способ получения алмазов

Классы МПК:C01B31/06 алмаз 
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Зубрилов Сергей Павлович,
Зубрилов Андрей Сергеевич
Приоритеты:
подача заявки:
1994-09-29
публикация патента:

Изобретение относится к машиностроению и горнорудной промышленности и может быть использовано при производстве сверхтвердых инструментов, а также в ювелирной промышленности. Предлагаемый способ заключается в воздействии высоких давления и температуры на дисперсию графита в жидком ксеноне, размещенную в сферическом ультразвуковом концентраторе. При этом требуемые высокие давления и температура обеспечиваются ультразвуковыми колебаниями. 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

Способ получения алмаза из графита воздействием высоких давления и температуры, отличающийся тем, что требуемые давление и температуру получают, воздействуя ультразвуковыми колебаниями на дисперсию графита в жидком ксеноне, размещенную в сферическом ультразвуковом концентраторе.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к машиностроению горнорудной промышленности и может быть использовано при производстве сверхтвердых инструментов, а также в ювелирной промышленности.

Известно, что графит отличается от алмаза только пластинчатым строением, что дало возможность в 1956 г. предложить промышленно способ получения черных алмазов из графитов путем длительного нагревания графита при температуре около 3000oC под давлением 100000 кгс/см2. Вес таких алмазов не более 0,05 г. Данный способ принят за прототип. С другой стороны, при адиабатическом сжатии ультразвуковых кавитационных полостей локальные температуры в них достигают 3000oC, а давления около 10000 кгс/см2.

Повысить давление в 10 раз можно в сферических (например из титаната бария) излучателях ультразвука. В таких излучателях можно обрабатывать - дисперсии графитов в жидкостях и получать черные алмазы.

Предлагаемый способ поясняется чертежом.

Предварительно приготовленная дисперсия графита 4 (частицы графита в дисперсии не более 0,05 г) помещается в сферический излучатель, состоящий из отдельных пластин 1, подключенных к генераторам 2.

В фокальной области 3 в зависимости от частоты и интенсивности ультразвуковых колебаний создаются локальные температуры и давления, достаточные для модифицирования графита в алмаз. Алмазная кристаллическая затравка 5 устанавливается до обработки, предварительно, для роста кристаллов алмаза за ней.

Класс C01B31/06 алмаз 

способ получения сверхтвердого композиционного материала -  патент 2523477 (20.07.2014)
способ определения угла разориентированности кристаллитов алмаза в композите алмаза -  патент 2522596 (20.07.2014)
поликристаллический алмаз -  патент 2522028 (10.07.2014)
способ получения наноалмазов при пиролизе метана в электрическом поле -  патент 2521581 (27.06.2014)
устройство для получения алмазов -  патент 2514869 (10.05.2014)
способ селективной доочистки наноалмаза -  патент 2506095 (10.02.2014)
способ избирательного дробления алмазов -  патент 2492138 (10.09.2013)
способ получения сверхтвердого композиционного материала -  патент 2491987 (10.09.2013)
способ получения алмазов с полупроводниковыми свойствами -  патент 2484189 (10.06.2013)
способ получения синтетических алмазов и установка для осуществления способа -  патент 2484016 (10.06.2013)
Наверх