способ изготовления полупроводникового элемента запальной свечи
Классы МПК: | H01T21/02 свечей зажигания |
Автор(ы): | Гайдерова Л.Н., Близнюк Т.Л., Мурысев А.Н. |
Патентообладатель(и): | Уфимское агрегатное конструкторское бюро "Молния" |
Приоритеты: |
подача заявки:
1993-03-01 публикация патента:
27.06.1996 |
Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового элемента запальной свечи на его рабочую поверхность наносят состав, содержащий медь и окись хрома, при этом полупроводниковый элемент выполняют из окиси хрома и окиси висмута при следующем соотношении компонентов, мас.%: Cr2O3 99,0-99,1; Bi2O3 1,0 -0,1 обжиг его производят при температуре 16400...1660
C, цикл обжига 8 ч, а сжигание состава, содержащего медь и окись хрома, нанесенного на рабочую поверхность полупроводникового элемента, производят при температуре 1180....1200
C в течение 10...20 мин. 2 табл.
Рисунок 1
![способ изготовления полупроводникового элемента запальной свечи, патент № 2063099](/images/patents/409/2063017/186.gif)
![способ изготовления полупроводникового элемента запальной свечи, патент № 2063099](/images/patents/409/2063017/186.gif)
Формула изобретения
Способ изготовления полупроводникового элемента запальной свечи из шихты на основа окиси хрома с обжигом в течение 8 ч при температуре 1640-1660oC, отличающийся тем, что в состав шихты вводят окись висмута при следующем соотношении компонентов, мас. Cr2O3 99,0 99,4Bi2O3 1,0 0,1
а на рабочую поверхность полупроводникового элемента при температуре 1180-1200oC в течение 10-20 мин вжигают состав, содержащий медь и окись хрома.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к технологии изготовления свечей поверхностного разряда, применяемых в системах зажигания для газотурбинных двигателей (ГТД). Известен способ изготовления полупроводникового элемента для запальной свечи [1] из шихты, включающей окись хрома, двуокись циркония, окись алюминия, окись кальция и двуокись кремния при следующем соотношении компонентов, мас. Cr2O3 94ZrO2 1
Al2O3 0,74
CaO 1,16
SiO2 3,10,
заключающийся в том, что подготовку компонентов шихты и формование полупроводникового элемента производят по общепринятой в керамическом производстве технологии, обжиг элемента осуществляют в электрической печи при температуре 1640
![способ изготовления полупроводникового элемента запальной свечи, патент № 2063099](/images/patents/409/2063005/177.gif)
Порошок молибдена 2
Окись хрома 28
Окись никеля 2
Шихта вжигалась в окислительной среде при 1230+20oC, выдержка в течение 20.30 мин. Недостатками данного технического решения [2] являются относительно низкие ресурс и термостойкость свечи. Технический задачей изобретения является дальнейшее повышение ресурса и термостойкости свечи. Сущность изобретения заключается в том, что при изготовлении полупроводникового элемента запальной свечи на его рабочую поверхность наносят состав, содержащий медь и окись хрома, при этом полупроводниковый элемент выполняют из окиси хрома и окиси висмута при следующем соотношении компонентов, мас. Cr2O3 99,0 99,9
Bi2O3 1,0 0,1,
обжиг его производят при 1640.1660oC, цикл обжига 8 ч, а вжигание состава, содержащего медь и окись хрома, нанесенного на рабочую поверхность полупроводникового элемента, производят при температуре 1180.1200oC в течение 10.20 мин. Именно сочетание полупроводникового элемента, выполненного из шихты состава, мас. Cr2O3 99,0 99,9
Bi2O3 1,0 0,1,
обожженного при температуре 1640.1660oC в течение 8 ч, с полупроводниковым покрытием, состоящим из смеси порошков меди и окиси хрома, нанесенным на рабочий торец полупроводникового элемента и вожженным при 1180.1200oC в течение 10.20 мин, позволяет повысить ресурс и термостойкость свечи. Именно предлагаемый режим синтеза полупроводникового элемента позволяет получить необходимые свойства. При понижении температуры синтеза и сокращения циклов обжига не удается получить необходимой степени спекания. При повышении температуры синтеза выше указанных пределов и увеличении продолжительности обжига получается полупроводниковый элемент с конечным значением омического сопротивления R(.) в объеме (порядка 5000 10000 кОм), что приводит к "объемным утечкам", а при вжигании покрытия при более высокой температуре происходит обеднение рабочего поверхностного слоя покрытия за счет значительной диффузии материала покрытия вглубь полупроводникового элемента, что приводит к снижению ресурса. Ниже приведен пример реализации способа изготовления полупроводникового элемента запальной свечи. 1. Из компонентов, согласно рецептам, приведенным в табл.1, по общеизвестной технологии формуются полупроводниковые элементы. 2. Обжиг полупроводникового элемента производится в электрической печи при температуре 1650
![способ изготовления полупроводникового элемента запальной свечи, патент № 2063099](/images/patents/409/2063005/177.gif)
Bi2O3 1,0 0,1,
обожженного при 1640.1660oC в течение 8 ч, с полупроводниковым покрытием, состоящим из смеси порошков меди и окиси хрома, нанесенным на рабочий торец полупроводникового элемента и вожженным при 1180.1200oC в течение 10. 20 мин, позволяет повысить ресурс свечи в 1,5 2 раза и ее термостойкость на 200oC.
Класс H01T21/02 свечей зажигания