способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках
Классы МПК: | C30B11/06 добавлением по крайней мере одного, но не всех компонентов кристаллической композиции |
Автор(ы): | Зверев Б.Ф., Видов С.В., Вишкарев А.Ф., Косырев Л.К., Рябихин Н.П., Виноградов Ю.В., Мостовой А.Б. |
Патентообладатель(и): | Акционерное общество "Электростальский завод тяжелого машиностроения" |
Приоритеты: |
подача заявки:
1993-11-03 публикация патента:
10.11.1997 |
Использование: при разработке и усовершенствовании технологии формирования слитка при воздействии слабого магнитного поля на кристаллизирующийся расплав. Способ заключается в том, что при воздействии постоянного магнитного поля со значениями индукции B=0,5-2
10-3 Тл на математическую модель, построенную на основе парамагнитных свойств кристаллических зародышей в двухфазовой области "структурной диффузии" перед фронтом кристаллизации, зародыш приобретает магнитный момент, влияющий на скорость движения и соответствующий указанным значениям индукции, а скорость движения зародышей, характеризуемая ее проекцией на вертикальную ось слитка и связанная с параметрами кристаллизации, увеличивается и определяется по соотношению:
где
- проекция средней скорости совместного движения "парамагнитных зародышей" в поле, имеющем градиент индукции; Vкz - скорость конвективного потока по оси, изменяющаяся под воздействием поля; Vzкол - "потеря" скорости на колебание вектора намагниченности в переменном поле, равная нулю в постоянном магнитном поле. Параметры кристаллизации и сегрегации: скорость роста зародышей (Vр), переохлаждение (
T), толщина обогащенного слоя (
эф) определяются из соотношений
где K1, K2 - коэффициенты, зависящие от условий кристаллизации, Dж - коэффициент диффузии в жидкости, Voкр - скорость затвердевания без воздействия поля, Ko=Ст/Сж - равновесный коэффициент распределения, Ст/Сж - концентрации примеси в твердой и жидкой фазах, Vn, V - проекции средней скорости на ось зародышей соответственно, обогащенных примесью и растворителем. 8 табл., 14 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14, Рисунок 15, Рисунок 16, Рисунок 17, Рисунок 18, Рисунок 19, Рисунок 20
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493t.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-2t.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095023/916.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095029/948.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-3t.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-4t.gif)
Формула изобретения
Способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках при воздействии электромагнитного поля на основе математической модели, отличающийся тем, что математическую модель строят на основе парамагнитных свойств кристаллических зародышей при наложении постоянного и переменного магнитных полей в двухфазной области структурной диффузии перед фронтом кристаллизации, накладывают постоянное магнитное поле с определенными значениями индукции B 0,5 2![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095023/916.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095029/948.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-33t.gif)
где
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-34t.gif)
vкz скорость конвективного потока по оси, изменяющаяся под воздействием поля;
vzкол потеря скорости на колебание вектора намагниченности в переменном поле,
а указанные параметры кристаллизации из следующих соотношений:
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-35t.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-36t.gif)
где K1, K2 коэффициенты, зависящие от условий кристаллизации;
Dж коэффициент диффузии в жидкости;
voкр- скорость затвердевания без воздействия поля;
Ко Ст/Сж равновесный коэффициент распределения, Ст/Сж концентрация примеси в твердой и жидкой фазах,
vп, v проекции средней скорости на ось зародышей соответственно обогащенных примесью и растворителем.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области исследования и анализа материалов, а точнее к способам управления процессами кристаллизации и сегрегации. Наиболее эффективно изобретение может быть использовано при разработке и усовершенствовании технологии формирования слитка при воздействии слабого магнитного поля на кристаллизующийся расплав. Внешнее воздействие электромагнитных полей в современных технологиях вызывает вынужденное движение расплава во время затвердевания, что приводит к изменению параметров кристаллизации: скорости образования зародышей, скорости их роста, величины переохлаждения, критического радиуса зародыша, вероятности возникновения слоистой сегрегации. Для получения оптимальной структуры требуется тщательный выбор типа и режимов электромагнитного перемещения. Для их определения разработаны математические модели процессов затвердевания, воспроизводящие различные механизмы влияния электромагнитных полей на конечную структуру слитка. Однако ни один из известных методов управления процесса кристаллизации слитка не дает объяснения эффективности воздействия слабых магнитных полей на параметры процессов кристаллизации и сегрегации с точки зрения упомянутых механизмов. Известен способ управления процессом кристаллизации слитка при воздействии электромагнитного переменного поля с B=0,1 Тл [1] включающий создание математической модели на основе турбулентного движения жидкой фазы в двухфазной зоне перед фронтом кристаллизации. Турбулизация расплава влияет на кинетику кристаллизации охлажденного слитка, увеличивая значения коэффициентов теплопроводности и диффузии. При этом взаимодействие вихревых течений с фронтом кристаллизации сопровождается экстрагированием легкоплавкой примеси, в результате чего слой расплава, непосредственно примыкающий к фронту кристаллизации, оказывается обогащенным примесью, понижающей температуру ликвидуса. Однако математическая модель, построенная на основе турбулентного движения зародышей жидкой фазы, охватывает только часть спектра индукции магнитного поля и не объясняет достоверность изменения параметров кристаллизации в области слабых полей. Известен способ управления процессом кристаллизации, включающий создание математической модели, учитывающей получение зародышами кристаллизующейся системы дополнительной энергии при воздействии сильного постоянного магнитного поля с величинами индукции 0,2oC0,3 Тл [2] Воздействие магнитного поля приводит к изменению параметров кристаллизации: скорости образования зародышей и скорости их роста, величины переохлаждения, теплоты кристаллизации. Причем для расчета этих величин выведены зависимости. Однако применяемая модель ограничена в области слабых магнитных полей. Как показывают расчеты, дополнительная энергия атома в слабом магнитном поле на два порядка меньше, чем изменение энергии на один атом при фазовом переходе. Поэтому энергия не может оказывать существенного влияния на кристаллизацию. Кроме того, модель не учитывает влияние поля на распределение примесей. Из известных способов управления процессом кристаллизации наиболее близким по технической сущности является способ управления процессом кристаллизации, описанный в кн. Флемингс. Процессы затвердевания. М. Мир, 1977. Этот способ управления процессом кристаллизации включает разработку математической модели на основе конвекции проводящей жидкости и наложения на нее магнитного поля умеренной напряженности (B=0,4![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-6t.gif)
где B направленность магнитного поля,
L характеристическая длина системы,
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095023/963.gif)
h динамическая вязкость. Наличие магнитного поля умеренной напряженности приводит к увеличению критерия Гартмана до 100. Техническим результатом изобретения является определение оптимальных величин индукции постоянного магнитного поля, вызывающих изменение параметров процесса кристаллизации и сегрегации. Технический результат достигается тем, что в способе управления процессом кристаллизации и сегрегации в слитках при воздействии электромагнитного поля на основе математической модели, согласно изобретению, математическую модель строят на основе парамагнитных свойств кристаллических "зародышей" в двухфазной области "структурной диффузии" перед фронтом кристаллизации; накладывают постоянное магнитное поле с определенными значениями индукции B=0,5oC2
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095023/916.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095029/948.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-7t.gif)
где
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-8t.gif)
Vкz скорость конвективного потока по вертикальной оси, изменяющаяся под воздействием поля;
Vzкол "потеря" скорости на колебание вектора намагниченности в переменном поле, а указанные параметры кристаллизации из следующих соотношений:
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-9t.gif)
где Vp скорость роста зародышей,
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-10t.gif)
где
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095023/916.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-11t.gif)
где Dдж коэффициент диффузии в жидкости, Voкр скорость затвердевания без воздействия поля,
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-12t.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
1. Расчет значения индукции магнитного поля в центре и градиента индукции по вертикальной оси соленоида. Формула для значения индукции в центре соленоида:
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-13t.gif)
где
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-14t.gif)
где Bк индукция на краю соленоида. 2. Расчет скорости обратного конвективного потока вдоль вертикальной оси, вызванного опусканием зародышей вдоль фронта затвердевания, под влиянием и без магнитного поля. 2.1. Скорость конвективного потока без воздействия поля Voкz рассчитывается по эмпирической формуле (6):
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-15t.gif)
где
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095099/964.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-16t.gif)
где M критерий Гартмана, L характеристическая длина системы,
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095023/963.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-17t.gif)
где Vkz скорость конвективного потока под влиянием поля. 3. Расчет зависимости скорости движения парамагнитных зародышей в неоднородном поле от индукции. 3.1. Критический радиус зародыша рассчитывается по формуле (4):
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-18t.gif)
где R критический радиус зародыша,
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095023/963.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-19t.gif)
где Jm намагниченность зародыша, M магнитный момент атома в зародыше, K постоянная Больцмана, T температура металла, n концентрация атомов элемента в зародыше. Для многокомпонентных систем, содержащих i компонентов, намагниченность рассчитывается по формуле:
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-20t.gif)
где ni концентрация i-го элемента в зародыше, Mi - магнитный момент атома i-го элемента. 3.3. Зависимость силы, действующей на парамагнитный зародыш в поле, имеющем градиент индукции по вертикальной оси, от индукции рассчитывается по формуле (1):
Fz= Fm
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/9663.gif)
где Fz сила,
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-21t.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-22t.gif)
где Vz скорость движения одного зародыша,
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095099/951.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-23t.gif)
4. Потеря скорости движения зародышей в переменном поле. 4.1. Количество атомов элемента в зародыше: N=nVз где N - количество атомов элемента в зародыше, V3 объем зародыша. Для многокомпонентных систем, содержащих i элементов,
Ni=ni
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
где Ni, ni количество и концентрация атомов i-го элемента в зародыше. 4.2. Масса зародыша:
mз=mат
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
где mз масса зародыша, mат масса атома. Для многокомпонентных систем, содержащих i элементов:
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-24t.gif)
где mатi, Ni масса атома и количество атомов i-го элемента в зародыше. 4.3. Зависимость потери скорости от индукции поля рассчитывается по формуле:
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-25t.gif)
Далее по методике 1 расчета зависимости переохлаждения расплавов от индукции поля проводятся следующие операции:
5. Зависимость общей скорости движения зародышей от индукции:
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-26t.gif)
6. Зависимость переохлаждения от индукции:
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-27t.gif)
где K2 коэффициент пропорциональности. По методике 2 расчета зависимости толщины обогащенного примесью слоя от индукции поля пятая и шестая операции расчета определяют:
Толщину обогащенного примесью слоя без поля
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-28t.gif)
где Dж коэффициент диффузии в жидкости, Voкр скорость затвердевания без воздействия поля, Ko= Ст/Сж - равновесный коэффициент распределения, Ст/Сж концентрации твердой и жидкой фаз. Толщину обогащенного примесью слоя под воздействием поля:
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-29t.gif)
где
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-30t.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095029/948.gif)
коэффициент поверхностного натяжения
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095023/963.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
температура металла T 1773 К. теплота кристаллизации 1 м3 металла L=7,3
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
удельная проводимость металла 1,6
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
вязкость металла h 28
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
коэффициент диффузии серы в жидком железе DжS=1,94
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
магнитные моменты атомов: Fe 2,93 mБ, Si 2,2
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
магнетон Бора
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
массы атомов: Fe 92,71
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
концентрация атомов в зародыше n= 3,66
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
1. ввод данных
1.1. ввод с клавиатуры
1.2. задание массивов
1.3. ввод химсостава с клавиатуры
1.4. условие учета образования FeS
1.5. условие корректности химического состава
1.6. заполнение массивов. 2. Расчет
2.1. задание массива ДIМ
2.2. концентрация атомов в зародыше
2.3. сила тока, индукция, градиент индукции
2.4. переохлаждение, радиус зародыша без поля
2.5. если F
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095223/8856.gif)
2.6. потеря скорости
2.7. скорость конвекции
2.8. скорость зародыша. Далее по программе 1 в следующих операциях определяются:
2.9. переохлаждение
3.0. относительное переохлаждение
В программе 2 по операциям 2.9 и 3.0 определяют:
2.9. толщину слоя без поля
3.0. относительную толщину слоя. Справедливость приведенных в методиках зависимостей была проверена на процессах кристаллизации гипосульфита и бинарного сплава железа и кремния с 3,5% Si (массой 0,8 и 5 кг) под воздействием постоянного магнитного поля и на процессе сегрегации сплава железа и серы с 0,06% S. I. Обработку гипосульфита (тиосульфита натрия Na2S2O3
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-31t.gif)
где h безразмерная величина, равная при росте сферического зерна n 1,290,
M 1,8
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095493/2095493-32t.gif)
Значения, полученные по формуле, являются экспериментальными и отражены в табл. 3. На графике (фиг. 8) показана зависимость переохлаждения расплава Fe Si с 3,5% Si (массой 0,3 кг) от величины индукции постоянного магнитного поля. Сплошной кривой отражена теоретическая зависимость, а точками отображены экспериментально полученные значения, рассчитанные в результате анализа макроструктур слитков. Эти макроструктуры представлены на фиг. 9. Как видно из представленных макроструктур, наложение постоянного поля с индукцией, соответствующей максимуму на кривой фиг. 6, вызывает существенное измельчение зерна. Это обстоятельство, а также отсутствие ярко выраженной усадочной раковины позволяет предположить, что кристаллизация этого металла протекала по объемному типу. Значения переохлаждения сплава Fe Si с 3,5% Si массой 0,3 кг при воздействии постоянного поля полученные экспериментально и теоретически приведены соответственно в табл. 3, 4. На фиг. 10 показана зависимость переохлаждения расплава Fe Si с 3,5% Si (массой 5 кг) от величины индукции постоянного магнитного поля при различных условиях теплоотвода обеспечиваемых при кристаллизации в установках 1 и 2. Значения переохлаждения расплава Fe Si (массой 5 кг), полученные экспериментально и теоретически, приведены в табл. 5, 6, 7, 8. На фиг. 11 и 12 представлены макроструктуры этих слитков (массой 5 кг), также подтверждающие, что наложение постоянного поля с индукцией, соответствующей максимуму на кривых фиг. 10, вызывает существенное измельчение зерна. III. Процесс сегрегации в слитках из сплава железа и серы с 0,06% серы изучали на экспериментальной установке 2. Из полученных слитков готовили продольные темпелеты, с которых снимали отпечатки на серу. По вышеприведенным соотношениям были рассчитаны зависимости толщины обогащенного примесью пограничного слоя от величины магнитной индукции для случаев, когда перед фронтом затвердевания образуются сульфиды Fe и когда сульфиды не образуются. Для расчета были использованы следующие значения магнитных моментов атомов элементов: MS=0, MFe=2,93
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095055/956.gif)
![способ управления процессами кристаллизации и сегрегации в слитках, патент № 2095493](/images/patents/377/2095006/183.gif)
1. Одновременно управлять процессами формирования кристаллической структурой и сегрегацией, достигая одновременно измельчения структуры и повышения химической однородности. 2. Прогнозировать получение необходимой структуры слитка с заданными свойствами. 3. Позволит снизить энергоемкость процессов за счет использования слабого магнитного поля и тем самым упростить конструкции установок элекротехнического оборудования.
Класс C30B11/06 добавлением по крайней мере одного, но не всех компонентов кристаллической композиции