шихта для выращивания иттрий-алюминиевого граната

Классы МПК:C30B11/02 без использования растворителей
C30B29/28 с формулой A3Me5O12, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья
Приоритеты:
подача заявки:
1993-08-30
публикация патента:

Шихта для выращивания иттрий-алюминиевого граната из расплава, включающая оксиды иттрия, алюминия, иттербия и один из элементов IV группы (цирконий, гафний, кремний), отличающаяся тем, что она дополнительно содержит оксиды редкоземельных элементов (от лантана до тербия) или их смесь при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Оксид иттрия - 20,71 - 56,47

Оксид иттербия - 0,5 - 30,0

Диоксид элемента IV группы - 0,02 - 0,2

Оксид редкоземельного элемента или их смесь - 0,005 - 15

Оксид алюминия - Остальное

Описание изобретения к патенту

Класс C30B11/02 без использования растворителей

способ получения кристаллов галогенидов таллия -  патент 2522621 (20.07.2014)
способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира -  патент 2520472 (27.06.2014)
способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия -  патент 2487202 (10.07.2013)
способ получения кристаллических заготовок твердых растворов галогенидов серебра для оптических элементов -  патент 2486297 (27.06.2013)
способ изготовления монокристаллов фторидов кальция и бария -  патент 2400573 (27.09.2010)
способ получения полупроводниковых кристаллов типа aiibvi -  патент 2380461 (27.01.2010)
лазерное вещество -  патент 2369670 (10.10.2009)
способ получения оптического материала для квантовой электроники на основе кристаллов двойных фторидов -  патент 2367731 (20.09.2009)
лазерное вещество -  патент 2362844 (27.07.2009)
инфракрасная лазерная матрица на основе кристаллов калия и рубидия пентобромплюмбита -  патент 2354762 (10.05.2009)

Класс C30B29/28 с формулой A3Me5O12, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты

Наверх