материал для закрытия осевых отверстий цилиндрических конденсаторов и способ его получения

Формула изобретения

1. Материал для закрытия осевых отверстий цилиндрических конденсаторов, выполненный в виде пленки из кристаллизующегося термопласта со свойствами температурной усадки, отличающийся тем, что материал имеет неоднородные по величине температурной усадки участки, расположенные в шахматном порядке и равные по размерам 2 3 радиусам осевого отверстия конденсатора.

2. Способ получения материала для закрытия осевых отверстий цилиндрических конденсаторов, в котором осуществляют ориентацию пленки путем вытяжки ее в двух взаимно перпендикулярных направлениях для придания пленке свойств температурной усадки и фиксацию ориентированной структуры, отличающийся тем, что полотно ориентированного материала пропускают по нагретому до температуры дезориентации структуры материала валку, имеющему расположенные в шахматном порядке выступы в виде квадратов с размерами сторон, равными 2 3 радиусам осевого отверстия конденсатора, при этом на полотно воздействуют силовым полем.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к получению полимерного материала со специальными свойствами и может быть использовано в технологическом процессе получения пленочного материала для цилиндрических конденсаторов.

При изготовлении конденсаторов после намотки секции на ее торцы напыляется припой, к которому в дальнейшем припаивают выводы. Для исключения металлизации осевого отверстия последнее перед напылением вручную закрывают кусочком поролона.

Известен материал для закрытия осевых отверстий цилиндрических конденсаторов, выполненный в виде пленки из кристаллизующегося термопласта со свойствами температурной усадки [1]

Однако известный материал, равномерно усаживаясь при нагревании, не может плотно закрывать осевое отверстие конденсатора.

Известен способ получения материала для закрытия осевых отверстий цилиндрических конденсаторов, при котором осуществляют ориентации пленки путем вытяжки ее в двух взаимно перпендикулярных направлениях для придания пленке свойств температурной усадки и фиксацию ориентированной структуры [2]

Однако известный способ не позволяет получить материал, полотно которого имело бы регулярно расположенные участки с требуемой периодичностью неоднородных по величине температурной усадки.

Технический результат изобретения получение материала с неоднородными по величине температурной усадки участками, расположенными с заданной периодичностью.

Для достижения технического результата материал для закрытия осевых отверстий цилиндрических конденсаторов, выполненный в виде пленки из кристаллизующегося термопласта со свойствами температурной усадки, имеет неоднородные по величине температурной усадки участки, расположенные в шахматном порядке и равные по размерам 2 3 радиусам осевого отверстия конденсатора.

В способе получения материала для закрытия осевых отверстий цилиндрических конденсаторов, при котором осуществляют ориентацию пленки путем ее в двух взаимно перпендикулярных направлениях для придания пленке свойств температурной усадки и фиксацию ориентированной структуры, согласно изобретению полотно ориентированного материала пропускают по нагретому до температуры дезориентации структуры материала валку, имеющему расположенные в шахматном порядке выступы в виде квадратов с размерами сторон, равными 2 3 радиусам осевого отверстия конденсатора, при этом на полотно воздействуют силовым полем.

При нагревании описываемого материала участки полотна, имеющие усадочные свойства, сокращаются, а безусадочные выступают, образуя гофры определенной периодичности. Оптимальное закрытие отверстия будет при возникновении по длине окружности осевого отверстие 2 3 гофра с размером R R.

Так как высота гофра пропорциональна его площади, то при большем, чем оптимальное, количестве гофров, высота их будет незначительной, а при меньшем размеры гофр будут соизмеримы с длиной окружности; в этом случае для данного осевого отверстия пленка будет квазировной и в обоих случаях качество закрытия ухудшается.

В предлагаемом способе пленочный материал из кристаллизующегося термопласта со свойствами температурной усадки приводят в контакт с обогреваемой рельефной в виде выступающих квадратов поверхностью, создавая структурный неоднородности в полотне пленки. В местах контактирования пленки с валком в полотне материала происходит дезориентация и частичная кристаллизация структуры и в дальнейшем такие участки становятся практических безусадочными.

Материал для закрытия осевых отверстий цилиндрических конденсаторов выполнен в виде пленки из кристаллизующегося термопласта. Материал имеет участки, не однородные по величине температурной усадки. Указанные участки расположены в шахматном порядке и равны по размерам 2 3 радиусам осевого отверстия конденсатора.

Пример 1. Расчеты показывают, что при диаметре осевого отверстия 4 мм и использовании материла с оптимальными по размерам неоднородных участков полотна 4 4 мм и коэффициенте усадки 40 стрела прогиба (высота гофра) будет составлять 2 мм. При этом же диаметре отверстия и размерами неоднородных участков 1 1 мм высота гофра будет 0,34 мм и отверстие не закроется.

В таблице приведены процентные значения температурной усадки аморфной ПЭТФ-пленки в исходном состоянии и после прогрева при 170^oC при воздействии силового поля.

Приведенные в тадлице данные показывают, что ориентированная аморфная ПЭТФ-пленка после прогрева при 170^oC при воздействии силового поля становится практически безусадочной.

Способ получения материала осуществляется в следующим образом.

Предварительно осуществляют ориентации пленки путем вытяжки ее в двух взаимно перпендикулярных направлениях для придания пленке свойств температурной усадки и фиксацию ориентированной структуры. Затем ориентированную пленку, обладающую усадочными свойствами, пропускают по нагретому до температуры дезориентации структуры материала валку с рельефной поверхностью. Для предотвращения усадки нагреваемых участков материала полотно находится под воздействием силового поля, превышающего усадочные напряжения, возникающие в полотне пленки при ее нагреве. Рельефная поверхность валка имеет расположенные в шахматном порядке выступы в виде квадратов с размерами сторон, равными 2 3 радиусами осевого отверстия конденсатора.

Пример 2. ПЭТФ-пленку с коэффициентом усадки 40% при тянущем напряжении 8,0 МПа (5) пропускают по нагретому до 170^oC валку, имеющему поверхность в виде выступающих квадратов размером 4 4 мм.

Полученную пленку можно применять для герметизации осевых отверстий любых по материалу диэлектрика конденсаторов, имеющих температуру термообработки более 90^oC.