способ изготовления магнитных пленок

Формула изобретения

Способ изготовления магнитных пленок, включающий нанесение на диэлектрическую подложку двух магнитных слоев и формирование магнитных неоднородностей, отличающийся тем, что между магнитными слоями дополнительно наносят немагнитный слой, а формирование магнитных неоднородностей в одном из магнитных слоев осуществляют после их осаждения методом селективного травления.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области технологии изготовления тонких магнитных пленок с заданными свойствами и может быть использовано при построении запоминающих устройств.

Известны способы повышения коэрцитивной силы магнитомягкого слоя. Один из способов основан на селективном химическом травлении нанесенного на диэлектрическую подложку слоя магнитного материала, сопровождающимся ростом пористости материала, что приводит к увеличению коэрцитивной силы [1]

Недостаток этого способа разрушение поверхности рабочего магнитного слоя.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является способ [2] заключающийся в нанесении на диэлектрическую подложку магнитомягкого и магнитожесткого слоев с формированием в магнитожестком слое магнитных неоднородностей. Магнитостатическое взаимодействие магнитных полей рассеяния от магнитных неоднородностей с магнитомягким слоем приводит к повышению коэрцитивной силы магнитомягкого слоя.

Недостатки этого способа ограниченная возможность контроля за ростом коэрцитивной силы и обязательное использование в качестве одного из слоев высококоэрцитивного материала.

Цель изобретения контролируемое увеличение коэрцитивной силы магнитомягкой пленки.

Способ поясняется чертежом.

Поставленная цель достигается следующим образом. На диэлектрическую подложку 1 последовательно напыляют два магнитных слоя 2, разделенных немагнитным слоем 3. Магнитные слои могут быть получены осаждением одного и того же материала, либо магнитных материалов с различными значениями коэрцитивной силы. Полученная система подвергается химическому травлению, в процессе которого осуществляется контроль за величиной коэрцитивной силы нижнего слоя пленки. При достижении ее необходимого значения травление прекращают.

П р и м е р 1. На диэлектрическую подложку осаждают магнитомягкий слой Fe-Ni-Co, затем немагнитный слой SiO₂ и на него наносят слой Fe-Ni-Co распылением той же мишени. Поверхностный слой подвергают селективному химическому травлению, в результате которого одновременно увеличивается коэрцитивная сила этого слоя и появляются магнитные неоднородности. Магнитостатическое взаимодействие полей рассеяния от неоднородностей с намагниченностью нижнего слоя ведет к увеличению его коэрцитивной силы.

П р и м е р 2. На стеклянную подложку ионно-плазменным напылением наносят магнитомягкий слой, содержащий, мас. Fe 15; Ni 64, Со 21, толщиной 70 мм, немагнитный слой Ti толщиной 10 нм, затем магнитожесткий слой СоW толщиной 80 нм и фоторезист. Методом фотолитографии и последующего травления из CoW слоя формируют магнитные неоднородности в виде системы полосок шириной 8 мкм и периодом 30 мкм. Для приведенного конкретного примера увеличение коэрцитивной силы Fe-Ni-Co слоя составляет 8,5 Э (2,5-11 Э).

Использование предлагаемого способа позволяет контролировать величину коэрцитивной силы и при достижении необходимого значения прекратить процесс травления. При изготовлении пленочной системы можно использовать для осаждения слоев один и тот же магнитный материал.