интегральная свч-схема

Формула изобретения

Интегральная СВЧ-схема содержащая корпус, основание и размещенные на нем сосредоточенные пассивные элементы, диэлектрическую плату с отверстием и крышку, отличающаяся тем, что основание выполнено в виде металлизированной со стороны размещения элементов диэлектрической платы, а диэлектрическая плата с отверстием металлизирована с нижней стороны и соединена с металлизированной стороной основания.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к конструированию и изготовлению интегральных схем, в частности к конструированию и изготовлению СВЧ интегральных схем.

Цель изобретения упрощение конструкции и улучшение массогабаритных характеристик.

На чертеже показана конструкция интегральной СВЧ схемы в двух ортогональных проекциях.

Интегральная СВЧ схема содержит корпус в виде основания 1 и крышки 2 размещенные на основании 1 сосредоточенные пассивные элементы 3 7, диэлектрическую плату 8 с отверстием 9. Основание 1 выполнено в виде металлизированной со стороны размещения элементов диэлектрической платы, а диэлектрическая плата 8 с отверстием 9 металлизирована с нижней стороны и соединена с металлизированной стороной основания 1. Элементом 3 7 соответственно являются бескорпусной полевой транзистор 3, резистор 4, разделительный конденсатор 6 и микрополоска 7, на основании 1 выполнена металлизация 10, на основании 1 размещена золотая проволока 11 и проводники 12.

Расположение металлизации диэлектрической платы 8 и основания 1 в одной плоскости позволяет улучшить конструкцию интегральной схемы.

Основание 1 выполнено из поликора. При изготовлении сначала напыляют резистивный слой из хрома ( 100 Ом/см²) и проводящий слой из алюминия толщиной 0,5 мкм и формируют резистор 4 и нижние обкладки конденсаторов 5 и 6. Затем напыляют диэлектрический слой из алюминия толщиной 0,3 мкм и формируют в нем окна для соединения нижних обкладок конденсаторов 5 и 6 и резистора 4 со схемой. После этого напыляют второй слой металлизации из алюминия толщиной 4 мкм и формируют проводники 12, верхние обкладки конденсаторов 5, 6 и металлизацию 10. На основании 1 устанавливают бескорпусной полевой транзистор 3 и соединяют его электроды (исток-сток-затвор) со схемой, выполненной на основании 1 золотой проволокой 11. Диэлектрическую плату 8 с отверстием 9 металлизируют с нижней стороны. После этого основание 1 с помощью электропроводящего клея (К-12А), металлизацией 10 приклеивают к металлизации диэлектрической платы и соединяют с микрополоском 7 золотой проволокой 11.

Изобретение обеспечивает исключение необходимости формирования металлизированных отверстий в подложке, либо металлизацию боковой поверхности подложки для вывода металлизации в верхнюю плоскость. Изобретение обеспечивает уменьшение числа проволочных соединений, улучшает повторяемость ВЧ-характеристик.