полупроводниковый керамический позисторный материал
Классы МПК: | H01C7/02 имеющие положительный температурный коэффициент |
Автор(ы): | Кацнельсон Леонид Михайлович, Боков Геннадий Алексеевич, Кузнецова Татьяна Константиновна, Сытник Людмила Павловна |
Патентообладатель(и): | Кацнельсон Леонид Михайлович, Боков Геннадий Алексеевич, Кузнецова Татьяна Константиновна, Сытник Людмила Павловна |
Приоритеты: |
подача заявки:
1994-09-08 публикация патента:
27.08.1996 |
Использование: в электронной технике для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Сущность изобретения: полупроводниковый керамический позисторный материал (ПМ) содержит (мас.%): PbO 67,38 - 67,68; Nb2O5 19,80 - 19,93; Fe2O3 9,74 - 9,8; TiO2 2,46 - 2,55; B2O3 0,064 - 0,260; Al2O3 0,009 - 0,038; SiO2 0,024 - 0,098; BaO 0,033 - 0,134, причем часть компонентов в количестве 0,22 - 0,88 мас.% вводится в него в виде предварительно сплавленного стекла следующего состава (мас. %): PbO 22,83; B2O3 29,74; Al2O3 4,26; SiO2 11,17; BaO 15,33; TiO2 16,67; ПМ получают по обычной керамической технологии из исходных окислов технических марок обжигом при 650oC в течение 4 ч, измельчением в фарфоровом барабане, формованием элементов и спеканием в течение 2 ч при 1050oC. Материал обладает повышенной электропрочностью, плотностью, мощностью и стабильностью параметров керамических элементов в процессе их эксплуатации. Стартовая мощность нагревательного элемента
10 х 2,5 мм - 100 - 120 Вт, время достижения максимальной рабочей температуры (280oC) 15 - 20 с, рабочая мощность после стабилизации температуры в стационарных условиях 3 - 5 Вт, возможное рабочее напряжение 24 - 220 В. Изменение значений удельного сопротивления при 20oC, позисторного эффекта и мощности после 1000 циклов термоциклирования не превышает 0,5; 4; 4 %, соответственно. 2 ил., 2 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4

Формула изобретения
Полупроводниковый керамический позисторный материал, включающий PbO, Fe2O3, Nb2O5 и TiO2 отличающийся тем, что он дополнительно содержит B2O3, Al2O3, SiO2 и BaO при следующем соотношении компонентов, мас. PbO 67,38 67,68Fe2O3 9,74 9,80
Nb2O5 19,80 19,93
Ti2O2 2,46 2,55
B2O3 0,064 0,260
Al2O3 0,009 0,038
SiO2 0,024 0,098
BaO 0,033 0,134
причем материал содержит часть компонентов в количестве 0,22 0,88 мас. в виде предварительно сплавленного стекла следующего состава, мас. PbO 22,83
B2O3 29,74
Al2O3 4,26
SiO2 11,17
BaO 15,33
TiO2 16,67
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к полупроводниковым материалам, используемым в электронной технике для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ПТКС), в частности для саморегулирующихся позисторных нагревательных элементов бытовых электроприборов. Как правило, для изготовления терморезисторов с ПТКС используются позисторные материалы на основе титаната бария [1, 2]Однако в последнее время особое внимание привлекает к себе сегнетоэлектрик феррониобат свинца PbFe0,5Nb0,5O3 (ФНС), который является перспективной основой для получения полупроводниковых позисторных материалов [3]
Обычно материалы этой группы требуют малых количеств легирующих добавок и допускают при их изготовлении использование исходных реактивов технических марок, что является серьезной предпосылкой для снижения себестоимости конечного продукта (при производстве позисторных материалов на основе ВаТiO3 используются реактивы марки "осч"). К основным недостаткам указанного материала можно отнести его низкую технологичность и сильную зависимость свойств от условий его получения [4]
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому является материал на основе феррониобата свинца с добавками окиси титана (ФНТС), принимаемый за прототип [3] Этот материал содержит (мас.): PbO 67,78; Fe2O3 9,82; Nb2)O5 19,98; TiO2 2,42, что соответствует структурной формуле Pb(Fe0,405Nb0,495Ti01)O>3. Недостатком известного материала является невысокая электропрочность и электрическая мощность, рассеиваемая на нагревательных элементах, а также относительно высокая температура спекания и низкая плотность (см. табл. 1). С точки зрения теории достижения максимальной мощности, рассеиваемой позисторным нагревательным элементом, предъявляемые к его электрофизическим и геометрическим характеристикам требования могут быть разделены на два вида, в зависимости от режима его работы;
1) Режим регулируемого питающего напряжения (U


Определяется величиной предельного пробивного напряжения:

где U напряжение,
h толщина образца,
т.е. материал должен обладать высокой электропрочностью, что позволит не только получать необходимую мощность, но и конструировать миниатюрные нагревательные элементы. 2) Режим постоянного питающего напряжения (U const). В этом случае, удельная мощность позисторного элемента будет определяться максимальной величиной тока, при котором работа позисторного элемента будет оставаться устойчивой в области ПТКС
Nuуд= E2/

т. е. критерием будет служить тепловой режим работы элемента (Т <Т) (фиг. 1). При Е Епр эта мощность больше в



qn= Cp

где Сp и

PbO 67,38 67,68
Fe2O3 9,74 9,80
Nb2O5 19,80 19,93
TiO2 2,46 2,55
B2O3 0,064 0,260
Al2O3 0,009 0,038
SiO2 0,024 0,098
BaO 0,033 0,134
причем заявляемый керамический материал содержит часть компонентов в количестве 0,22 0,88 мас. в виде предварительно сплавленного стекла следующего состава (мас.):
PbO 22,83
B2O3 29,74
Al2O3 4,26
SiO2 11,17
BaO 15,33
TiO2 16,67
Введение в ФНТС стеклообразующей добавки позволяет полностью решить поставленную задачу. При этом неизвестно введение качественно-количественного состава данной стеклодобавки в позисторный материал на основе феррониобата свинца, одновременно улучшающий необходимые эксплуатационные характеристики нагревательных элементов. В табл. 1 представлены сравнительные значения основных эксплуатационных характеристик нагревательных элементов, полученных из шихты различного состава. В табл. 2 приведено выраженное в процентах уменьшение значений r20, n, Nmax, где



Класс H01C7/02 имеющие положительный температурный коэффициент
устройство птк - патент 2518219 (10.06.2014) | ![]() |
пленочный планарный вариконд - патент 2479879 (20.04.2013) | ![]() |
аналитическое устройство - патент 2289173 (10.12.2006) | |
чувствительный элемент термометра сопротивления - патент 2256160 (10.07.2005) | ![]() |
способ изготовления термокомпенсированного тензорезистора - патент 2244970 (20.01.2005) | ![]() |
полимерная композиция - патент 2234156 (10.08.2004) | |
полимерная композиция - патент 2222065 (20.01.2004) | |
полупроводниковый керамический материал - патент 2079914 (20.05.1997) | |
материал для электродов полупроводниковых позисторов - патент 2072744 (27.01.1997) | |
терморезистивный элемент - патент 2068587 (27.10.1996) |