (0,5 5,0)Eк, где Eк ожидаемая критическая степень деформации, отжигают при температуре tнр<tспособ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 tкр , где tнр и tкр - температуры начала и конца первичной рекристаллизации, рентгенографируют в излучении, соответствующем соотношению d< 1/способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990<10d, где d размер зерна в направлении первичного пучка, способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 коэффициент линейного ослабления лучей в материале, а реальную величину Eк определяют по минимуму зависимости числа N точечных рефлексов на интерференционных линиях рентгенограммы от величины E, полученной из рентгенограмм, отожженных при температуре t образцов.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу металлов и сплавов, а именно к исследованию термически активируемых процессов, в частности, первичной рекристаллизации.

Известен способ рентгеноструктурного исследования первичной рекристаллизации, который состоит в обработке металлов и сплавов давлением при больших деформациях, изохронном рекристаллизационном отжиге образцов, их рентгенографировании со сцинтилляционной регистрацией дифракционной картины, анализе дифрактограмм и определении по результатам анализа параметров первичной рекристаллизации [1] Однако этому способу присущ довольно существенный недостаток, заключающийся в потере столь важной части информации об эволюции зеренной структуры, каковой является число точечных рефлексов на интерференционных линиях рентгенограмм, полученных при фоторегистрации дифракционной картины отожженных после пластической деформации объектов.

Известен также способ, состоящий в обработке металлов и сплавов давлением при контролируемой деформации, изохронном рекристаллизационном отжиге образцов, их рентгенографировании с фоторегистрацией дифракционной картины, анализе рентгенограмм и определении параметров первичной рекристаллизации [2] Однако этот способ не позволяет определить такой важной характеристики первичной рекристаллизации, как степень способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к критической деформации, и таким образом ограничивает возможность рентгеноструктурного анализа.

Цель изобретения расширение функциональных возможностей способа посредством определения по результатам рентгенографирования величины способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к в металлах и сплавах.

Достигается это благодаря тому, что в способе рентгеноструктурного исследования первичной рекристаллизации, состоящем в обработке металлов и сплавов давлением при контролируемой пластической деформации, изохронном рекристаллизационном отжиге образцов, их рентгенографировании с фоторегистрацией дифракционной картины, анализе рентгенограмм и определении параметров первичной рекристаллизации, образцы обрабатывают давлением в интервале степеней способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 деформации (0,5.5) способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к, где способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к ожидаемая критическая степень деформации: отжигают при температуре tрн<t<к, где tрн и tрк температуры начала и конца первичной рекристаллизации; рентгенографируют в излучении, соответствующем соотношению d<1/способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 <10d, где d размер зерна в направлении первичного пучка; способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 коэффициент линейного ослабления лучей в материале, а реальную величину способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к определяют по минимуму зависимости числа N точечных рефлексов на интерференциях от величины способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990, полученной по рентгенограммам отожженных при температуре t образцов.

Отличительный признак с указанием интервала степеней пластической деформации необходим для получения зависимости N f(способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990) как при способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 < способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к, так и при способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 > способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к, ибо ожидаемая величина находится внутри указанного интервала.

Значение нижнего предела 0,5 способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к интервала выявлено как наименьшая величина пластической деформации, при которой связанные с ней изменения в микроструктуре материала распределены равномерно по объему рабочей части образца. При неравномерном распределении таких изменений нельзя получить истинной закономерности между величинами N и способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990.

Величина 5 способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к, ограничивающая интервал сверху, во-первых, соответствует пластической деформации, выше которой возникает сосредоточенное изменение формы в локальных объемах образца, из-за чего и микроструктура, обусловленная такой неравномерной деформацией, будет также неоднородна. Во-вторых, при способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 5 способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к в металлах и сплавах начинает развиваться текстура деформации. В этом случае центры первичной рекристаллизации, т.е. области когерентного рассеяния рентгеновских лучей, дающие на интерференциях рентгенограммы точечные рефлексы, возникают в ходе отжига не только в соответствии с величиной способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 по объему материала, но и в зависимости от кристаллографической ориентации. Плотность возникновения центров при сформированной текстуре деформации помимо величины определяется кристаллографией двух текстур: исчезающей первой и появляющейся новой текстурой рекристаллизации. Неравномерному возникновению центров по объему, обусловленному предпочтительной ориентацией, будет соответствовать и неравномерное распределение точечных рефлексов по окружности дифракционного кольца на рентгенограмме. На некоторых его участках число N может не подлежать учету из-за наложения, что затруднит или исказит интерпретацию рентгенограмм.

Таким образом, выявленный интервал пластической деформации необходим для решения поставленной задачи, т.е. определения величины способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к.

Признак, связанный с температурой t отжига, вместе с предыдущим также необходим для решения поставленной задачи. Во-первых, при проведении отжига ниже t указанного интервала не произойдет изменений в зеренной структуре, ибо центры первичной рекристаллизации еще не возникают. Не будет изменений и на зависимости N f(способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990). Во-вторых, при t> tpк, т.е. выше указанного интервала, первичная рекристаллизация уже завершилась. Размер рекристаллизованного зерна при этом может стать столь большим, что дифракционная картина на рентгенограмме отожженного при такой температуре образца лишается характера картины поликристалла. И в первом, и во втором случаях определить величину способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к по зависимости N f(способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990) становится невозможно.

С другой стороны, когда tрн<tк, эволюцию рекристаллизованной структуры при изохронном отжиге легко контролировать по изменению числа N.

Без отличительного признака с соотношением d<1/способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 <10d решить поставленную задачу так же невозможно, как и без любого из других отличительных признаков. Так, если величина d будет больше 1/способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 в данном излучении, то на дифракционном кольце может оказаться настолько мало точечных рефлексов, что из-за большого доверительного интервала числа N нельзя сделать заключения об изменении структуры по зависимости N f(способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990). В противоположном случае, когда 10d<1/способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990, на кольце может быть зафиксировано чрезмерно много слитых воедино рефлексов, так что проанализировать полученную дифракционную картину становится невозможно.

Таким образом, без указанной в отличительной части формулы предлагаемого изобретения совокупности рассмотренных признаков решить поставленную задачу нельзя.

Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.

Сначала определяют средний размер зерна испытуемого сплава в направлении первичного пучка рентгеновских лучей и по нему, исходя из d<1/ способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 <10d, выбирают излучение. Затем образцы сплава пластически деформируют при 0,5 способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к< способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 < 5 способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к. Объекты, деформированные при способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 5 способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к, подвергают изохронному отжигу при различной t. После отжига их рентгенографируют, регистрируя дифракционную картину на рентгеновской пленке. По результатам анализа рентгенограмм определяют значения tрн и tрк. Первую величину находят по температуре появления первых точечных рефлексов на интерференциях рентгенограммы, вторую по температуре максимума зависимости N f(t). После нахождения температурного интервала первичной рекристаллизации оставшиеся образцы отжигают при tрн<tк в течение того же времени. Рентгенографируют в той же камере и анализируют полученные дифракционные картины. По результатам анализа строят зависимость N f( способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990) и по минимуму ее определяют величину способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к.

П р и м е р. Определение величины способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к в листовом полуфабрикате алюминиевого сплава АМг6.

Полученный металлографически средний размер зерна в направлении, поперечном плоскости прокатки листа, составил 16 мкм. Для выбранного излучения кобальта величина 1/способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 равна 50 мкм, т.е. 16 < 50 < 160 мкм. Ожидаемая величина способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к в сплаве находится около способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990 способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 20499904% Образцы сплава пластически деформировали в интервале степеней 2.20% Образцы, деформированные на 20% подвергали вакуумному изохронному отжигу при температурах от 80 до 350оС в течение 1 ч. После отжига рентгенографировали их в камере обратной съемки КРОС перпендикулярно плоскости прокатки листа. По результатам анализа рентгенограмм оказалось, что величины tрн и tрк составляют 110 и 230оС соответственно.

Оставшиеся деформированные образцы отжигали при температуре 190оС в тех же условиях. По результатам анализа рентгенограмм этих образцов построили зависимость N f(способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990), минимум которой соответст- вовал реальной величине способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к 3,5% Найденная величина согласуется с результатами макроструктурных исследований.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет определять величину критической степени деформации, что соответствует поставленной задаче и способствует расширению возможностей рентгеноструктурного анализа металлов и сплавов.

В отличие от часто применяемого для определения величины способ рентгеноструктурного исследования первичной   рекристаллизации, патент № 2049990к металлографического способа предлагаемый является неразрушающим в отношении поверхности, применим для контроля мелкозернистых материалов, в частности деформируемых сплавов после модифицирования, более информативен, позволяет определять параметры первичной рекристаллизации с более высокой точностью и анализировать кинетику термически активируемых процессов по толщине 0,1.100 мкм поверхностного слоя объекта.

Класс G01N23/20 с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения 

способ определения концентрации элемента в веществе сложного химического состава -  патент 2524454 (27.07.2014)
способ определения термостойкости изделий из сверхтвердой керамики на основе кубического нитрида бора -  патент 2522762 (20.07.2014)
способ контроля и управления непрерывной термообработкой -  патент 2518039 (10.06.2014)
способ рентгенометрической оценки температурных условий эксплуатации трубных элементов котлов -  патент 2509298 (10.03.2014)
способ рентгеноструктурного контроля детали -  патент 2488099 (20.07.2013)
фосфат лития-железа со структурой оливина и способ его анализа -  патент 2484009 (10.06.2013)
способ и устройство для регистрации кривых дифракционного отражения -  патент 2466384 (10.11.2012)
рентгенодифракционный способ идентификации партий фармацевтической продукции -  патент 2452939 (10.06.2012)
прибор для рентгеновского анализа -  патент 2450261 (10.05.2012)
рентгеновская установка для формирования изображения исследуемого объекта и ее применение -  патент 2449729 (10.05.2012)
Наверх