монокристаллический ювелирный материал

Классы МПК:C30B29/22 сложные оксиды
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Бакунов Олег Валерьевич,
Лингарт Юрий Карлович
Приоритеты:
подача заявки:
1996-09-26
публикация патента:

Использование: изобретение относится к кристаллическим материалам, используемым в ювелирной промышленности. Сущность изобретения: монокристаллический ювелирный материал содержит диоксид циркония или гафния, стабилизирующий оксид металла из ряда кальций, магний, иттрий и легирующе-окрашивающие оксиды редкоземельных элементов, для имитации природного александрита содержит в качестве окрашивающих добавок оксиды празеодима и неодима в соотношении между собой 0,5-2,5 при их суммарном содержании 5-11 мас.%.

Формула изобретения

Монокристаллический ювелирный материал, содержащий диоксид циркония или гафния, стабилизирующий оксид металла из ряда кальций, магний, иттрий и легирующе-окрашивающие оксиды редкоземельных элементов, отличающийся тем, что для имитации природного александрита в качестве окрашивающих добавок кристалл содержит оксиды празеодима и неодима в отношении первого к второму от 0,5 до 2,5 при суммарном содержании этих оксидов 5 11 мас.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области кристаллических материалов, используемых в ювелирной промышленности.

Использование в ювелирной промышленности искусственно полученных кристаллов экономически очень выгодно, так как запасы природных кристаллов с одной стороны ограничены, а с другой их добыча является весьма дорогостоящим производством. Известны синтезированные из расплава искусственные кристаллы, имитирующие цвет природного александрита, но в действительности являющиеся синтетическими корундами, окрашенными ванадием [1] Эти кристаллы обладают лиловой окраской, которая при искусственном освещении меняется на более красную, однако изменение окраски значительно меньше, чем у природного александрита. Известен также кристалл синтезированный из расплава и имитирующий хризоберилл, который имеет среднюю или густую зеленую окраску. К недостаткам данного кристалла можно отнести достаточно слабый дихроизм, а также необходимость использовать для синтезирования солей бериллия. По составу кристалл фактически является бериллиево-алюминиевым окислом с формулой BeAl2O4 [2]

В изобретении эти недостатки устранены тем, что монокристаллический ювелирный материал, содержащий диоксид циркония или гафния, стабилизирующий оксид металла из ряда кальций, магний, иттрий и легирующе-окрашивающие оксиды редкоземельных элементов, для имитации природного александрита в качестве окрашивающих добавок кристалл содержит оксиды празеодима и неодима в отношении первого ко второму от 0,5 до 2,5 при суммарном содержании этих оксидов от 5 до 11 мас.

Примеры химического состава монокристаллического ювелирного материала позволяющие иметь различную степень окраски и дихроизма, мас. оксид кальция, магния, или иттрия 16-30 (16-30, 16-30, 16-30); оксид празеодима 3 (5, 3, 5); оксид неодима 2 (6, 6, 2); оксид циркония и гафния остальное.

Соответственно возможны и промежуточные концентрации оксидов празеодима и неодима.

Основным преимуществом данного кристалла является то, что с помощью вариации процентного содержания оксидов празеодима и неодима можно в широких пределах изменять окраску и степень дихроизма.

Класс C30B29/22 сложные оксиды

способ соединения деталей из тугоплавких оксидов -  патент 2477342 (10.03.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" -  патент 2434081 (20.11.2011)
pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования -  патент 2389835 (20.05.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука -  патент 2347859 (27.02.2009)
способ получения кристалла на основе бората и генератор лазерного излучения -  патент 2338817 (20.11.2008)
способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе -  патент 2332529 (27.08.2008)
полупроводниковый антиферромагнитный материал -  патент 2318262 (27.02.2008)
Наверх