устройство для магнитно-импульсной обработки

Формула изобретения

Устройство для магнитно-импульсной обработки изделий, содержащее магнитный индуктор и генератор импульсов, отличающееся тем, что оно снабжено источником низкотемпературной плазмы, магнитный индуктор выполнен в виде пирамидального аккумулятора из немагнитного материала с углом расхождения грани 60^o, магнитные катушки расположены снаружи пирамидального аккумулятора на боковых его гранях в виде треугольника, генератор импульсов выполнен с амплитудно-фазовой модуляцией, источник низкотемпературной плазмы размещен внутри пирамидального аккумулятора, при этом их оси совпадают, входы магнитных катушек подключены к выходу генератора импульсов.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к обработке изделий, в частности к устройству для магнитно-импульсной обработки.

Известно устройство для магнитно-импульсной обработки (1), содержащее лампу, встроенные линзы с интерференционным слоем, отражатель и систему из 4-х постоянных магнитов из сплава кобальта с лантаноидом и генерирующий радиоэстезическое излучение при взаимодействии постоянного магнитного поля с низкотемпературной плазмой (свет лампы).

Известно устройство для магнитно-импульсной обработки, содержащее магнитный индуктор и генератор импульсов (2).

Недостатком этого устройства является низкая интенсивность воздействия импульсного магнитного поля.

Целью изобретения является повышение интенсивности воздействия импульсного магнитного поля.

Цель достигается тем, что устройство для магнитно-импульсной обработки, содержащее магнитный индуктор и генератор импульсов, снабжено источником низкотемпературной плазмы, магнитный индуктор выполнен в виде пирамидального аккумулятора из немагнитного материала с углом расхождения грани в 60^o, магнитные катушки расположены снаружи пирамидального аккумулятора на боковых его гранях в виде треугольника, генератор импульсов выполнен с амплитудно-фазовой модуляцией, источник низкотемпературной плазмы размещен внутри пирамидального аккумулятора, при этом их оси совпадают, входы магнитных катушек подключены к выходу генератора импульсов.

На чертеже изображена схема устройства.

Устройство для импульсно-магнитной обработки состоит из пирамидального аккумулятора 1 с углом расхождения граней в 60^o, на боковых гранях пирамидального аккумулятора расположены магнитные катушки 2, входы которых подключены к выходу генератора импульсов 3 с амплитудно-фазовой модуляцией, на оси пирамидального аккумулятора 1 в точке, делящей объем пирамиды на две равные части, помещен источник низкотемпературной плазмы 4 (неоновая или металлогалогенная лампа), количество витков в магнитных катушках составляет 1 4.

Устройство работает следующим образом.

На металлогалогенную лампу 4 подается питание мощностью 70 Вт и на магнитные катушки 2 подается напряжение до 10 V и силой тока до 7,5 МА. В растре пирамидального аккумулятора 1 формируется световое электромагнитное поле, действующее совместно с импульсным магнитным полем магнитных катушек 2. Пирамидальный аккумулятор 1 выполнен из полиэфирного пластика, покрытого снаружи медной фольгой. Наибольшей интенсивностью аккумулирования энергии электромагнитного поля является точка на оси пирамиды, делящая ее объем на 2 равные части.

Лампочка 4 установлена в трубочке, передвигающейся в цанговом захвате, расположенном в вершине пирамидального аккумулятора 1.

Для обработки изделий, например направляющих станины токарно-винторезных станков, пирамидальный аккумулятор 1 передвигают с такой скоростью, чтобы его растр находился не более 30 с под направляющими станины и на расстоянии 3 5 см под ними.

При использовании данного устройства коэффициент трения стали по чугуну понизили с 0,02 до 0,015, т.е. на 25%