способ лечения ониходистрофии
Классы МПК: | A61N5/06 с использованием света |
Автор(ы): | Бондаренко Ю.Ф., Алейников В.С., Бондаренко С.П., Ракчеев А.П., Акимов В.Г. |
Патентообладатель(и): | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" |
Приоритеты: |
подача заявки:
1992-11-24 публикация патента:
10.04.1997 |
Изобретение относится к дерматологии, а именно к способам лечения ониходистрофии. Сущность изобретения: пораженную ногтевую пластину удаляют импульсным излучением СО2-лазера с плотностью энергии лазерного излучения на поверхности ногтевой пластины 3-50 Дж/см2 и длительностью импульса лазерного излучения 1-100 мкс. 3 з. п. ф-лы.
Формула изобретения
1. Способ лечения ониходистрофии, включающий удаление пораженной ногтевой пластины, отличающийся тем, что удаление осуществляют за счет излучения импульсного CO2 лазера с плотностью энергии лазерного излучения на поверхности ногтевой пластины 3 50 Дж/см2 и длительностью импульса 1 100 мкс. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что удаление осуществляют лазерными импульсами с энергией менее 10 Дж, при этом облучают часть поверхности ногтевой пластины, затем направляют лазерное излучение последовательно на соседние участки пластины до достижения обработки всей ее поверхности. 3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что лазерное излучение направляют на поверхность ногтевой пластины таким образом, что угол между направлением излучения и перпендикуляром к поверхности пластины составляет 0 - 45o. 4. Способ по пп.1 3, отличающийся тем, что угол наклонного падения лазерного излучения на поверхность пластины варьируют в процессе облучения в диапазоне 0 45o от импульса к импульсу.Описание изобретения к патенту
Иобретение относится к области медицины, а именно дерматологии. Известно, что импульсное излучение лазера на углекислом газе может быть успешно использовано для поверхностного нагрева и эффективного послойного удаления на заданную глубину биоткани, а в дерматологии может быть использовано при лечении дерматофитии стоп. Известен способ лечения ониходистрофии, включающий удаление пораженной ногтевой пластины путем наложения на нее кератолитического средства. (Практикум по дерматовенерологии. Под ред. Л. Д. Тищенко. М. УДН, 1990, с. 41). Способ широко распространен в клинической практике. Для удаления ногтей назначают кератолитическое средство, накладываемое после содовой ванночки на 48 ч. Затем повторяют содовую ванночку и очищают лизированную часть ногтя. Данная терапия проводится до полного удаления ногтевой пластины и продолжается во времени от одной до нескольких недель. Недостатком данного способа является частое осложнение процесса репаративной регенерации пластин побочными явлениями в форме субституции, а также большая продолжительность процесса лечения болезни. Целью изобретения является улучшение клинического результата при лечении ониходистрофии, включающем удаление пораженных ногтевых пластин. Улучшение клинического результата заключается в уменьшении болевого ощущения пациентом в процессе удаления пораженных пластин, увеличения эффективности процесса удаления, в сокращении сроков лечения и отсутствии осложнений побочными процессами. Поставленная цель достигается за счет того, что удаление пораженной ногтевой пластины осуществляют путем облучения ее излучением импульсного лазера на углекислом газе при плотности энергии лазерного излучения на поверхности ногтевой пластины 3-50 Дж/см2 и длительности импульса лазерного излучения 1-100 мкс. При облучении биологических тканей излучением импульсного лазера на углекислом газе (длина волны лазерного излучения около 10,6 мкм) с указанными условиями облучения реализуется процесс взрывного испарения, обеспечивающий послойное удаление ткани. Режим является высокоэффективным, управляемым и контролируемым. Толщина удаляемого слоя увеличивается пропорционально плотности энергии лазерного излучения и числу импульсов излучения, направляемых в один и тот же участок поверхности. Длительность импульса изменяется за счет изменения состава газовой смеси в лазерном излучателе. При плотности энергии менее 3 Дж/см2 процесс взрывного испарения ногтевой пластины является неэффективным, так как облучаемый материал не нагревается до температуры испарения. При плотности энергии более 50 Дж/см2 процесс воздействия сопровождается интенсивной лазерной плазмой, образующейся в парах удаляемого материала. Плазма экранирует прохождение лазерного излучения и существенно уменьшает эффективность процесса удаления. Оптимальным, с точки зрения эффективности процесса удаления, диапазоном значений плотности энергии является 3-50 Дж/см2. При этом удельная энергия процесса удаления составляет около 5 кДж/г и определяет возможность снимать ногтевую пластину послойно на глубину 0,01-0,5 мм каждым импульсом излучения. Ранее было показано, что эффективный процесс удаления реализуется и при более длинных импульсах (до 100 мкс). Дополнительным преимуществом данного способа лечения ониходистрофии является отсутствие в необходимости контактного удаления продуктов разрушения пластины. Продукты испарения удаляются из зоны за счет избыточного импульсного давления в парах, сопровождающего процесс взрывного испарения. Если лазерная установка, используемая для реализации предлагаемого способа удаления ногтевых пластин, обеспечивает генерацию лазерных импульсов с энергией около 10 Дж и более, то возможно облучение всей поверхности ногтевой пластины каждым импульсом излучения с обеспечением на ее поверхности необходимой плотности энергии. Однако этот режим облучения связан с повышенным болевым ощущением пациента. К тому же лазерная установка, обеспечивающая генерацию импульсов около 10 Дж и более, может быть выполнена с большими массой и габаритными размерами. С целью дополнительного ослабления болезненного ощущения пациентом и обеспечения возможности снижения массы и габаритных размеров лазерной установки используют лазер, обеспечивающий генерацию лазерных импульсов с энергией менее 10 Дж, облучают часть поверхности пластины, затем направляют лазерное излучение последовательно на соседние участки пластины до достижения обработки всей ее поверхности. Например, при энергии лазерного импульса, равной 1 Дж, плотность энергии 10 Дж/см2 обеспечивается на участке поверхности, площадь которого равна 0,1 см2. Облучают этот участок по меньшей мере одним импульсом или несколькими импульсами, затем осуществляют облучение соседнего участка. Количество участков облучения определяется размерами пластины и при площади пластины 0,5-2 см2 будет составлять в данном случае 5-20 участков. Удаление ногтевой пластины выполняется последовательно с небольших участков поверхности, что дополнительно снижает болевое ощущение у пациента. Лазерная установка, обеспечивающая генерацию импульсов с энергией около 1 Дж, может быть выполнена компактной. В лазерных медицинских установках используют обычно для доставки лазерного излучения от лазера к облучаемой поверхности специальные зеркально-линзовые оптические системы. Дистальный элемент системы (зеркало или линза) элемент, находящийся вблизи зоны облучения, может загрязняться продуктами разрушения пластины и за счет этого проходить в негодность. Основная часть продуктов разрушения улетает с обрабатываемой поверхности в направлении, перпендикулярном к поверхности, а распределение продуктов по направлению, отсчитываемому от перпендикулярного направления, пропорционально значению cos2![способ лечения ониходистрофии, патент № 2076754](/images/patents/396/2076022/981.gif)
Класс A61N5/06 с использованием света