устройство для управления потоком рентгеновского излучения и способ его получения

Формула изобретения

1. Устройство для управления потоком рентгеновского излучения, выполненное в виде многослойной периодической структуры, содержащей подложку с чередующимися слоями с различными декрементами, отличающееся тем, что чередующиеся слои выполнены из материала, состоящего из атомов углерода и водорода, при этом различие декрементов обеспечивается путем разного содержания водорода и разной пространственной структуры слоев.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка имеет сложный рельеф поверхности.

3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что толщины слоев изменяются по поверхности подложки.

4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что толщины слоев изменяются в направлении от первого слоя к последнему по заданному закону.

5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что рабочей поверхностью является торцевая часть устройства.

6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что между подложкой и первым прилегающим к ней слоем устройства расположена промежуточная структура.

7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в объеме самого устройства выполнен рисунок по заданному закону.

8. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что подложка выполнена несплошной.

9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что изменение декрементов слоев достигается за счет дополнительного введения азота, фтора и кислорода.

10. Способ получения устройства, заключающийся в создании на подложке многослойной структуры с изменяющимися по заданному закону значениями декрементов составляющих ее слоев, отличающийся тем, что формирование по крайней мере одного из слоев производится путем осаждения из газовой углеродосодержащей среды.

11. Способ по п.10, отличающийся тем, что формирование слоев производится путем чередования осаждения из газовой углеродосодержащей среды с физическим распылением твердой графитовой мишени.

12. Способ по п.10, отличающийся тем, что формирование слоев производится путем изменения газовой углеродосодержащей среды.

13. Способ по п.10, отличающийся тем, что формирование слоев производится из газовой углеродсодержащей среды из нескольких источников использующих разные газы.

14. Способ по п.10, отличающийся тем, что формирование слоев производится путем изменения типа газового разряда при осаждении из газовой углеродосодержащей среды.

15. Способ по п.10, отличающийся тем, что формирование слоев производится одновременно из нескольких источников с разными типами газового разряда.

16. Способ по п.10, отличающийся тем, что формирование слоев производится из газовой углеродосодержащей среды путем изменения по крайней мере одного из параметров технологического процесса.

17. Способ по п.10, отличающийся тем, что формирование слоев производится попеременным включением одного или нескольких источников, изменяя в случае надобности состав рабочего газа.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к рентгеновской оптике, в частности, к устройствам для отражения, поворота, деления, фокусировки и монохроматизации потока рентгеновского излучения и может быть использовано для проведения процессов рентгеновкой литографии, рентгеновской микроскопии, рентгеновской спектроскопии, а также в астрономии, физике, биологии, медицине и других областях технике, где используется рентгеновское излучение.

Широко известны двухкомпонентные устройства для отражения рентгеновского излучения, называемые рентгеновскими зеркалами. Данные устройства представляют собой многослойную периодическую структуру, в которой сильнопоглощающие слои из атомов тяжелых металлов (W, Re, Ni и др.) чередуются со слабопоглощающими слоями легких атомов (C, B, и др.) [1]. Примером такого рода рентгеновского зеркала может выступать Ni/C рентгеновское зеркало [2]. При прохождении световой волны через подобное рентгеновское зеркало происходит интерференция волн, отраженных от границ раздела слоев.

Рентгеновские зеркала характеризуются двумя основными параметрами: коэффициентом отражения и разрешающей способностью. Для того чтобы отраженные волны складывались в фазе необходимо в первом приближении выполнить условие Брэгга 2dsin = n n = 1,2..., где d - период структуры, - угол падения волны, - длина волны.

Отражательная способность одной границы раздела определяется разницей в декрементах преломления слоев которая для двухкомпонентных зеркал пропорциональная разнице в плоскостях слоев . При этом коэффициент отражения рентгеновского зеркала тем больше, чем больше разница в плотностях слоев. А разрешающая способность зеркала тем выше, чем меньше разница в плотностях слоев. Декремент преломления есть действительное слагаемое комплексной диэлектрической проницаемости () =1-+i ( - коэффициент поглощения).

Недостатком данных устройств является сильное поглощения рентгеновского излучения в металлических слоях в мягком диапазоне длин волн (от 0,5 нм до 30 нм). Вследствие этого невозможно одновременно получить высокий коэффициент отражения и высокое разрешение. Кроме того, в данной структуре трудно сохранить резкие границы раздела между слоями вследствие взаимодиффузии атомов, вызванной градиентом концентраций.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство, представляющее собой многослойную периодическую структуру, выполненную в виде подложки с чередующимися слоями, причем чередующиеся слои выполнены из двух легких слабопоглощающих рентгеновское излучение веществ - химического соединения карбида бора (B₄C) и кремния (Si)[3]. Особенностью данного типа устройств является уменьшение поглощения рентгеновского излучения в обоих слоях, особенно в диапазоне длин волн, больших 13 нм, за счет того, что слои обладают близким значением плотности слоев (2,33 г/см³ для Si и 2,52 г/см³ для B₄C), что позволяет получить более высокое разрешение, чем использование металла в качестве одного из слоев периодической структуры рентгеновского зеркала.

Недостатками данного устройства являются размытые границы раздела между слоями из-за взаимодиффузии атомов, вызванной градиентом концентрацией, и большая трудоемкость, обусловленная необходимостью формирования сложного химического соединения B₄C. Кроме того, данное устройство имеет хорошие рабочие характеристики только в длинноволновом диапазоне (при длине волны более 13 нм). При длинах волн, меньших 13 нм, кремний начинает сильно поглощать рентгеновское излучение, и поэтому рабочие параметры данного устройства резко ухудшаются.

Известен способ получения многослойной периодической структуры с изменяющимися по заданному закону значениями декрементов составляющих ее слоев, заключающийся в поочередном физическом распылении Si и B₄C мишеней ионами инертного газа. Процесс получения проводят в едином вакуумном цикле [3].

Недостатком данного способа является невозможность изменения значения декремента получаемых слоев в широком диапазоне в силу "жесткой" связи между параметрами распыляемого материала и параметрами полученных в результате распыления слоев. Это свойство присуще всем вариантам способа, где имеет место физическое распыление ионами инертных газов.

В результате выращенный слой по химическому составу и плотности практически повторяет материал мишени. Это практически не позволяет путем изменения условий распыления (давления газа, напряжения разряда, тока разряда) управлять плотностью слоев и влиять на коэффициент поглощения рентгеновского излучения в них.

Изобретение направлено на достижение технического результата заключающегося в улучшении рабочих характеристик устройства для управления потоком рентгеновского излучения путем уменьшения коэффициента поглощения рентгеновского излучения разрешающей способности и широкополосности (в диапазоне до 13 нм), получения более совершенных границ раздела слоями, а также снижения трудоемкости изготовления устройства.

Это достигается тем, что устройство для управления потоком рентгеновского излучения, выполнено в виде многослойной периодической структуры, содержащей подложку с чередующимися слоями с различными декрементами, при этом чередующиеся слои выполнены из материала, состоящего из атомов углерода и водорода, различие декрементов обеспечивается путем разного содержания водорода и разной пространственной структуры слоев; подложка устройства имеет сложный рельеф поверхности, а толщины слоев изменяются по поверхности подложки; толщины слоев изменяются в направлении от первого слоя к последнему по заданному закону; рабочей поверхностью является часть устройства; между подложкой и первым, прилегающим к ней слоем устройства расположена промежуточная структура; в объеме самого устройства выполнен рисунок по заданному закону; многослойная структура содержит защитное покрытие; подложка выполнена несплошной; изменение декрементов слоев достигается за счет дополнительного введения атомов других элементов.

Способ получения устройства заключается в создании на подложке многослойной структуры с изменяющимися по заданному закону значениями декрементов составляющих ее слоев, при этом формирование по крайней мере одного из слоев производится путем нанесения из газовой углеродосодержащей среды; формирование слоев производится путем чередования осаждения из газовой углеродосодержащей среды с физическим распылением твердой углеродосодержащей мишени; формирование слоев производится путем изменения газовой углеродосодержащей среды; формирование слоев производится из нескольких источников, работающих на разных углеродосодержащих газах; формирование слоев производится путем изменения типа газового разряда при осаждении из газовой углеродосодержащей среды; формирование слоев производится одновременно из нескольких источников с разными типами газового разряда; формирование слоев производится из газовой углеродосодержащей среды путем изменения по крайней мере одного из параметров технологического процесса; формирование слоев производится попеременным включением одного или нескольких источников, изменяя в случае надобности состав рабочего газа.

Возможность создания такого устройства основана на уникальности свойств атома углерода (C), способного образовать различные виды пространственных структур в твердом теле, и на исключительном значении отношения Z/A (где Z - атомный номер элемента, A - атомный вес), равного 1 только у водорода (у всех остальных элементов Z/A1/2).

Выражение для декремента преломления материала имеет вид:

,

где

B - константа, - декремент, - длина волны, - плотность вещества.

В прототипе различные в декрементах слоев получают за счет изменения элементного состава слоев (т.е. изменения Z), что равносильно смене одного вещества другим. Например, для прототипа Z_Si = 14 и Z_B4C=26, а для Ni/C - зеркала Z_Ni = 28 и Z_C = 6. Изменение элементного состава автоматически приводит к изменению плотности, а через нее и к изменению декремента. При этом отношение Z/A для разных веществ (Ni, C, Si, B₄C) не изменяется, так как для всех элементов Z/A - 1/2. Следовательно, изменение декремента слоев достигается только за счет изменения одного множителя в выражении (1).

В предлагаемом устройстве изменения декремента можно достигнуть как за счет плотности, так и за счет множителя _Z/A. . При этом сам элементный состав (C и H) слоев не изменяется. Действительно, в частном случае, при 0% водорода в слое аморфного углерода _{Z/A = 0,5.} . А при 50% водорода _{Z/A = 0,54.} . Таким образом, даже при постоянном значении плотности слоев за счет изменения содержания водорода можно получить различие в декрементах слоев на 8%. Это сравнимо с разницей в декрементах слоев, полученной за счет разницы в плотностях в прототипе (также 8%).

В общем случае изменение декремента слоев аморфного углерода происходит как за счет изменения плотности слоев, так и за счет изменения содержания водорода.

Углерод является единственным элементным элементом, чей атом может образовать химические связи с различными типами гибридизации. Это приводит к возможности существования веществ, состоящих только из атомов углерода, но имеющих абсолютно разные структуры: sp³ - гибридизация связей атома углерода (пример - алмаз), sp² - гибридизация связей атома углерода (пример - графит), sp - гибридизация связей атома углерода (пример - карбин). При этом каждый из этих материалов имеет присущие только ему физические свойства (в частности, плотность алмаза 3,5 г/см³, а плотность графита 2,26 г/см³. При получении аморфного углерода ионно-плазменными способами возможно одновременное существование в одном слое атомов углерода с разными типами гибридизации в разных процентных соотношениях, а также в различных смешанных и деформированных состояний. В результате плотность слов, а следовательно, и значением декремента аморфного углерода можно управлять путем простого изменения процентного соотношения между различными гибридизованными состояниями.

Другой отличительной особенностью аморфного углерода является возможность содержания в его объеме до 50% связанного и несвязанного водорода, который может быть захвачен непосредственно в процессе роста слоев.

Набор методов для получения слоев аморфного углерода значительно шире, чем для металлов или других элемнтов и химических соединений. Это связано с тем, что получение аморфного углерода возможно не только путем физического распыления твердой мишени, но и из газообразной углеродосодержащей среды в плазме электрического газового разряда. При этом в последнем случае возможности управления свойствами слоев аморфного углерода в процессе их роста значительно расширяются. В первую очередь, это происходит за счет того, что уже сразу можно использовать углеродосодержащие соединения с разным типом гибридизации химических связей атомов углерода. Примером может быть многочисленный класс углеводородов (состоят из атомов углерода и водорода). Например, ацетилен - C₂H₂ (sp - гибридизация), бензол - C₆H₆ (sp² - гибридизация), циклогексан - C₆H₁₂ и метан CH₄ (sp³ - гибридизация). Важно отметить, что слои, полученные из газообразной фазы, будут содержать водород, концентрация которого зависит от соотношения C/H в исходном веществе и условий роста слоев. Поэтому становится возможным управлять значениями декрементов слоев аморфного углерода не только путем изменения соотношения между различными гибридизированными состояниями, но и путем изменения концентрации водорода в слоях, который может входить в связи с различным типом гибридизации.

Наиболее просто в этом случае управлять декрементом, чередуя метод осаждения из газовой углеродосодержащей среды с методом физического распыления твердой углеродосодержащей мишени.

Кроме того, концентрацией водорода в слоях аморфного углерода и отношением между гибридизированными состояниями (следовательно, и декрементами слоев) можно также управлять при помощи:

- типа используемого для возбуждения плазмы электрического газового разряда (разряд на постоянном токе, высокочастотный разряд, электрон - циклотронный разряд и др.);

- энергии ионов, воздействующих на растущий слой;

- давления в вакуумной камере;

- изменения состава газовой смеси;

- мощности, вкладываемой в разряд;

- температуры подложки.

В итоге изменение декремента слоев аморфного углерода, не содержащих водорода, достигается за счет изменения их пространственной структуры, а слоев, содержащих водород, как за счет изменения содержания водорода, так и за счет пространственной структуры.

Кроме того, фактором, влияющим на плотность слоев, является концентрация микроскопических пор в объеме выращенного слоя.

В общем случае эти зависимости чрезвычайно сложны, но возможен экспериментальный отбор слоев аморфного углерода с нужными значениями декрементов.

Важно отметить, что набор углеродсодержащих веществ, которые могут быть использованы для получения слоев аморфного углерода, практически неограничен и включает в себя как газы, так и жидкости с высоким давлением насыщенных паров. Каждое из этих веществ имеет свою структуру и разное отношение C/H. Причем в состав этих соединений могут входить кроме атомов водорода и атомы других веществ: кислород (O), фтор (F), азот (N) и др., а также элементы, имеющие твердую фазу (например, Si). В целом наличие атомов других элементов создает дополнительные возможности для управления свойствами слоев аморфного углерода.

Важным преимуществом слоев аморфного углерода, по сравнению со слоями других материалов является значительно меньшая шероховатость его поверхности [4]. Это позволяет исключить операцию полировки каждого слоя перед нанесением последующего. Следовательно, трудоемкость изготовления устройства снижается.

В итоге широкий диапазон изменения свойств аморфного углерода и значительно больший диапазон методов его получения позволяют формировать устройства для управления потоком рентгеновского излучения с заранее заданными значениями декрементов слоев и тем самым управлять параметрами устройства в целом. В частности, можно создавать рентгеновские зеркала, состоящие не только из двух чередующихся слоев разными декрементами, но из трех и более, а также полупрозрачные зеркала (т.е. зеркала, пропускающие часть излучения).

Предлагаемые устройства можно отнести к устройствам принципиально нового типа, поскольку они созданы с использованием только одного компонента углерода, а не двух, как это было прежде. Особенности этих устройств позволяют получить рентгеновские зеркала с высокой разрешающей способностью и в то же время с достаточным коэффициентом отражения в широком спектральном интервале за счет увеличения числа периодов в устройстве. Отсутствие ограничений на соотношение толщин отдельных слоев в периоде позволяет легко выполнить условия, необходимые для подавления отражений высших периодов, а следовательно, получить фонопонижающее зеркало без ухудшения коэффициента отражения и разрешающей способности. При этом отсутствие градиента концентраций на границе раздела слоев позволяет минимизировать их диффузионное размытие и тем самым получить более совершенные, стабильные структуры.

Важной особенностью перечисленных выше устройств является легкость удаления ("стирания") многослойной углеродной структуры с подложки методами плазмохимического травления в кислородосодержащей среде. При таком травлении образуются летучие соединения углерода CO и CO₂. Процесс травления автоматически прекращается после удаления последнего слоя аморфного углерода с подложки. При этом сама подложка не разрушается кислородосодержащей плазмой и может быть использована для получения нового устройства.

На фиг. 1 дано схематическое изображение конструкции устройства; на фиг. 2 - схема установки для получения углеродного рентгеновского зеркала; на фиг. 3 - схематическое изображение вариантов устройства: подложка устройства имеет сложный рельеф поверхности (а), толщины слоев устройства изменяются по поверхности подложки (б) или от первого слоя к последнему (в), между подложкой и первым слоем расположена промежуточная структура; на фиг. 4 - схематическое изображение вариантов устройства: в объеме многослойной структуры выполнен рисунок (а), подложка устройства выполнена несплошной (б); на фиг. 5 - экспериментальная зависимость коэффициента отражения R = f() для углеродного рентгеновского зеркала на длине волны 0.154 нм; на фиг. 6 - экспериментальная зависимость коэффициента отражения R = f() для углеродного рентгеновского зеркала, состоящего из двух многослойных структур нанесенными одна на другую на длине волны 0.154 нм.

Лучший вариант изобретения

Предлагаемое устройство в описываемом варианте реализовано в виде углеродного рентгеновского зеркала (фиг. 1), содержащего подложку 1 и чередующиеся слои с различными декрементами.

Для получения предлагаемого углеродного рентгеновского зеркала разработана вакуумная камера (фиг. 2), оснащенная специализированным оборудованием. Внутри откачиваемой вакуумной камеры встроены магнетронный источник с графитовой мишенью 2 с заслонкой 3 и ионно-лучевой источник 4 с заслонкой 5. Подложка 6 крепится к подложкодержателю 7. Частота вращения подложкодержателя задается электродвигателем 8. Подложкодержатель 7 соединен с высокочастотным генератором 9. Подача рабочих газов производится через систему газонапуска 10 непосредственно через источники 2 и 4. Для контроля параметров процесса роста отдельных слоев к вакуумной камере пристроена система in-situ рентгеновского контроля толщины, плотности и шероховатости поверхности слоев по амплитуде и частоте осцилляций отраженного от подложки рентгеновского луча во время проведения технологического процесса. Ввод и вывод рентгеновского луча осуществляется через специальные окна 11. Система состоит из рентгеновской трубки 12, коллимационной системы 13, детектора 14, блока регистрации 15, соединенного с компьютером 16.

Предлагаемое устройство в данном способе можно получать путем вращения подложкодержателя 7 с нужной частотой вращения как при одновременно работающих магнетронном 2 и ионном источнике 4, так и при их поочередном включении. В результате прохождения подложки 6 над одним из источников вырастает первый слой с заданными параметрами, а при прохождении над вторым-второй слой с заданными параметрами. Далее процесс непрерывно повторяется, пока не будет выращено устройство с нужным числом слоев.

При работе магнетронного источника рост слоев аморфного углерода происходит за счет распыления мишени из графита. Если рабочим газом является инертный газ, то выращенный слой не содержит водорода. Ионный источник работает на газообразном углеводородосодержащем газе. Поэтому слой аморфного углерода, полученный из ионного источника, будет обязательно содержать ту или ионную концентрацию водорода (исключение может быть только в случае специального выделения из потока частиц, выходящих из ионного источника, только ионов углерода C⁺). Если источники работают одновременно, то в камере будет присутствовать смесь газов: инертного и углеводородсодержащего. Поэтому оба слоя будут содержать водород, концентрация которого в общем случае будет различна.

Для того чтобы увеличить спектральное разрешение устройства, подложка устройства может иметь сложный рельеф поверхности. Подобное устройство представляет собой обычную дифракционную решетку с глубиной профиля, составляющей единицы или десятки нанометров, и супергладкой поверхностью, на которую наносят многослойную структуру (фиг. 3, а). Многослойные дифракционные решетки обладают высокой спектральной селективностью, присущей дифракционным решеткам, и высокой светосилой, так как нанесенное на ее поверхность рентгеновское зеркала позволяет работать при углах падения вплоть до нормальных. Изменяя глубину профиля исходной базовой решетки, можно свести к минимуму зекральную компоненту отражения, соответствующую нулевому порядку дифракции, а подбирая форму профиля штриха дифракционной решетки, можно концентрировать максимум отражения в высших порядках дифракций. С этой же целью в объеме самого устройства может быть выполнен рисунок по заданному закону (фиг. 4, а).

Толщины слоев устройства могут изменяться по поверхности подложки или в направлении от первого слоя к последнему по заданному закону (фиг. 3, б и фиг. 3, в). Изменение периода в глубь структуры приводит к увеличению интегрального коэффициента отражения, а изменение вдоль поверхности позволяет осуществлять фокусировку рентгеновского излучения. Устройства с изменяющимся в глубь структуры периодом могут быть получены за счет изменения толщины как одного из слоев, так и обоих слоев структуры. Это изменение может быть или непрерывным, или скачкообразным, а период может иметь наибольшее значение либо у подложки, либо на поверхности структуры.

Рабочий поверхностью устройства может являться не только поверхность устройства, параллельная поверхности подложки, на которую осуществлялось нанесение многослойной структуры, но и торцевая часть устройства, поскольку она также является периодической.

Между подложкой и первым, прилегающим к ней слоем устройства, расположена промежуточная структура, улучшающая адгезию многослойной структуры к подложке (фиг. 3 г).

С целью получения полупрозрачных зеркал подложка устройства может быть выполнена несплошной (фиг. 4, б). Полупрозрачные зеркала представляют собой свободновисящие многолосйные структуры, которые пропускают часть рентгеновского излучения.

Пример 1. Получение углеродного рентгеновского зеркала на полированной кварцевой подложке с равным числом слоев первого и второго типа равной толщины, суммарным числом слоев 118, периодом 9.4 нм и разницей в декрементах слоев 1.210^-6 при = 0.154 нм. Способ получения рассматриваемого устройства осуществляется следующим образом. Кварцевую подложку (6) закрепляют на подложкодержателе (7), откачивают вакуумную камеру (1) до остаточного давления 10^-5 мм рт.ст. Далее через систему назонапуска (10) напускают кислород (O₂) до давления 10^-1 мм рт.ст. и в плазме высокочастотного электрического разряда, возбуждаемой с помощью генератора (9), проводят очистку подложки от остаточных загрязнений в течение 10 мин. При этом постоянное смещение на подложке составляет 200 В. После завершения процесса очистки камеру (1) вновь откачивают до давления 10^-5 мм рт.ст. и через систему газонапуска (10) напускают пары циклогексана (C₆H₁₂) и аргон (Ar), которые вводят в камеру, соответственно через ионно-лучевой источник и магнетронный источник. Парциальные давления C₆H₁₂ и Ar равным и составляет 810^-2 мм рт. ст. Включают источники (2) и (4), устанавливают их рабочие параметры, которые обеспечивают получение заданной разницы в плотностях слоев, выставляют нужную скорость вращения подложкодержателя, обеспечивающую вырастание слоя толщиной 4.7 нм за однократное прохождение подложки над одним и другим источником, открывают заслонки (3) и (5) источников и одновременно включают электродвигатель (8) и совершают 59 оборотов подложкодержателя. После этого выключают источники, совершая описанные выше операции в обратном порядке. На фиг. 5 представлена экспериментальная зависимость коэффициента отражения f() для углеродного рентгеновского зеркала а-C:H_I/a-C:H_II, полученного способом, описанным выше на длине волны 0.154 нм. Максимальном значении коэффициента отражения R=41%, в полуширина первого брэгговского пика отражения = 0.02. Кроме того, видно, что в спектре отражения от углеродного рентгеновского зеркала отсутствуют четные пики, что является следствием одинаковой толщины слоев и хорошего постоянства толщины отдельных слоев в каждом периоде.

Пример 2. Получение углеродного рентгеновского зеркала в виде двух многослойных структур нанесенными одна на другую, имеющими разные толщины слоев первого и второго типа. Структура была получена следующим образом. Сначала на кварцевой подложке была выращена многослойная углеродная структура с периодом 9.4 нм, равными толщинами слоев в периоде (по 4.7 нм) и количеством слоев N = 70. Затем на полученной структуре была выращена вторая многослойная структура, в которой толщина одного из слоев была уменьшена таким образом, чтобы соотношение слоев в периоде было2:1. Период второй многослойной структуры составляет 7.0 нм (4.7 нм и 2.3 нм), количество слоев 70. Это было достигнуто уменьшением парциального давления C₆H₁₂ с 810^-4 мм рт. ст. до 610^-4 мм рт.ст. и неизменном парциальном давлении Ar. Из фиг. 6 видно, что на экспериментальное зависимости R= f() при значении углов, соответствующих первому брэгговскому пику, наблюдаются максимумы отражения от первой и второй многослойной структуры. Полуширина обоих пиков равна 0.02^o. Меньшее значение Rmax от структуры с d=7.0 нм по сравнению со структурой с d= 9.4 нм связано с уменьшением коэффициента отражения на границе раздела слоев при увеличении угла падения рентгеновского луча. Во втором порядке интерференции наблюдается брэгговский пик только от второй многослойной структуры. Брэгговский максимум от первой многослойной структуры практически отсутствует. Это связано с подавлением отражения рентгеновских волн при угле, соответствующему второму брэгговскому пику, из-за равной толщины слоев. В третьем порядке интерференции брэгговский пик от первой многослойной структуры вновь наблюдается, но исчезает брэгговский пик от второй многослойной структуры. Это подтверждает предполагаемое соотношение толщин слоев 2:1 в периоде структуры.

Устройство и способ могут быть реализованы в условиях промышленного производства.

Литература:

1. E. Spiller, Soft X - ray Optics, SPIE Optical Engineering Press, 1994.

2. E.J. Puik, M.J. van Oer Wiel, Vacuum, v. 38, N 8-10, (1988) p. 707-709.

3. J.M. Slaughter, B.S. Medower, Optics Letters, v. 19, No21 (1994), p. 1786-1788.

4. E.Spiller, Proc. SPIE, v. 563, 1985, p. 367.