способ реставрации забракованных пластин

Формула изобретения

Способ реставрации забракованных пластин, при котором с рабочей и обратной сторон забракованных пластин полностью или частично удаляют ранее сформированные слои, после чего вновь формируют рабочую сторону, отличающийся тем, что рабочую сторону формируют на указанной обратной, причем перед формированием ее подвергают финишной и суперфинишной обработке с последующим наращиванием требуемых слоев.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к электронной технике, в частности к изготовлению интегральных микросхем.

Известно, что в процессе изготовления полупроводниковых приборов рабочие пластины, на которых изготавливают приборы, подвергаются промежуточному контролю.

В результате такого контроля часть пластин, которые не удовлетворяют технологическим требованиям, забраковываются [1]

Такие пластины в производстве не используются.

Известен способ реставрации забракованных пластин, при котором с рабочей поверхности пластин удаляют частично или полностью ранее сформированные рабочие слои и формируют их на рабочей стороне пластины [2]

Данный способ имеет следующие недостатки.

Таким способом можно исправить только нарушения, внесенные фотолитографическим процессом, но он не позволяет исправить нарушения, внесенные в предыдущих диффузионных процессах, а также механические повреждения рабочей стороны пластины царапины, риски и т.д.

Кроме того, повторное окисление может привести к деградации переходов и изменению поверхностной концентрации диффузионных слоев.

В предлагаемом изобретении восстанавливают обратную сторону пластин и в дальнейшем используют ее в качестве рабочей стороны.

Для получения возможности повторного использования забракованных пластин, забракованные пластины подвергают двухсторонней шлифовке и травлению, при этом с забракованной рабочей стороны убирают все сформированные в ней слои, кроме частично остающегося эпитаксиального слоя. Затем обратную сторону пластины подвергают финишной и суперфинишной обработке и в дальнейшем используют в качестве рабочей стороны.

Пример 1. Эпитаксиальные структуры не удовлетворяющие требованиям технологии, комплектуют по общей толщине пластин, снимают с них фаску и шлифуют их с двух сторон на станках двухсторонней шлифовки СДШ-100, сошлифовав при этом суммарный припуск не менее 10-40 мкм, травят в 30% растворе гидроокиси натрия, снимая 5-10 мкм. Затем на обратной стороне пластин проводят финишную и суперфинишную полировку на станках полировки ЮIM3.105.004, удаляя слой кремния 30-35 мкм и достигая поверхности 14 класса чистоты.

Затем пластины отмывают и на обработанной стороне в установках УНЭС-101М при Т=1150-1190^oC наращивают требуемый эпитаксиальный слой.

Пример 2. Контрольные пластины КДБ10 после наращивания эпитаксиального слоя 90КЭФ55 и замера на них электрофизических параметров комплектуют, снимают с них фаску, шлифуют их на СДШ-100 с двух сторон, ориентируя их в сепараторах обратной стороной вверх или вниз, удаляя при этом слой 10-15 мкм. После этого пластины травят в 30% растворе гидроокиси натрия, снимая 3-5 мкм. На обратной стороне пластин проводят финишную и суперфинишную полировку на установках ЮIM3.105.004, удаляя 20-35 мкм.

Затем пластины отмывают и используют повторно в качестве контрольных пластин в процессах эпитаксиального наращивания.

Пример 3. Забракованные эпитаксиальные структуры во время формирования кристаллов (после формирования эмиттера, базы и т. д.) шлифуют, снимая сформированные слои (15-25 мкм) на станках СДШ-100. Затем пластины травят в 30% растворе гидроокиси натрия, снимая 2-5 мкм и отмывают.

На отмытые пластины наносят слой стекла и склеивают с пластинами с микрорельефом при Т=1200-1210^oC в печах АДС-100.

Данные пластины выполняют функцию опорных пластин в кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией.