способ выращивания монокристаллов трибората лития

Классы МПК:C30B29/22 сложные оксиды
C30B15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН
Приоритеты:
подача заявки:
1996-08-23
публикация патента:

Использование: Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO) и позволяет выращивать крупные кристаллы диаметром 65-70 мм и длиной до 40-45 мм высокого оптического качества без включений и свилей, пригодных для изготовления оптических элементов. Способ включает вытягивание кристалла из раствор-расплава, содержащего в качестве растворителя систему LiCO3-LiBO2-Li2MoO4, при одновременном снижении температуры раствор-расплава. Использование данного растворителя при следующем соотношении компонентов, мол.%. Li2MoO4 - (30-50), LiBO2 -(6-40) и Li2CO3 - (10-40), обеспечивает концентрацию трибората лития в раствор-расплаве в процессе роста более 30 об.%.

Формула изобретения

Способ выращивания монокристалла трибората лития из раствор-расплава методом снижения температуры, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют систему Li2CO3 - LiBO2 - Li2MoO4 при следующем соотношении компонентов, мол.%:

LiMoO4 - 30 - 50

LiBO2 - 6 - 40

Li2CO3 - 10 - 40

обеспечивающую концентрацию трибората лития в раствор-расплаве более 30 об.%, и проводят вытягивание кристалла при одновременном снижении температуры раствор-расплава.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из раствор-расплавов, в частности монокристалла трибората лития (LBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения.

Известен способ выращивания монокристаллов трибората лития размером 35х30х15 мм, включающий растворение исходных компонентов, образующих триборат лития, или первоначально синтезированного соединения трибората лития в растворителе B2O3 (1). Рост кристалла проводят на затравку без вытягивания или при скорости вытягивания около 1 мм/сутки при снижении температуры от 834 до 750oC со скоростью 0,2 - 2oC/сутки. Однако высокая вязкость B2O3 ухудшает теплообмен и диффузионный массоперенос на фронте кристаллизации, что приводит к появлению застойных зон, к накоплению примесей, обуславливающих основной дефект в кристаллах - включения. При этом неизбежно появление дислокаций, напряжений, приводящих к растрескиванию. Из-за высокой вязкости раствор-расплава затруднено использование на протяжение всего ростового процесса такого важного технологического приема, как вытягивание кристалла с необходимыми скоростями.

Снизить вязкость простым подъемом температуры не представляется возможным, т.к. сам триборат лития - основное вещество претерпевает перитектическое разложение при 834oC.

Некоторое снижение вязкости раствор-расплава дает добавление в него в качестве растворителя небольших количеств MoO3 или молибдатов щелочных металлов. Однако при 700oC MoO3 начинает сильно испаряться, в результате чего процесс кристаллизации идет с переменным составом (область 700 - 834oC) и эффективность действия молибдатов, как растворителя, в этой области температур теряется.

Увеличение количества используемого MoO3 приводит к снижению вязкости расплава и смещает температуру плавления системы в область более низких температур (670 - 550oC), что отражено в известном способе выращивания монокристаллов трибората лития размером до 20 х 35 х 9 мм, включающем растворение исходных компонентов Li2CO3 (40,6 г), H2BO3 (203,9 г) во флюсе MoO3 (158,3 г) при температуре 850oC, выдержку при этой температуре 5 ч. и охлаждение до 673oC (2). Рост проводят на затравку из кристалла LBO методом снижения температуры расплава от 670 до 580oC со скоростью 5oC/ч. Полученный кристалл вытягивают из расплава и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 100oC/ч. Данный способ выбран в качестве прототипа.

Однако использование данного растворителя ведет к снижению концентрации LBO в раствор-расплаве, а также к расслоению системы LBO - MoO3 из-за большой разницы в плотностях LBO (1,8 г/см3) и MoO3 (4,5 г/см3). Эти факторы значительно ухудшают оптическое качество выращиваемых кристаллов. Кроме того, низкая концентрация LBO в раствор-расплаве не позволяет проводить вытягивание кристалла, т.е. не обеспечиваются условия, необходимые для получения кристаллов требуемой длины, рост идет только за счет снижения температуры расплава.

Технический результат, который может быть получен при осуществлении предложенного изобретения заключается в выращивании крупных кристаллов LBO высокого оптического качества без включений и свилей за счет обеспечения высокой концентрации трибората лития в раствор-расплаве, снижения вязкости раствор-расплава, расширения температурного диапазона кристаллизации.

Это достигается тем, что при выращивании кристалла трибората лития методом снижения температуры в качестве растворителя используют систему Li2CO3 - LiBO2 - Li2MoO4, при следующем соотношении компонентов, мал.%: Li2MoO4 - (30 - 50); LiBO2 - (6 - 40); Li2CO3 - (10 - 40), обеспечивая концентрацию трибората лития в раствор - расплаве более 30 об.%, и проводят вытягивание кристалла при одновременном снижении температуры раствор-расплава.

Предложенные концентрационные пределы обеспечивают возможность получения низкоплавкого растворителя, позволяющего:

1. Получить систему с низкой температурой плавления (< 550oC), что приводит к расширению температурной зоны кристаллизации, как в сторону высоких (800oC), так и в сторону низких температур, где кристаллы LBO наиболее стабильны.

2. Произвести максимальное насыщение раствор-расплава основным веществом, т. е. обеспечить концентрацию трибората лития в раствор-расплаве от 30 об.% и выше.

3. Вытягивать кристалл на протяжении всего ростового процесса при одновременном его вращении, что обеспечивает гомогенизацию расплава, ликвидацию застойных зон в пограничном слое раствор - кристалл.

Это позволяет выращивать кристаллы большого диаметра и заданной длины высокого оптического качества (диаметром 65 - 70 мм и длиной до 40 - 45 мм), обеспечивающих возможность изготовления оптических элементов размером (10 - 15) х (10 - 15) х (20 - 25) мм3.

Примеры конкретного выполнения способа.

Пример 1. Из стехиометрических количеств Li2O и B2O (1 : 3) синтезируют триборат лития, затем к плаву порциями добавляют приготовленную смесь исходных материалов растворителя: 23% LiBO2; 37% Li2MoO4 и 40% Li2CO3. Концентрация LBO в раствор - расплаве составляет 50 об.%. Наплавку производят при температуре 850oC, затем плав нагревают до 950oC, выдерживают при этой температуре 12 ч, затем быстро охлаждают до 800oC.

Ориентированную затравку медленно вводят в печь до касания с расплавом, выдерживают 1 ч, затем охлаждают со скоростью до 3oC/сутки при вращении со скоростью 30 об/мин и одновременном вытягивании кристалла со скоростью 1,5 мм/сутки. Температуру снижают до тех пор, пока не вырастет кристалл длиной, достаточной для изготовления оптического элемента размером 10 х 10 х 20 мм. Выращенный кристалл вытягивают из раствор-расплава и медленно охлаждают со скоростью до 3oC/сутки до комнатной температуры.

Получен прозрачный кристалл размером 60 х 62 х 35 мм3.

Пример 2. Первоначально в платиновом тигле при температуре 850oC проводят синтез трибората лития (система Li2O - B2O3, пропорциональное соотношению 1 : 3. Затем к плаву трибората лития порциями добавляют смесь исходных материалов растворителя: 20% LiBO2; 48% Li2MoO4 и 32% Li2CO3. Концентрация LBO в расплаве с растворителем составляет 60 об.%. По окончании наплавки растворителя печь разогревают до 950 oC, выдерживают при этой температуре 12 ч.

После гомогенизации расплава печь охлаждают до 800oC. При этой температуре медленно вводят затравку до касания с расплавом. Рост кристалла производят снижением температуры со скоростью до 3 oC/сутки в интервале температур 800 - 600 - 550oC и вытягивании со скоростью 2 мм/сутки. По достижении необходимой длины кристалл вытягивают из раствор - расплава и охлаждают до комнатной температуре со скоростью до 3oC/сутки.

Получен прозрачный кристалл размером 70 х 60 х 43 мм3.

Класс C30B29/22 сложные оксиды

способ соединения деталей из тугоплавких оксидов -  патент 2477342 (10.03.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" -  патент 2434081 (20.11.2011)
pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования -  патент 2389835 (20.05.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука -  патент 2347859 (27.02.2009)
способ получения кристалла на основе бората и генератор лазерного излучения -  патент 2338817 (20.11.2008)
способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе -  патент 2332529 (27.08.2008)
полупроводниковый антиферромагнитный материал -  патент 2318262 (27.02.2008)

Класс C30B15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского

способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия -  патент 2528995 (20.09.2014)
способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля -  патент 2527790 (10.09.2014)
монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор -  патент 2527082 (27.08.2014)
способ получения слоев карбида кремния -  патент 2520480 (27.06.2014)
устройство и способ выращивания профилированных кристаллов тугоплавких соединений -  патент 2507320 (20.02.2014)
способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления -  патент 2507319 (20.02.2014)
способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты) -  патент 2507318 (20.02.2014)
сцинтиллятор для детектирования нейтронов и нейтронный детектор -  патент 2494416 (27.09.2013)
способ выращивания кристалла методом киропулоса -  патент 2494176 (27.09.2013)
способ выращивания монокристаллов германия -  патент 2493297 (20.09.2013)
Наверх