способ получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния

Классы МПК:H01L33/00 Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Приоритеты:
подача заявки:
1994-09-14
публикация патента:

Изобретение относится к технологии изготовления электролюминесцентных приборов с пористым кремнием в качестве активного слоя. Сущность изобретения: способ включает анодное окисление кремниевых пластин со сформированным на них слоем пористого кремния в 0,1-0,5М водном растворе дигидрофосфата аммония при плотностях тока 1-10 мА/см2. Достигается коротковолновый сдвиг спектра излучения и увеличение интенсивности люминесценции по сравнению с неокисленным таким образом пористым кремнием, а именно, сдвиг спектра от 750 до 590 нм и увеличение интенсивности с 2,5способ получения люминесцентных пленок на основе пористого   кремния, патент № 2086050103 до 5способ получения люминесцентных пленок на основе пористого   кремния, патент № 2086050105 отн. ед. Процесс анодирования в гальваностатическом режиме характеризуется достижением максимального значения клеммного напряжения 250 В, что обеспечивает высокую глубину анодного окисления.
Рисунок 1

Формула изобретения

Способ получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния, включающий процесс анодного окисления кремниевых пластин со сформированным на них слоем пористого кремния при плотностях тока 1 10 мА/см2 в растворе электролита, отличающийся тем, что в качестве электролита используют 0,1 0,5 М водный раствор дигидрофосфата аммония.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии изготовления электролюминесцентных приборов, а именно, светодиодов с пористым кремнием в качестве активного слоя.

Известны два основных метода обработки слоев пористого кремния, при которых улучшаются излучательные характеристики материала. Один из них заключается в быстром термическом окислении пористого кремния в смеси кислорода и азота при температуре 900oC [1] другой осуществляется посредством анодного окисления пористого слоя на кремниевой многокристаллической подложке в растворе HCl:H2O 1:7 (объемные доли) [2] За прототип выбираем способ по [2] как наиболее близкий по существу.

Недостатком известного способа анодного окисления является использование в качестве электропроводной добавки соляной кислоты, которая является химически активной по отношению к пористому кремнию и не дает возможности получения толстых анодных оксидных пленок на пористом кремнии (максимальное клеммное напряжение анодирования не превышает 30 В).

Техническим результатом является улучшение электронно-оптических свойств пористого кремния посредством анодного окисления на большую глубину.

Результат достигается тем, что в способе получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния, включающем процесс анодного окисления кремниевых пластин со сформированным на них слоем пористого кремния при плотностях тока 1-10 мА/см2, отличающийся тем, что в качестве электролита используется 0,1-0,5 М водный раствор дигидрофосфата аммония.

Концентрация электролита выбрана из предпосылок стабильности процесса. При концентрации меньше 0,1 М наблюдается существенный нагрев электролита из-за повышения сопротивления. При концентрациях больше 0,5 М наблюдается искрение и пробой оксидной пленки при достижении высоких значений клеммного напряжения в процессе анодного окисления.

Традиционно для анодного окисления кремния применялись водный раствор соляной кислоты или раствор нитрата калия в этиленгликоле. Однако в состав первого входит химически активная по отношению к пористому кремнию соляная кислота, а второй из-за высокой вязкости не обеспечивает стабильного анодного окисления в глубине микропористого слоя. Водные растворы дигидрофосфата аммония применялись ранее для анодного окисления арсенида галлия, алюминия и тантала. Авторам не известны из уровня техники сведения об использовании для анодного окисления слоев пористого кремния водных растворов дигидрофосфата аммония, что позволяет сделать вывод о новизне и достижении технического уровня изобретения.

Пример. Пленки пористого кремния, сформированные в растворе HF:C2H5OH 1: 1 (объемные доли) при плотности тока 10 мА/см2 в течение 4 мин, погружали на 1 мин в деионизованную воду. Затем образцы анодно окисляли в растворе дигидрофосфата аммония.

Характеристики люминесценции регистрировали при возбуждении аргоновым лазером мощностью 0,1 Вт/см2. Слои пористого кремния, которые не были анодно окислены характеризовались люминесценцией с длиной волны 750 нм и интенсивностью 2,5способ получения люминесцентных пленок на основе пористого   кремния, патент № 2086050103 отн. ед. На слоях, подвергнутых анодному окислению, получены следующие результаты:

В результате достигнуты сдвиг спектра излучения до 590 нм в коротковолновую область и увеличение интенсивности люминесценции на два порядка за счет увеличения глубины анодирования в предлагаемом электролите, что превосходит результаты, достигнутые при анодировании в растворе соляной кислоты и составляющие 650 нм и 5способ получения люминесцентных пленок на основе пористого   кремния, патент № 2086050104 отн. ед. [2]

Класс H01L33/00 Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов

способ изготовления стекловидной композиции -  патент 2529443 (27.09.2014)
светоизлучающий прибор и способ его изготовления -  патент 2528604 (20.09.2014)
светодиодный модуль с пассивным светодиодом -  патент 2528559 (20.09.2014)
способ изготовления органического светоизлучающего диода -  патент 2528128 (10.09.2014)
ультрафиолетовый светодиод на нитридных гетероструктурах -  патент 2528112 (10.09.2014)
люминесцентный преобразователь для усиленного люминофором источника света, содержащий органические и неорганические люминофоры -  патент 2526809 (27.08.2014)
конвертер вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния siox на кремниевой подложке -  патент 2526344 (20.08.2014)
осветительное устройство с сид и передающим основанием, включающим люминесцентный материал -  патент 2525834 (20.08.2014)
эффективное светоизлучающее устройство и способ изготовления такого устройства -  патент 2525620 (20.08.2014)
светоизлучающее устройство и способ изготовления светоизлучающего устройства -  патент 2525325 (10.08.2014)
Наверх