способ выращивания монокристаллов трибората лития

Классы МПК:C30B29/22 сложные оксиды
C30B15/02 добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе
C30B9/12 солевые растворители, например выращивание из флюсов
Автор(ы):, , , ,
Патентообладатель(и):Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН
Приоритеты:
подача заявки:
1996-07-16
публикация патента:

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO). Способ включает выращивание из растора-расплава, состав которого определен областью ABCD диаграммы трехкомпонентной системы Li2O - B2O3 - MoO3 с координатами точек системы, мол. доли: A: Li2O - 0,18; B2O3 - 0,51; MoO3 - 0,31; B: Li2O - 0,17; B2O3 - 0,83; MoO3 - 0; C: Li2O - 0,04; B2O3 - 0,21; MoO3 - 0,75; D: Li2O - 0,28; B2O3 - 0,07; MoO3 - 0,65. Растущий кристалл вытягивают из расплава со скоростью 0,3 - 1,3 мм/сутки при понижении температуры расплава от 750 - 790 до 690 - 720oС со скоростью 1 - 2oC/сутки. Применение растворителя MoO3 с низкой вязкостью, а также проведение роста при вытягивании кристалла обеспечивают возможность получения крупных монокристаллов LBO размером до 49 х 52 х 45 мм3, характеризующихся высокими показателями оптического качества: изменение показателя преломления < 10-3; адсорбционные потери < 10-3 см-1; лучевая стойкость > 10 ГВт/см2 при способ выращивания монокристаллов трибората лития, патент № 2112820 = 1,06 мкм и способ выращивания монокристаллов трибората лития, патент № 2112820 = 1 нс, что позволяет изготавливать оптические элементы размером до (5 - 15) х (5 - 15) х (5 - 30) мм3. 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

Способ выращивания монокристалла трибората лития из раствор-расплава в системе Li2O - B2O3 - MoO3 на затравку путем снижения температуры расплава, отличающийся тем, что выращивание ведут из расплава, состав которого определен областью ABCD диаграммы трехкомпонентной системы Li2O - B2O3 - MoO3, при вытягивании кристалла со скоростью 0,3 - 1,3 мм/сутки и снижении температуры от 750 - 790 до 690 - 720oC со скоростью 1 - 2oC/сутки, при этом координаты системы определены следующими точками, мол.доли:

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов, в частности монокристаллов трибората лития (LBO), обладающих нелинейно-оптическими свойствами и предназначенных для преобразования частоты лазерного излучения, создания параметрических генераторов света.

Известны способы выращивания монокристаллов LBO из раствора в расплаве методом снижения температуры расплава, обеспечивающих получение кристаллов, пригодных для изготовления из них оптических элементов. Например, известен способ получения кристаллов LBO в системе Li2O-B2O3, по которому стехиометрические количества исходных материалов Li2CO3, H3BO3, Li2O, B2O3, LiOH смешивают, смесь расплавляют при температуре выше 900oC и проводят рост или первоначально синтезируют соединение LBO, затем расплавляют его вместе с растворителем B2O3 и проводят рост на затравку методом понижения температуры от 834 до 750oC со скоростью 0,2-2oC/сутки при вытягивании со скоростью 1 мм/сутки или без вытягивания. При этом получают кристаллы размером 35х30х15 мм3.

Известен также способ выращивания кристаллов LBO из раствора-расплава в системе Li2O - B2O3 путем смещения гомогенной смеси исходных материалов Li2CO3 и H3BO3, расплавления смеси при температуре 950oC и роста из расплава на затравку путем снижения температуры от 833 до 780oC со скоростью 0,5oC/сутки с последующим охлаждением кристалла со скоростью 40oC/ч. При этом получают прозрачные кристаллы размером до 18х20х6 мм3. Однако использование в качестве растворителя B2O3 приводит к появлению включений в кристаллах, что обусловлено высокой вязкостью данного растворителя, и не позволяет вырастить крупные кристаллы.

Наиболее близким к изобретению является способ получения кристаллов LBO из раствора-расплава в системе Li2O-B2O3-MoO3, включающий растворение исходных материалов Li2CO3, H3BO3 в MoO3 и рост методом снижения температуры от 670 до 580oC со скоростью 5oC/ч. При этом получение расплава в системе Li2O-B2O3-MoO3 происходит через известные реакции разложения исходных реактивов: Li2CO3 (46,6 г), H3BO3 (203,9 г) и MoO3 (158,3 г), что соответствует соотношению Li2O: B2O3: MoO3 0,17: 0,5:0,33 мол.долей. Выращенный кристалл вынимают из расплава и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 100oC/ч. По данному способу получены прозрачные кристаллы размером 20х35х9 мм3.

Однако при проведении роста в данных условиях кристаллы растут вглубь расплава, занимая все больший объем в процессе роста, что приводит к ухудшению естественной конвекции в расплаве и изменению условий роста, что затрудняет регулирование процесса. В сочетании с большой анизотропией кристалла по свойствам, в том числе по скоростям роста разных граней, это приводит к образованию застойных зон и включений растворителей в направлении 111 и 201.

Для повышения оптического качества и увеличения размеров кристаллов трибората лития предложено для получения кристаллов LBO из раствора-расплава на затравку путем снижения температуры расплава выращивание проводить из расплава, состав которого определен областью ABCD диаграммы трехкомпонентной системы Li2O-B2O3-MoO3, при вытягивании кристалла со скоростью 0,3 - 1,3 мм/сутки, при этом температуру расплава снижать от 750 - 790 до 690 - 720oC со скоростью 1 - 2oC/сутки. При этом координаты системы определены следующими точками, мол.доли:

A: Li2O - 0,18; B2O3 - 0,51; MoO3 - 0,31;

B: Li2O - 0,17; B2O3 - 0,83; MoO3 - 0;

C: Li2O - 0,04; B2O3 - 0,21; MoO3 - 0,75;

D: Li2O - 0,28; B2O3 - 0,07; MoO3 - 0,65.

На чертеже представлена диаграмма состава трехкомпонентной системы Li2O-B2O3-MoO3, на которой изображены заявляемая область ABCD кристаллизации LBO и точка N по прототипу.

Диаграмма изучена методами твердофазного синтеза, закалки расплавов и спонтанной кристаллизацией.

Результаты показывают, что проведение кристаллизации за пределами указанной области приводит к сокристаллизации боратов другого состава.

Заявляемые составы системы могут быть использованы в различных методах выращивания кристаллов LBO из расплава методом снижения температуры на затравку и предпочтительны в заявляемом способе выращивания при вытягивании затравочного кристалла в процессе роста.

Проведение роста при вытягивании растущего кристалла из расплава обеспечивает расположение фронта роста вблизи поверхности раздела, хорошее перемешивание плава без образования застойных зон, при этом не меняются условия роста в течение всего времени и упрощается регулирование процесса роста.

Использование растворителя с низкой вязкостью (MoO3), а также вытягивание растущего кристалла обеспечивают получение кристаллов LBO, максимальные размеры которых составляют 49х52х45 мм, характеризующихся высокими показателями оптического качества: изменение показателя преломления < 10-3, адсорбционные потери < 10-3 см-1, лучевая стойкость > 10 ГВт/см2 при способ выращивания монокристаллов трибората лития, патент № 2112820 =1,06 мкм и способ выращивания монокристаллов трибората лития, патент № 2112820 =1 нс, что позволяет изготавливать оптические элементы размером до (5-15) x (5-15) x (5-30) мм3.

Таким образом, предложенное решение отвечает условию изобретательского уровня, т.к. достижение технического результата - повышение оптического качества и увеличение размеров кристаллов трибората лития основано как на выборе состава растворителя, так и на установлении оптимальных режимов роста. Известность отдельных режимных параметров не порочит новизны причинно-следственной связи отличительные признаки - технический результат.

Пример. Для получения кристалла LBO использован раствор-расплав, состав которого находится внутри области ABCD и содержит Li2O - 0,2; B2O3 - 0,36; MoO3 - 0,44 мол. долей. Навески исходных реактивов Li23 осч - 156,35 г, B2O3 осч - 265,46 г, MoO3 чда - 671,24 г механически перемешивают в стеклянных емкостях, смесь загружают в платиновый тигель объемом 800 см3 и помещают в печь при температуре 830oC для получения расплава. Раствор-расплав нагревают выше температуры плавления на 100oC и охлаждают до 775oC, на 5oC выше температуры начала кристаллизации. После стабилизации температуры в расплав вносят на платиновом стержне затравку из монокристалла LBO и начинают рост кристалла при снижении температуры от 775 до 720oC со скоростью 0,05oC/ч при одновременном вытягивании кристалла из расплава со скоростью 0,03 мм/ч. Через 40 суток (1000 ч) кристалл достигает размера 49:52:45 мм по осям x: y:z соответственно, после чего его поднимают над поверхностью расплава. Снижение температуры до комнатной проводят со скоростью 20oC/ч.

Класс C30B29/22 сложные оксиды

способ соединения деталей из тугоплавких оксидов -  патент 2477342 (10.03.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" -  патент 2434081 (20.11.2011)
pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования -  патент 2389835 (20.05.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука -  патент 2347859 (27.02.2009)
способ получения кристалла на основе бората и генератор лазерного излучения -  патент 2338817 (20.11.2008)
способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе -  патент 2332529 (27.08.2008)
полупроводниковый антиферромагнитный материал -  патент 2318262 (27.02.2008)

Класс C30B15/02 добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия -  патент 2528995 (20.09.2014)
способ выращивания монокристаллов германия -  патент 2493297 (20.09.2013)
способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута -  патент 2485218 (20.06.2013)
способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида индия -  патент 2482228 (20.05.2013)
способ получения монокристалла оксида цинка -  патент 2474625 (10.02.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения монокристалла -  патент 2418108 (10.05.2011)
способ выращивания монокристаллов с заданным распределением примесей по его длине -  патент 2402646 (27.10.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
устройство для выращивания слоев кремния на углеродной подложке -  патент 2365684 (27.08.2009)

Класс C30B9/12 солевые растворители, например выращивание из флюсов

способ выращивания монокристаллов литий-висмутового молибдата -  патент 2519428 (10.06.2014)
способ выращивания кристалла методом киропулоса -  патент 2494176 (27.09.2013)
способ выращивания монокристаллов литий-магниевого молибдата -  патент 2487968 (20.07.2013)
способ выращивания монокристаллов нитрида галлия -  патент 2477766 (20.03.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" -  патент 2434081 (20.11.2011)
способ выращивания объемных монокристаллов хризоберилла и его разновидностей -  патент 2315134 (20.01.2008)
устройство для выращивания монокристаллов сложных окислов -  патент 2245945 (10.02.2005)
способ приготовления раствор-расплава для выращивания монокристаллов -bab2o4 -  патент 2195520 (27.12.2002)
способ получения высокотемпературных сверхпроводниковых соединений -  патент 2182194 (10.05.2002)
Наверх