магнитоэлектрический датчик дефектов
Классы МПК: | G01N27/90 с помощью вихревых токов |
Автор(ы): | Хайруллин И.Х., Янгиров И.Ф., Исмагилов Ф.Р., Широков В.В. |
Патентообладатель(и): | Уфимский государственный авиационный технический университет |
Приоритеты: |
подача заявки:
1995-03-14 публикация патента:
27.11.1997 |
Использование: изобретение относится к контрольно-измерительной технике, к неразрушающим методам контроля параметров магнитного поля и качества изделия. Сущность изобретения: магнитоэлектрический датчик дефектов отличается тем, что на полюсах П-образного магнита 1 установлены на равном расстоянии друг от друга магнитопроводящие полосовые наконечники 3, которые обхвачены измерительными обмотками 2, соединенными с соответствующими обмотками другого полюса. 1 ил.
Рисунок 1
Формула изобретения
Магнитоэлектрический датчик дефектов, содержащий П-образный постоянный магнит и измерительные обмотки, отличающийся тем, что он снабжен установленными на полюсах магнита на равном расстоянии друг от друга магнитопроводящими полосовыми наконечниками, которые охвачены измерительными обмотками, соединенными с соответствующими обмотками другого полюса.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике к неразрушающим методам контроля параметров магнитного поля и качества изделия. Известен магнитный датчик [1] содержащий корпус, цилиндрический магнит, намагниченный вдоль своей оси, и магниточувствительные элементы, где магнит выполнен с чередованием направления намагниченности, и установлен в корпусе с возможностью вращения вокруг своей оси, а магниточувствительные элементы размещены на торце магнита, а также магниточувствительные элементы, установленные в зоне соединения смежных цилиндрических секторов, ориентированы осью максимальной чувствительности под углом /4 к прямой, параллельной оси магнита, а в зоне биссектрисы сектора под углом /4. Недостатком известного магнитного датчика является низкая избирательность и разрешающая способность к дефектам изделия. Наиболее близким техническим решением, принятым за ближайший аналог, является электромагнитный преобразователь для неразрушающего контроля [2] содержащий составной магнитопровод из 3-10 П-образных элементов, разделенных по периметру немагнитными зазорами, возбуждающую обмотку, охватывающую все П-образные элементы, и измерительные обмотки, размещенные на стержнях П-образных элементов, где магнитопровод в средней своей части скручен на 180o, а измерительные обмотки имеют равное число витков. Задача, на решение которой поставлено заявляемое решение повышение избирательности разрешающей способности к дефектам изделия. Поставленная задача достигается тем, что в известном магнитоэлектрическом датчике дефектов, содержащем П-образный постоянный магнит и измерительные обмотки, в отличие от прототипа, на полюсах П-образного магнита установлены магнитопроводящие полосовые наконечники и их обхватывают измерительные обмотки, соединенные последовательно. На чертеже представлен магнитоэлектрический датчик дефектов. Магнитоэлектрический датчик дефектов содержит П-образный постоянный магнит 1 и измерительные обмотки 2. На полюсах П-образного магнита 1 установлены магнитопроводящие полосовые наконечники 3 и их обхватывают измерительные обмотки 2, соединенные последовательно. Магнитоэлектрический датчик дефектов работает следующим образом. При движении датчика по поверхности контролируемого изделия в случае отсутствия дефектов сигнал на измерительных обмотках отсутствует. Наличие дефекта, воздушной раковины или другой магнитной неоднородности изменяет магнитные сопротивления элементарных контуров, что приводит к появлению сигнала на измерительной обмотке в зависимости от размера дефекта и его местонахождения. При этом избирательность и разрешающая способность датчика к дефектам повышается за счет дифференциации (разделения) магнитного потока. Диапазон контролируемых глубин можно регулировать скоростью перемещения датчика, либо изменением базы магнитопровода датчика. Таким образом, предложенный магнитоэлектрический датчик дефектов позволяет повысить избирательность и разрешающую способность датчика к дефектам контролируемого изделия. Кроме того, существенно упрощается конструкция датчика и повышается его надежность.Класс G01N27/90 с помощью вихревых токов