способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996
Классы МПК: | H01L21/203 физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием |
Автор(ы): | Водопьянов Владимир Николаевич[UA], Кондратенко Максим Максимович[UA], Копыл Александр Иванович[UA], Летюченко Сергей Дмитриевич[UA], Слынько Евгений Илларионович[UA] |
Патентообладатель(и): | Черновицкое отделение Института проблем материаловедения АН Украины (UA) |
Приоритеты: |
подача заявки:
1991-10-09 публикация патента:
10.08.1996 |
Использование: в электронной промышленности для получения полупроводниковых пленочных фоточувствительных элементов, а именно технология получения монокристаллических эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа А4B6 на изолирующих монокристаллических подложках из фторида бария. Сущность изобретения: способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа A4B6 включает в себя испарение материала при температуре испарителя 508
2oC и его осаждение на монокристаллическую подложку из фторида бария, находящегося при температуре 457
2oC в квазизамкнутом объеме в вакууме. Для испарения берут материал состава (Pb1-xSnxTe1-y+Sey)1-z (InTe)z, где 0,29 меньше/равно х меньше равно 0,31, 0,24 меньше/равно y меньше/равно 0,26, 0,012 меньше/равно z меньше/равно 0,016, 10-4 меньше/равно
меньше/равно 10-3. 1 ил., 1 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065011/177.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065011/177.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065055/948.gif)
Формула изобретения
Способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа A4B6, включающий испарение материала при температуре испарителя (508+2)oC и его осаждение на монокристаллическую изолирующую подложку из фторида бария, находящуюся при температуре (457+2)oC в квазизамкнутом объеме в вакууме, отличающийся тем, что для испарения используют материал состава(Pb1-xSnxTe1-y+
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065055/948.gif)
где 0,29
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
0,24
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
0,012
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
10-4
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065055/948.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к технологии получения монокристаллических эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа А4B6 на изолирующих монокристаллических подложках из фторида бария и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводниковых пленочных фоточувствительных элементов, работающих при комнатной температуре в диапазоне длин волн 7-8,5 мкм. Известен способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев твердых растворов A4B6, в частности Pb1-xSnxTe (х=0,17), состоящий из испарения вышеуказанного материала с последующей конденсацией на сколах фторида бария. Эпитаксиальные слои обладали фоточувствительностью при температуре Т=77 К вплоть до длины волны![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065146/955.gif)
К недостаткам этого известного способа получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев следует отнести отсутствие фоточувствительности при комнатной температуре. В качестве прототипа выбран способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов A4B6, в частности РbSxSe1-x, фоточувствительных при комнатной температуре в диапазоне длин волн 1-3,5 мкм [2] В этом способе эпитаксиальные слои получены в квазизамкнутом объеме в вакууме путем испарения материалов с различным содержанием сульфида свинца с последующей конденсацией на подложках из фторида бария. К недостаткам этого способа получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев следует отнести отсутствие фоточувствительности при комнатной температуре в диапазоне длин волн 7-8,5 мкм. Соответствие критерию "новизна" предлагаемого способа обеспечивается тем, что для испарения берут материал состава (Pb1-x Snx Te1-y+ Sey)1-z (InTe)z, где 0,29
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065055/948.gif)
Сравнение заявляемого решения с известными решениями в данной области техники не позволило выявить в них признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия". Технический результат достигается за счет совокупного действия всех существенных признаков. Сущность предложенного способа заключается в следующем. На изолирующие подложках из фторида бария методом горячей стенки в квазизамкнутом объеме выращены эпитаксиальные слои составов (Pb1-x Snx Te1-y+ Sey)1-z (InTe)z, где 0,29
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065055/948.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065011/177.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065011/177.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065011/177.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065055/948.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065011/177.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065055/948.gif)
![способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа а*994в*996, патент № 2065223](/images/patents/407/2065133/8773.gif)
Класс H01L21/203 физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием